【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力二次设备评估，并且更具体地，涉及一种电力二次设备抗内存异常能力的评估方法及装置。
技术介绍
1、随着半导体工艺向纳米技术进化，器件尺寸快速缩小，内存单元中的电容也越来越小，引起错误所需要的电荷也会随之降低，使内存单元很容易发生单粒子翻转。单粒子翻转错误存在于半导体行业中，会损坏所存储的数据或所涉及电路的状态(将“1”数据状态翻转为“0”数据状态，或相反)，引起继电保护设备误动，导致严重的电网事故。
2、目前国内外主要从模拟计算、辐射源模拟实验和飞行实验3个方面深入研究单粒子效应的发生机理、规律，测试各种星载电子元器件和集成电路的辐射敏感参数，评价其抗单粒子效应的水平和故障风险，从而为器件选型和抗辐射加固措施提供依据。模拟计算是通过构建物理模型、仿真计算得到目标位置的辐射剂量，预测可能的辐射损伤，这涉及到物理模型的构建和仿真计算两部分。辐射源模拟实验是通过建立简化的实验室环境来模拟实际的空间辐射环境，获得辐射参数与器件受损之间的准确关系。辐射源模拟实验可以分为辐射环境设置(辐射源选取、实验标准)、器件受损参数...
【技术保护点】
1.一种电力二次设备抗内存异常能力的评估方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置之前，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，使被测装置的内存异常，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采集被测装置的返回信息，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述被测装置的内存异常反转形式包括单粒子反转、单粒子瞬态和多位翻转；所述被测...
【技术特征摘要】
1.一种电力二次设备抗内存异常能力的评估方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置之前，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，使被测装置的内存异常，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采集被测装置的返回信息，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述被测装置的内存异常反转形式包括单粒子反转、单粒子瞬态和多位翻转；所述被测装置的内存异常存储类型包括非易失性存储器和随机存取存储器；并且，该方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据返回信息对被测装置的抗内存异常能力进行评估，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，包括：
8.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：张逸帆，张晓莉，李伟，杭天琦，刘海涛，杨飞，施文，李小宗，韩强，王中玉，赫嘉楠，栗磊，牛健，吴建云，
申请(专利权)人：中国电力科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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