【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电流保护，更具体地，涉及一种固态断路器的过流保护方法、固态断路器、电子设备、存储介质以及计算机程序产品。
技术介绍
1、随着电力电子设备使用数量的增加，电路中线路的阻抗越来越小，短路电流会比以往上升得更加迅速，并且由于电力电子设备过载能力较弱，需要断路器能够更快速的执行断路操作。
2、因此，需要改善过流保护方法，以提高过流保护装置的保护速度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种固态断路器的过流保护方法、固态断路器、电子设备、存储介质以及计算机程序产品。
2、本公开的一个方面的实施例提供了一种固态断路器的过流保护方法，包括：根据目标电路中的采样电流确定评估数据，其中，上述评估数据包括上述采样电流的变化率和上述采样电流的幅值，上述变化率表征上述采样电流在第一预设时段的变化率；以及在确定上述变化率大于或等于第一预设值，以及上述幅值大于或等于第二预设值且小于或等于第一目标临界值的情况下，立即控制固态断路器中的断路模块执行断路操作，以保护上述目标电路，其中，上述第一目标临界值表征在上述固态断路器处于瞬动保护模式的情况下，允许通过的最大电流。
3、本公开的另一方面的实施例提供了一种固态断路器，包括：断路模块；处理模块，被配置为：根据目标电路中的采样电流确定评估数据，其中，上述评估数据包括上述采样电流的变化率和上述采样电流的幅值，上述变化率表征上述采样电流在第一预设时段的变化率；以及在确定上述变化率大于或等于第一预设值，以及上述幅值大
4、本公开的另一方面的实施例提供了一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储器，用于存储一个或多个程序，其中，当上述一个或多个程序被上述一个或多个处理器执行时，使得上述一个或多个处理器实现如上述的方法。
5、本公开的另一方面的实施例提供了一种可读存储介质，存储有计算机可执行指令，该指令在被执行时用于实现如上述的方法。
6、本公开的另一方面的实施例提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序在被处理器执行时实现如上述的方法。
7、根据本公开的实施例，在采样电流的幅值较小，例如，采样电流的幅值小于第二预设值的情况下，固态断路器容易出现振铃现象，进而容易使固态断路器在判断变化率是否大于或等于第一预设值的情况下，产生误判。因此，可以通过确定采样电流的幅值是否大于或等于第二预设值，以消除振铃现象对确定变化率是否大于或等于第一预设值的影响，进而可以提高过流保护的准确性。由于在确定采样电流的变化率大于或等于第一预设值，以及采样电流的幅值大于或等于第二预设值的情况下，采样电流的幅值可能还未达到第一目标临界值，可以控制固态断路器执行断路操作。因此，可以在采样电流的幅值还未达到第一目标临界值的情况下，控制固态断路器执行断路操作，从而可以有效保证过流保护的保护速度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种固态断路器的过流保护方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述根据所述晶体管允许通过的最大电流、所述晶体管的导通电阻、所述晶体管允许的最大结温、所述晶体管的壳温和所述晶体管的稳态热阻，确定所述第一目标临界值，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述将所述第一瞬时功率转化为在单脉冲下所述晶体管的第二瞬时功率，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述根据所述第二瞬时功率、所述晶体管允许的最大结温、所述晶体管的壳温和所述晶体管的稳态热阻，确定所述第一目标临界值，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述基于第一映射关系集，根据所述瞬态热阻抗，确定目标脉冲宽度，包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述基于第二映射关系集，根据所述目标脉冲宽度，确定所述第一目标临界值，包括：
9.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
10.一种固态断路器，包括：
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述处理模块，包括：
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述变化率比较子电路，包括：
13.根据权利要求11或12所述的装置，其中，所述第一幅值比较子电路，包括：
14.根据权利要求11或12所述的装置，其中，所述幅值比较电路，还包括：
15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述第二幅值比较子电路，包括：
16.根据权利要求11或12所述的装置，还包括：
17.一种电子设备，其中，包括：
18.一种计算机可读存储介质，其中，其上存储有可执行指令，该指令被处理器执行时使处理器实现权利要求1～9中任一项所述的方法。
19.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现权利要求1～9中任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种固态断路器的过流保护方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述根据所述晶体管允许通过的最大电流、所述晶体管的导通电阻、所述晶体管允许的最大结温、所述晶体管的壳温和所述晶体管的稳态热阻，确定所述第一目标临界值，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述将所述第一瞬时功率转化为在单脉冲下所述晶体管的第二瞬时功率，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述根据所述第二瞬时功率、所述晶体管允许的最大结温、所述晶体管的壳温和所述晶体管的稳态热阻，确定所述第一目标临界值，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述基于第一映射关系集，根据所述瞬态热阻抗，确定目标脉冲宽度，包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述基于第二映射关系集，根据所述目标脉冲宽度，确定所述第一目标临界值，包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：王尧，赵籽钧，郝晨光，盛德杰，包志舟，邢云琪，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：
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