System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种多磁同向阵列模组扬声器制造技术_技高网

一种多磁同向阵列模组扬声器制造技术

技术编号:40419403 阅读:4 留言:0更新日期:2024-02-20 22:37
本发明专利技术公开了一种多磁同向阵列模组扬声器,属于电声器件技术领域,高音单元,采用双PIN模内一体注塑,采用上下三磁结构形成上下双磁路结构和平面线圈的结构;低音单元,采用双PIN模内一体注塑,采用内外双磁结构形成内外双磁路结构和侧边mesh的结构;所述高音单元和所述低音单元组合形成预置并通过数字进行分频,且所述高音单元设置在所述低音单元的上方。本发明专利技术采用上述结构的一种多磁同向阵列模组扬声器,外形结构小,装配简单,有效拓展了高频频宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电声器件,尤其是涉及一种多磁同向阵列模组扬声器


技术介绍

1、扬声器是一种把电信号转变为声信号的换能器件。随着科学技术不断进步,消费者对电子设备的音质提出了更高要求,扬声器的低频效果需要振膜的顺性大、质量大、柔软且有弹性,而高音效果的提升则恰好相反,要求球顶区域的模量高、质量轻、密度小,低频和高频难以兼顾成为了困扰扬声器开发者的一大难题,在这样的情况下,开发一种多磁同向阵列扬声器是必然的。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种多磁同向阵列模组扬声器,以解决上述
技术介绍
中存在的低频。

2、为实现上述目的,本专利技术提供了一种多磁同向阵列模组扬声器,包括:

3、高音单元,采用双pin模内一体注塑,采用上下三磁结构形成上下双磁路结构和平面线圈的结构;

4、低音单元,采用双pin模内一体注塑,采用内外双磁结构形成内外双磁路结构和侧边mesh(声阻网)的结构;

5、所述高音单元和所述低音单元组合形成预置并通过数字进行分频设计,外形结构小,装配简单,音频范围可到40khz,且所述高音单元设置在所述低音单元的上方,适应各类高端可穿戴tws产品的微型化、多媒体化和低能耗的技术发展趋势。

6、优选的,所述低音单元包括低音支架,所述低音支架的容腔底部设置有低音磁路导磁片,所述低音磁路导磁片的上方设置有低音内磁路导磁片,所述低音内磁路导磁片的外围设置有低音外磁路外磁钢,所述低音外磁路外磁钢的上方设置有低音外磁路导磁片,所述低音内磁路导磁片的上方设置有低音振膜,且所述低音振膜的底部设置有低音线圈。

7、优选的,所述高音单元包括高音支架,所述高音支架的内部设置有高音下磁路导磁片,所述高音下磁路导磁片的上方设置有高音下磁路外磁钢和高音下磁路内磁钢,且所述高音下磁路内磁钢设置在所述高音下磁路外磁钢的内部。

8、优选的,所述高音下磁路外磁钢的上方设置有高音振膜,所述高音振膜的底部设置有高音平面线圈,所述高音振膜的上方设置有高音上磁路外磁钢,所述高音上磁路外磁钢的内侧壁上设置有高音上磁路导磁柱。

9、优选的,所述高音支架的外侧壁上对称设置有低音mesh(声阻网)。

10、优选的,所述低音支架的外侧壁上设置有低音外接pin(正负极外接pin针)和高音外接pin(正负极外接pin针),且所述低音外接pin和所述高音外接pin均包括正极和负极。

11、优选的,所述高音支架设置在所述低音支架的上方且设置在所述低音支架的外侧。

12、因此,本专利技术采用上述结构的一种多磁同向阵列模组扬声器,外形结构小,装配简单,音频范围可以到40khz,低音醇厚,中音明亮,高音清晰,并且采用入耳式的结构设计,实现了追求音质的提升和高频频宽的拓展。

13、下面通过附图和实施例,对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。

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【技术保护点】

1.一种多磁同向阵列模组扬声器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种多磁同向阵列模组扬声器,其特征在于:所述低音单元包括低音支架,所述低音支架的容腔底部设置有低音磁路导磁片,所述低音磁路导磁片的上方设置有低音内磁路导磁片,所述低音内磁路导磁片的外围设置有低音外磁路外磁钢,所述低音外磁路外磁钢的上方设置有低音外磁路导磁片,所述低音内磁路导磁片的上方设置有低音振膜,且所述低音振膜的底部设置有低音线圈。

3.根据权利要求1所述的一种多磁同向阵列模组扬声器,其特征在于:所述高音单元包括高音支架,所述高音支架的内部设置有高音下磁路导磁片,所述高音下磁路导磁片的上方设置有高音下磁路外磁钢和高音下磁路内磁钢,且所述高音下磁路内磁钢设置在所述高音下磁路外磁钢的内部。

4.根据权利要求3所述的一种多磁同向阵列模组扬声器,其特征在于:所述高音下磁路外磁钢的上方设置有高音振膜,所述高音振膜的底部设置有高音平面线圈,所述高音振膜的上方设置有高音上磁路外磁钢,所述高音上磁路外磁钢的内侧壁上设置有高音上磁路导磁柱。

5.根据权利要求4所述的一种多磁同向阵列模组扬声器,其特征在于:所述高音支架的外侧壁上对称设置有低音mesh。

6.根据权利要求2所述的一种多磁同向阵列模组扬声器,其特征在于:所述低音支架的外侧壁上设置有低音外接PIN和高音外接PIN,且所述低音外接PIN和所述高音外接PIN均包括正极和负极。

7.根据权利要求5所述的一种多磁同向阵列模组扬声器,其特征在于:所述高音支架设置在所述低音支架的上方且设置在所述低音支架的外侧。

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【技术特征摘要】

1.一种多磁同向阵列模组扬声器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种多磁同向阵列模组扬声器,其特征在于:所述低音单元包括低音支架,所述低音支架的容腔底部设置有低音磁路导磁片,所述低音磁路导磁片的上方设置有低音内磁路导磁片,所述低音内磁路导磁片的外围设置有低音外磁路外磁钢,所述低音外磁路外磁钢的上方设置有低音外磁路导磁片,所述低音内磁路导磁片的上方设置有低音振膜,且所述低音振膜的底部设置有低音线圈。

3.根据权利要求1所述的一种多磁同向阵列模组扬声器,其特征在于:所述高音单元包括高音支架,所述高音支架的内部设置有高音下磁路导磁片,所述高音下磁路导磁片的上方设置有高音下磁路外磁钢和高音下磁路内磁钢,且所述高音下磁路内磁钢设置在所述高音下磁路外磁钢的内部。

【专利技术属性】
技术研发人员:曹海峰张玉冰谭亨庭
申请(专利权)人:东莞市泰铭声学有限公司
类型:发明
国别省市:

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