【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请案涉及能够产生具有深紫外光(duv)及真空紫外光(vuv)波长的光的激光器，且特定来说涉及能够产生在大致180nm到200nm的范围内的光的激光器及使用此类激光器的系统。并入本文中所公开的激光器的系统可经配置以检验样本，例如光掩模、光罩及半导体晶片。并入本文中所公开的激光器的系统可经配置为用于暴露例如半导体晶片的衬底上的图案的光刻系统，可经配置用于对衬底进行切割或钻孔，或可经配置用于例如在眼睛矫正手术中烧蚀或切割生物组织。
技术介绍
1、随着半导体装置的尺寸缩小，可致使装置出故障的最小粒子或图案缺陷的大小也缩小。因此，需要检测经图案化及未经图案化半导体晶片及光罩上的较小粒子及缺陷。由小于光的波长的粒子散射的所述光的强度通常与所述粒子的尺寸的高次幂成比例。例如，来自孤立的小球形粒子的光的总散射强度与球体直径的六次幂成正比且与波长的四次幂成反比。由于散射光的强度增加，因此与较长波长相比，较短波长通常将提供对检测小粒子及缺陷更好的灵敏度。
2、由于从小粒子及缺陷散射的光的强度通常非常低，因此需要高照明强度来产生可在非常短时间...
【技术保护点】
1.一种用于产生激光器输出光的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个SBO晶体平板经配置使得所述第一SBO晶体平板的第一晶轴相对于所述第二SBO晶体平板的第二晶轴倒置。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述输出频率对应于近似193nm的波长。
4.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述中频光包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中产生所述第一基本激光射束是利用钛蓝宝石(Ti蓝宝石)激光器。
6.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述中频光包括：
7.根据权利要求6所述的方法...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于产生激光器输出光的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个sbo晶体平板经配置使得所述第一sbo晶体平板的第一晶轴相对于所述第二sbo晶体平板的第二晶轴倒置。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述输出频率对应于近似193nm的波长。
4.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述中频光包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中产生所述第一基本激光射束是利用钛蓝宝石(ti蓝宝石)激光器。
6.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述中频光包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中产生所述第一基本激光射束利用掺nd钇铝石榴石(yag)激光器、掺nd钇原钒酸盐激光器及掺镱光纤激光器中的一者。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述ops包括经配置以产生第三频率光的光学参数产生器，所述opg光学地耦合到空腔，所述空腔连接到经配置以放大所述第三频率光的放大器。
9.根据权利要求6所述的方法，其中所述ops包括经配置以使具有所述第三频率的光再循环的opo空腔，其中所述空腔包括经配置以放大所述第三频率光的放大器。
10.根据权利要求6所述的方法，其中产生所述第三频率光利用光学参数系统(ops)，其中所述ops包括光学参数振荡器(opo)、光学参数产生器(opg)及放大级中的至少一者。
11.根据权利要求10所述的方法，其中产生所述第三频率光进一步包括：用所述第一基本激光射束的第二部分泵浦所述ops。
12.根据权利要求10所述的方法，其中产生所述第三频率光进一步包括：用所述二次谐波光的第二部分泵浦所述ops。
13.根据权利要求10所述的方法，其中产生所述第三频率光进一步包括：
14.根据权利要求10所述的方法，所述ops进一步包括经配置以放大所述第三频率光的放大级，且其中所述放大级包括光纤放大器、薄盘放大器、空腔放大器、棒放大器、光学参数放大器(opa)及多通放大器中的至少一者。
15.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：
16.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括将所述激光器输出光引导到涂覆于光致抗蚀剂中的衬底，由此暴露所述光致抗蚀剂中的图案。
17.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：
18.根据权利要求1所述的方法，其中所述最终倍频级进一步包括含有所述多个sbo平板且经配置以使具有所述中频的光再循环的空腔。
19.根据权利要求1所述的方法，其中所述频率求和级进一步包括经配置以使具有所述中频的光再循环的空腔。
20.一种检验系统，其包括：
21.根据权利要求20所述的检验系统，其中所述多个sbo晶体平板经配置使得所述第一sbo晶体平板的第一晶轴相对于所述第二sbo晶体平板的第二晶轴倒置。
22.根据权利要求20所述的检验系统，其中所述输出频率对应于近似193nm的波长。
23.根据权利要求20所述的检验系统，其中所述第一基本激光器经配置以产生在近似760nm与近似800nm之间的波长，且其中所述一或多个中频转换级经配置以使所述第一基本激光射束的频率加倍以产生所述中频光。
24.根据权利要求23所述的检验系统，其中所述第一基本激光器包括钛蓝宝石激光器。
25.根据权利要求20所述的检验系统，其中所述第一基本激光器经配置以产生具有在近似1μm与近似1.1μm之间的波长的第一基本激光射束，且其中所述一或多个中频转换级包括：
26.根据权利要求25所述的检验系统，其中所述一或多个中频转换级进一步经配置以将所述第一基本激光射束的第二部分作为泵浦引导到所述ops。
27.根据权利要求25所述的检验系统，其中所述一或多个中频转换级进一步经配置以将所述二次谐波光的第二部分作为泵浦引导到所述ops。
28.根据权利要求25所述的检验系统，所述系统进一步包括第二基本激光器，所述第二基本激光器经配置以产生第二基本激光射束且光学地耦合到所述ops以用所述第二基本激光射束光学地泵浦所述ops。
29.根据权利要求20所述的检验系统，其中所述第一基本激光射束包括掺nd钇铝石榴石(yag)激光器、掺nd钇原钒酸盐激光器及掺yb光纤激光器中的一者。
30.根据权利要求20所述的检验系统，所述检验系统进一步包括经配置以将所述激光器输出光引导到所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：勇霍·亚历克斯·庄，K·毛瑟，张百钢，刘学峰，J·费尔登，银英·肖李，E·洛基诺娃，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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