包含酰胺溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的式(1)(式(1)中的R1、R2和R3各自表示氢原子、可以被氧原子、硫原子或酰胺键中断的碳原子数1～20的烷基，R1、R2和R3彼此可以相同也可以不同，可以彼此结合而形成环结构。)所示的化合物。将该组合物在可以具有高低差的半导体基板上进行涂布、烧成而形成抗蚀剂下层膜，在该抗蚀剂下层膜上任意选择地经由无机抗蚀剂下层膜而形成抗蚀剂膜，通过光或电子射线的照射与显影来形成抗蚀剂图案，按照抗蚀剂图案对下层膜等进行蚀刻，按照被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工来制造半导体装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及兼具高蚀刻耐性、高耐热性和良好的涂布性的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、近年来，作为抗蚀剂下层膜的特性，强烈要求高蚀刻耐性、高耐热性，报导了由包含苯基萘胺酚醛清漆树脂的多层光刻工艺用抗蚀剂下层膜材料(专利文献1)制造的下层膜、由包含含有下述单元结构的聚合物的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物(专利文献2)制造的下层膜具有能够在其上通过蒸镀而形成硬掩模的耐热性，也兼具作为防反射膜的效果，所述单元结构是包含亚芳基或杂环基的单元结构。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：wo2013/047516

5、专利文献2：wo2012/050064

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、从生产性、经济性的观点考虑，也期望使用旋转涂布机将抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上进行涂布、成膜。然而，对于这样的涂布型抗蚀剂下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的式(1)所示的化合物，

2.根据权利要求1所述的组合物，相对于组合物整体的重量，其包含5重量％以上且30重量％以下的所述溶剂。

3.根据权利要求1所述的组合物，其能够通过孔径0.1μm的微型过滤器。

4.根据权利要求1所述的组合物，所述式(2)中的A为由碳原子数6～40的芳基胺化合物衍生的二价基。

5.根据权利要求1所述的组合物，所述式(3)中的R6由式(4)表示，

6.根据权利要求1所述的组合物，所述由双马来酰亚胺化合物衍生的聚合物包含下述式(5)所示的单元结构，...

【技术特征摘要】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的式(1)所示的化合物，

2.根据权利要求1所述的组合物，相对于组合物整体的重量，其包含5重量％以上且30重量％以下的所述溶剂。

3.根据权利要求1所述的组合物，其能够通过孔径0.1μm的微型过滤器。

4.根据权利要求1所述的组合物，所述式(2)中的a为由碳原子数6～40的芳基胺化合物衍生的二价基。

5.根据权利要求1所述的组合物，所述式(3)中的r6由式(4)表示，

6.根据权利要求1所述的组合物，所述由双马来酰亚胺化合物衍生的聚合物包含下述式(5)所示的单元结构，

7.根据权利要求1所述的组合物，其还包含交联剂。

8.根据权利要求1所述的组合物，其还包含酸和/或产酸剂。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的组合物，其用于制造无机抗蚀剂下层膜的下层膜。

10.一种抗蚀剂下层膜的制造方法，其包含下述工序：将权利要求1～8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上，进行烧成的工序。

11.根据权利要求10所述的抗蚀剂下层膜的制造方法，半导体基板具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分，涂布在该具有高低差的部分与不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差即疏-密偏差为3～50nm。

12.一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：由权利要求1～8中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子射线的照射与显影来形成抗蚀剂图案的工序；按照抗蚀剂图案对该下层膜进行蚀刻的工序；以及按照被...

【专利技术属性】
技术研发人员：德永光，滨田聪志，桥本圭祐，坂本力丸，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：