半导体元件包覆用玻璃及使用其的半导体元件包覆用材料制造技术

本发明专利技术提供一种环境负荷小、耐酸性优异、且烧制温度低的半导体元件包覆用玻璃。半导体元件包覆用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有：SiO2 28～48％、ZnO 3％以上且小于10％、B2O35～25％、Al2O3 10～25％、MgO+CaO 8～22％，且实质上不含有铅成分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体元件包覆用玻璃以及使用其的半导体元件包覆用材料。

技术介绍

1、对于硅二极管、晶体管等半导体元件而言，通常半导体元件的包含p-n接合部在内的表面被玻璃包覆。由此，能够实现半导体元件表面的稳定化，抑制特性经时变差。

2、作为半导体元件包覆用玻璃所需要的特性，可以举出以下等：(1)使该玻璃的热膨胀系数与半导体元件的热膨胀系数匹配，以避免因玻璃与半导体元件的热膨胀系数之差而产生裂纹等；(2)能够以低温(例如860℃以下)进行包覆，从而防止半导体元件的特性变差；(3)不含对半导体元件表面产生不良影响的碱性成分等杂质。

3、一直以来，作为半导体元件包覆用玻璃，已知有zno-b2o3-sio2系等锌系玻璃、pbo-sio2-al2o3系玻璃、pbo-sio2-al2o3-b2o3系玻璃等铅系玻璃，但目前，从作业性的观点考虑，pbo-sio2-al2o3系玻璃、pbo-sio2-al2o3-b2o3系玻璃等铅系玻璃成为主流(例如，参照专利文献1～4)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件包覆用玻璃，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体元件包覆用玻璃，其特征在于，

3.一种半导体元件包覆用材料，其特征在于，含有：

4.根据权利要求3所述的半导体元件包覆用材料，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体元件包覆用玻璃，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体元件包覆用玻璃，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：广濑将行，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：