一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法。该Bi<subgt;2</subgt;WO<subgt;6</subgt;半导体单晶纳米薄膜的CVD制备方法，包括如下步骤：以WCl<subgt;6</subgt;粉末和Bi<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;粉末为原料，氩气和微量氢气的混合气体为载气，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述层状Bi<subgt;2</subgt;WO<subgt;6</subgt;半导体单晶薄膜。该方法经济、简单、易行，所得单晶纳米片不仅厚度可控、晶体质量好，且能够调控晶体的平面生长或者便于转移的自支撑直立生长。二维钨酸铋半导体具备宽禁带、铁电、高介电常数、超薄厚度等优异特性，在微电子领域具有重要价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二维半导体材料领域，具体涉及一种具有宽禁带的bi2wo6半导体纳米薄膜制备方法

技术介绍

1、目前，摩尔定律日趋逼近极限，集成电路走向后摩尔时代，器件的微型化、高密度、智能化已经成为了微电子领域的趋势与追求。二维材料是指少层或单层的层状材料，因其在下一代电子器件的尺寸微缩方面的潜力和其具有丰富的物理性质引起了人们的极大兴趣。宽禁带半导体主要特点是具有较大的带隙(＞2.3ev)，具有较高的电子迁移率和较低的载流子浓度，在大功率电子器件、紫外光电器件等领域具有重要的应用价值。

2、bi2wo6是一类独特的宽禁带层状半导体，属于铋基层状氧化物，其拥有与氮化镓、碳化硅可比拟的直接带隙(3.0ev)、面内铁电性、高介电常数、极佳的空气稳定性等优异的性能，在光催化、铁电、铁磁、介电等领域受到广泛关注。超薄bi2wo6纳米薄膜对器件的微型化和通过面内极化消除去极化场的限制都具有重要意义。然而，bi2wo6已报道的合成方法主要有水热合成法和脉冲激光沉积(pld)合成法，其中水热合成法生长出的bi2wo6具有晶体质量低和面积小的缺点，pld合成法成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述化学气相沉积在基底上进行；所述基底为云母，化学式为KMg3(AlSi3010)F2。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述化学气相沉积步骤中，载气为氩气和微量的氢气混合气体；

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：所述化学气相沉积在管式炉中进行。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：原料位于所述管式炉的中心位置；基底位于原料的正上方0.1～2cm的位置。

6.根据权利要求1中所述...

【技术特征摘要】

1.一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述化学气相沉积在基底上进行；所述基底为云母，化学式为kmg3(alsi3010)f2。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述化学气相沉积步骤中，载气为氩气和微量的氢气混合气体；

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于：所述化学气相沉积在管式炉中进行。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：原料位于所述管式炉的中心位置；基底位于原料的正上方0.1～2cm的位置。

6.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于：所述方法还包括如下步骤：在所述化学气相沉积步骤之后，将体系自然冷却至室温。

7.权利要求1-6中任一所述方法制...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴金雄，王兵，何育彧，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：