【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体元件包覆用玻璃以及使用其的半导体元件包覆用材料。
技术介绍
1、对于硅二极管、晶体管等半导体元件而言，通常半导体元件的包含p-n接合部在内的表面被玻璃包覆。由此，能够实现半导体元件表面的稳定化，抑制特性经时变差。
2、作为半导体元件包覆用玻璃所需要的特性，可以举出以下等：(1)使该玻璃的热膨胀系数与半导体元件的热膨胀系数匹配，以避免因玻璃与半导体元件的热膨胀系数之差而产生裂纹等；(2)能够以低温(例如860℃以下)进行包覆，从而防止半导体元件的特性变差；(3)不含对半导体元件表面产生不良影响的碱性成分等杂质。
3、一直以来，作为半导体元件包覆用玻璃，已知有zno-b2o3-sio2系等锌系玻璃、pbo-sio2-al2o3系玻璃、pbo-sio2-al2o3-b2o3系玻璃等铅系玻璃，但目前，从作业性的观点考虑，pbo-sio2-al2o3系玻璃、pbo-sio2-al2o3-b2o3系玻璃等铅系玻璃成为主流(例如，参照专利文献1～4)。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开昭48-43275号公报
7、专利文献2：日本特开昭50-129181号公报
8、专利文献3：日本特公平1-49653号公报
9、专利文献4：日本特开2008-162881号公报
技术实现思路
1、专利技术欲解决的技术问题
2、但是，铅系玻璃的铅成分是对环境有害的成
3、另外，与铅系玻璃相比，锌系玻璃的化学耐久性差，存在容易在形成包覆层后的酸处理工序中被侵蚀这样的问题。因此，需要在包覆层的表面进一步形成保护膜以进行酸处理。
4、另一方面，若增加玻璃组成中的sio2的含量，则耐酸性提高，并且半导体元件的反向耐压提高，但玻璃的烧制温度上升，因此导致在包覆工序中有可能使半导体元件的特性变差。
5、因此，本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其技术课题在于提供一种环境负荷小、耐酸性优异且烧制温度低的半导体元件包覆用玻璃。
6、用于解决问题的技术手段
7、本专利技术人进行了深入研究，结果发现，通过使用具有特定的玻璃组成的sio2-b2o3-al2o3-zno系玻璃，能够解决上述技术课题，并作为本专利技术而提出。即，本专利技术的半导体元件包覆用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计，含有：sio2 28～48％、zno 3％以上且小于10％、b2o3 5～25％、al2o3 10～25％、mgo+cao 8～22％，且实质上不含有铅成分。在此，“实质上不含～”是指不有意地添加该成分作为玻璃成分，并不意味着完全排除不可避免地混入的杂质。具体而言，意味着包含杂质在内的该成分的含量不足0.1质量％。另外，“mgo+cao”是指mgo和cao的含量的总量。
8、本专利技术的半导体元件包覆用玻璃通过如上所述地限制各成分的含有范围，从而环境负荷小，耐酸性提高，并且容易降低烧制温度。
9、其结果是，适合半导体元件的包覆。
10、本专利技术的半导体元件包覆用玻璃优选以摩尔比计，sio2/zno为3.0以上。此处，“sio2/zno”是指将sio2的含量除以zno的含量而得到的值。
11、本专利技术的半导体元件包覆用材料优选含有玻璃粉末75～100质量％、陶瓷粉末0～25质量％，所述玻璃粉末包含上述半导体元件包覆用玻璃。
12、本专利技术的半导体元件包覆用材料优选在30～300℃的温度范围内的热膨胀系数为20×10-7/℃～55×10-7/℃。此处，“30～300℃的温度范围内的热膨胀系数”是指利用推杆式热膨胀系数测定装置测出的值。
13、专利技术效果
14、根据本专利技术，能够提供一种环境负荷小、耐酸性优异且烧制温度低的半导体元件包覆用玻璃。
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1.一种半导体元件包覆用玻璃，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体元件包覆用玻璃，其特征在于，
3.一种半导体元件包覆用材料，其特征在于，含有：
4.根据权利要求3所述的半导体元件包覆用材料，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体元件包覆用玻璃，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体元件包覆用玻璃，其特征在于，
<...【专利技术属性】
技术研发人员：广濑将行，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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