【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力二次设备评估，并且更具体地，涉及一种电力二次设备抗内存异常能力的评估方法及装置。
技术介绍
1、随着半导体工艺向纳米技术进化，器件尺寸快速缩小，内存单元中的电容也越来越小，引起错误所需要的电荷也会随之降低，使内存单元很容易发生单粒子翻转。单粒子翻转错误存在于半导体行业中，会损坏所存储的数据或所涉及电路的状态(将“1”数据状态翻转为“0”数据状态，或相反)，引起继电保护设备误动，导致严重的电网事故。
2、目前国内外主要从模拟计算、辐射源模拟实验和飞行实验3个方面深入研究单粒子效应的发生机理、规律，测试各种星载电子元器件和集成电路的辐射敏感参数，评价其抗单粒子效应的水平和故障风险，从而为器件选型和抗辐射加固措施提供依据。模拟计算是通过构建物理模型、仿真计算得到目标位置的辐射剂量，预测可能的辐射损伤，这涉及到物理模型的构建和仿真计算两部分。辐射源模拟实验是通过建立简化的实验室环境来模拟实际的空间辐射环境，获得辐射参数与器件受损之间的准确关系。辐射源模拟实验可以分为辐射环境设置(辐射源选取、实验标准)、器件受损参数测定和后续数据分析3个环节。常见辐射源包括脉冲激光、高能离子源(锎、镅、锶等)、中子模拟源、质子直线加速器和重离子加速器等，这些辐射源的实验成本和实验复杂度大致呈递增趋势。飞行实验是通过测量实际空间辐射环境下星载电子设备发生单粒子效应的几率，分析单粒子效应的发生规律、影响因素和电子设备真实的抗单粒子效应水平，从而为星载电子设备的抗单粒子效应设计提供可靠支持。到目前为止，美英等国已经开展了大量的单粒
3、为了更好地研究单粒子效应对继电保护装置性能的影响，提升继电保护装置抗单粒子效应干扰的能力，需要设计一套单粒子效应的检测系统。而直接模拟单粒子激光轰击装置成本高且操作性不强。因此，亟需一种成本低、操作简易、准确的电力二次设备抗内存异常能力的检测方案。
技术实现思路
1、为了解决现有技术的问题，本专利技术提供一种电力二次设备抗内存异常能力的评估方法及装置。
2、根据本专利技术的一个方面，提供了一种电力二次设备抗内存异常能力的评估方法，包括：
3、根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，使被测装置的内存异常；其中，被测装置为电力二次设备；
4、采集被测装置的返回信息，其中返回信息包括告警报文、闭锁保护时间、告警硬接点输出情况以及当前测试的存储单元地址；
5、根据返回信息对被测装置的抗内存异常能力进行评估。
6、可选地，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置之前，该方法还包括：
7、设置异常模拟存储位置、故障参数、故障注入持续时间和故障注入等待时间；
8、根据异常模拟存储位置，设置被测装置的测试方式，在异常模拟存储位置设置监测点。
9、可选地，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，使被测装置的内存异常，包括：
10、判断是否达到故障注入等待时间；
11、在达到故障注入等待时间后，根据预设的故障参数和测试方式，按照故障注入持续时间将对应类型的故障数据注入被测装置，使被测装置的内存异常。
12、可选地，所述采集被测装置的返回信息，包括：
13、通过监测点判断当前测试进度是否达到异常模拟存储位置；
14、在当前测试进度达到异常模拟存储位置时，通过监测点采集被测装置的返回信息。
15、可选地，所述被测装置的内存异常反转形式包括单粒子反转、单粒子瞬态和多位翻转；所述被测装置的内存异常存储类型包括非易失性存储器和随机存取存储器；并且，该方法还包括：
16、根据非易失性存储器和随机存取存储器的用途，确定被测装置的各存储单元的抗单粒子效应敏感性；
17、根据各存储单元的抗单粒子效应敏感性，设置被测装置的测试方式，其中测试方式包括单比特瞬变、单位反转与多位反转结合的方式，单位反转的方式。
18、可选地，所述根据返回信息对被测装置的抗内存异常能力进行评估，包括：
19、根据返回信息，检查被测装置对内存数据是否具备监视和校验功能；
20、根据返回信息，检查被测装置是否具备内存软错误的防控措施；
21、根据返回信息，检查被测装置在监视到内存数据异常时是否记录异常、在异常期间是否闭锁保护以及异常消失后是否自动恢复正常；
22、根据检查的结果，确定被测装置的抗内存异常能力。
23、可选地，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，包括：
24、将被测装置放置于检修压板上，通过调试软件连接被测装置的前面板；
25、根据预设的测试方式，分别模拟被测装置在启动、运行以及动作三类工况下，访问对应的存储单元；
26、根据预设的故障参数，从故障数据库中获取对应类型的故障数据；
27、将获取的故障数据注入被测装置，模拟存储单元中的数据发生对应类型的内存异常反转情况，其中，内存异常反转情况的类型包括单粒子反转、单粒子瞬态和多位翻转。
28、根据本专利技术的又一个方面，提供了一种电力二次设备抗内存异常能力的评估装置，包括：
