【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。
技术介绍
1、闪存是非易失性计算机存储介质，可以通过电子方式重新编程和删除。闪存通常包括存储器单元阵列，存储器单元阵列存储表示数据位的电荷。
2、闪存与其他类型的存储器相比具有许多优点。例如，金属氧化物氮氧化硅(monos)闪存提供高速编程和删除、具有良好的耐久性和保存性、使用面积相对较小并具有高密度。因此，闪存被用于各种应用，例如汽车应用。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例，提供了一种非易失性存储器，包括：衬底；第一栅极，位于所述衬底上；第二栅极，位于所述衬底上；栅极介电层，位于所述第一栅极和所述第二栅极之间；以及保护盖，位于所述栅极介电层上并且位于所述第一栅极和所述第二栅极之间。
2、根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底；以及存储器，包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一个包括：源极区，位于所述衬底中；漏极区，位于所述衬底中；存储器栅极，位于所述衬底上并且位于所述源极区和所述漏极区之间；选择栅极，位于所述衬底上并且位于所述源极区和所述漏极区之间；介电层，位于所述存储器栅极和所述选择栅极之间；以及保护盖，位于所述介电层上并且位于所述存储器栅极和所述选择栅极之间。
3、根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一导电层；在所述衬底上形成介电层；在所述介电层上形成第二导电层；通过去除所述介电
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种非易失性存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述保护盖由介电材料制成。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述介电层是氧化物-氮化物-氧化物层。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述多个子层包括第一氧化物层、第二氧化物层以及夹在所述第一氧化物层和所述第二氧化物层之间的氮化物层。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，还包括：
6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中，所述第一接触层和所述第二接触层包括硅化镍。
7.根据权利要求5所述的非易失性存储器，还包括：
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器，还包括：
9.一种半导体器件，包括：
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述保护盖由介电材料制成。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述介电层是氧化物-氮化物-氧化物层。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述多个子层包括第一氧化物层、第二氧化物层以及夹在所述第一氧化物层和所述第二氧化物层之间的氮化物层。
【专利技术属性】
技术研发人员：陈胜捷，刘铭棋，刘世昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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