一种电子级一氟甲烷深度除水吸附剂及其制备方法和使用方法技术

本发明专利技术公开了一种电子级一氟甲烷深度除水吸附剂及其制备方法和使用方法，吸附剂采用化学液相沉积法制备，以分子筛为载体，在稀释剂中与硅沉积剂混合浸渍，然后对浸渍后分子筛焙烧，焙烧后硅沉积剂转变为二氧化硅沉积在分子筛外表面，二氧化硅的沉积量以质量计为3%~15%。制备方法是将分子筛于稀释剂中，按比例向其中加入硅沉积剂，在25~50℃混合搅拌6h以上，将所得混合物在100~120℃干燥4~12h，冷却至室温，焙烧得到吸附剂。将吸附剂装填进吸附塔，N<subgt;2</subgt;氛围下200~400℃活化3h以上，持续通入N<subgt;2</subgt;对吸附剂进行自然降温至室温；常温下将一氟甲烷粗气从吸附塔下方通入，吸附脱除一氟甲烷粗气中的水分。该吸附剂对一氟甲烷中水分深度脱除效果好，同时可有效消除吸附放热效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子级一氟甲烷制备领域，具体涉及电子级一氟甲烷深度除水吸附剂及其制备方法。

技术介绍

1、一氟甲烷（ch3f）是一种无色无味、易燃易爆气体，主要用作半导体行业的蚀刻气，对硅化物薄膜的蚀刻选择性好，在射频场下会溶解氟离子，进行反应性离子蚀刻，应用过程中电子级一氟甲烷中若存在水分则会影响其蚀刻效果，因此需严格控制电子级一氟甲烷内水分含量，水分脱除是电子级一氟甲烷纯化工艺的关键步骤。工业上脱除一氟甲烷中水分的方法主要有低温冷冻法、吸收法、精馏法和吸附法等。

2、专利文献cn114413572a公开了一种低温冷冻法去除一氟甲烷中水分的装置和方法，将一氟甲烷原料气分别通入第一冷冻塔和第二冷冻塔内，水作为高熔点杂质在-110℃下凝结成固体负载列管式冷冻塔内部，低熔点的工艺气体以气态形式排出进入缓冲罐，再将冷冻塔升温将冷冻杂质由固态变成气态排入尾气处理装置。此方法可去除一氟甲烷中的水分杂质，但此方法需使用大量液氮作为制冷剂和热氮气使冷冻塔升温，能耗较大，且工艺操作复杂，脱水深度不足。

3、专利文献cn113816826a公开了一种电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子级一氟甲烷深度除水吸附剂，其特征在于，采用化学液相沉积法制备，以分子筛为载体，在稀释剂中与硅沉积剂混合浸渍，然后对浸渍后分子筛焙烧，焙烧后硅沉积剂转变为二氧化硅沉积在分子筛外表面，二氧化硅的沉积量以质量计为3%~15%。

2.根据权利要求1所述的电子级一氟甲烷深度除水吸附剂，其特征在于，所述的分子筛选自4A、5A、13X、ZSM-5分子筛中的一种或几种组合。

3.根据权利要求1所述的电子级一氟甲烷深度除水吸附剂，其特征在于，所述的稀释剂选自正戊烷、异戊烷、正庚烷、异庚烷中的一种或几种组合。

4.根据权利要求1所述的电子级一氟甲烷深度除水吸附...

【技术特征摘要】

1.一种电子级一氟甲烷深度除水吸附剂，其特征在于，采用化学液相沉积法制备，以分子筛为载体，在稀释剂中与硅沉积剂混合浸渍，然后对浸渍后分子筛焙烧，焙烧后硅沉积剂转变为二氧化硅沉积在分子筛外表面，二氧化硅的沉积量以质量计为3%~15%。

2.根据权利要求1所述的电子级一氟甲烷深度除水吸附剂，其特征在于，所述的分子筛选自4a、5a、13x、zsm-5分子筛中的一种或几种组合。

3.根据权利要求1所述的电子级一氟甲烷深度除水吸附剂，其特征在于，所述的稀释剂选自正戊烷、异戊烷、正庚烷、异庚烷中的一种或几种组合。

4.根据权利要求1所述的电子级一氟甲烷深度除水吸附剂，其特征在于，所述的硅沉积剂选自分子量为2000~7000的甲基硅油的一种或多种组合。

5.根据权利要求1所述的电子级一氟甲烷深度除水吸附剂，分子筛与稀释剂的质量比为1：3 ~1：10；，分子筛与硅沉积剂的质量比为1：2~1：10。

6.根据权利要求1所述的电子级一氟甲烷深度除水吸附剂，其特征在于，分子筛与稀...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘圆梦，何红振，王泉高，张金彪，白毅鸿，付豪，
申请(专利权)人：昊华气体有限公司，
类型：发明
国别省市：