29、故障数据注入模块，用于根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，使被测装置的内存异常；其中，被测装置为电力二次设备；
30、信息采集模块，用于采集被测装置的返回信息，其中返回信息包括告警报文、闭锁保护时间、告警硬接点输出情况以及当前测试的存储单元地址；
31、评估模块，用于根据返回信息对被测装置的抗内存异常能力进行评估。
32、可选地，该装置还包括设置模块，用于：
33、设置异常模拟存储位置、故障参数、故障注入持续时间和故障注入等待时间；
34、根据异常模拟存储位置，设置被测装置的测试方式，在异常模拟存储位置设置监测点。
35、可选地，所述故障数据注入模块，具体用于：
36、判断是否达到故障注入等待时间；
37、在达到故障注入等待时间后，根据预设的故障参数和测试方式，按照故障注入持续时间将对应类型的故障数据注入被测装置，使被测装置的内存异常。
38、可选地，所述信息采集模块，具体用于：
39、通过监测点判断当前测试进度是否达到异常模拟存储位置；
40、在当前测试进度达到异常模拟存储位置时，通过监测点采集被测装置的返回信息。
41、可选地，所述被测装置的内存异常反转形式包括单粒子反转、单粒子瞬态和多位翻转；所述被测装置的内存异常存储类型包括非易失性存储器和随本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电力二次设备抗内存异常能力的评估方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置之前，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，使被测装置的内存异常，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采集被测装置的返回信息，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述被测装置的内存异常反转形式包括单粒子反转、单粒子瞬态和多位翻转；所述被测装置的内存异常存储类型包括非易失性存储器和随机存取存储器；并且，该方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据返回信息对被测装置的抗内存异常能力进行评估，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，包括：
8.一种电力二次设备抗内存异常能力的评估装置，其特征在于，包括：
9.根
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述故障数据注入模块，具体用于：
11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述信息采集模块，具体用于：
12.根据权利要求8所述的评估装置，其特征在于，所述被测装置的内存异常反转形式包括单粒子反转、单粒子瞬态和多位翻转；所述被测装置的内存异常存储类型包括非易失性存储器和随机存取存储器；并且，该评估装置还包括：
13.根据权利要求8所述的评估装置，其特征在于，所述评估模块，具体用于：
14.根据权利要求8所述的评估装置，其特征在于，所述内存异常模拟模块，具体用于：
15.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序用于执行上述权利要求1-7任一所述的方法。
16.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电力二次设备抗内存异常能力的评估方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置之前，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，使被测装置的内存异常，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采集被测装置的返回信息，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述被测装置的内存异常反转形式包括单粒子反转、单粒子瞬态和多位翻转；所述被测装置的内存异常存储类型包括非易失性存储器和随机存取存储器；并且，该方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据返回信息对被测装置的抗内存异常能力进行评估，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的故障参数和测试方式，将对应类型的故障数据注入被测装置，包括：
8.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：张逸帆，张晓莉，李伟，杭天琦，刘海涛，杨飞，施文，李小宗，韩强，王中玉，赫嘉楠，栗磊，牛健，吴建云，
申请(专利权)人：中国电力科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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