用于带电粒子工具的带通带电粒子能量过滤检测器制造技术

技术编号:40415910 阅读:25 留言:0更新日期:2024-02-20 22:33
提供用于检测来自样品的带电粒子的方法及系统。一种系统包含:第一排斥网,其经配置以排斥来自样品的具有低于第一预定能量的能量的带电粒子;及第二排斥网,其经配置以排斥通过所述第一排斥网且具有低于第二预定能量的能量的所述带电粒子。所述系统还包含第一吸引网,其经配置以吸引通过所述第一排斥网、被所述第二排斥网排斥及具有高于所述第一预定能量且低于所述第二预定能量的能量的所述带电粒子。所述系统进一步包含第一检测器,其经配置以响应于通过所述第一吸引网的所述带电粒子而产生输出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术大体上涉及用于检测来自样品的带电粒子的方法及系统。某些实施例涉及一种用于带电粒子工具的带通带电粒子能量过滤检测器


技术介绍

1、以下描述及实例不凭借其包含于此章节中而被认为是现有技术。

2、制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用大量半导体制造过程处理例如半导体晶片的衬底以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如,光刻是涉及将图案从倍缩光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造过程。半导体制造过程的额外实例包含但不限于化学机械抛光(cmp)、蚀刻、沉积及离子植入。可在单个半导体晶片上的布置中制造多个半导体装置且接着将其分离为个别半导体装置。

3、在半导体制造过程期间的各种步骤使用检验过程来检测晶片及其它衬底上的缺陷以促进制造过程中的更高良率及因此更高利润。检验始终是制造半导体装置(例如ic)的重要部分。然而,随着半导体装置的尺寸减小,检验对于成功制造可接受半导体装置变得更为重要,这是因为较小缺陷可导致装置故障。

4、缺陷检视通常涉及重新检测通过检验过程检测为如此的缺陷且使用高放大率光学系统或本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种经配置以检测来自样品的带电粒子的系统,其包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一排斥网、所述第二排斥网及所述第一吸引网形成三角形能带腔。

3.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一排斥网、所述第二排斥网及所述第一吸引网形成方形能带腔的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一排斥网、所述第二排斥网、所述第一吸引网及电极框形成方形能带腔,且其中所述第二排斥网及所述电极框具有相同电位。

5.根据权利要求1所述的系统,其进一步包括第二检测器,所述第二检测器经配置以检测通过所述第二排斥网的所述带电粒子。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种经配置以检测来自样品的带电粒子的系统,其包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一排斥网、所述第二排斥网及所述第一吸引网形成三角形能带腔。

3.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一排斥网、所述第二排斥网及所述第一吸引网形成方形能带腔的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一排斥网、所述第二排斥网、所述第一吸引网及电极框形成方形能带腔,且其中所述第二排斥网及所述电极框具有相同电位。

5.根据权利要求1所述的系统,其进一步包括第二检测器,所述第二检测器经配置以检测通过所述第二排斥网的所述带电粒子。

6.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一检测器经接地。

7.根据权利要求1所述的系统,其中用正电压加偏压于所述第一检测器。

8.根据权利要求1所述的系统,其中用可调谐的电压加偏压于所述第一检测器。

9.根据权利要求1所述的系统,其中用电压加偏压于所述第一检测器,且其中所述第一吸引网屏蔽所述第一排斥网、所述第二排斥网及所述第一吸引网之间的空间使其免受来自所述检测器的电场的影响。

10.根据权利要求1所述的系统,其进一步包括偏转器,所述偏转器经配置以在来自所述样品的所述带电粒子到达所述第一排斥网之前更改所述带电粒子的所述路径的位置。

11.根据权利要求10所述的系统,其进一步包括聚焦透镜,所述聚焦透镜经配置以聚焦来自所述偏转器的所述带电粒子且准直具有高于所述第一预定能量且低于所述第二预定能量的能量的所述带电粒子以通过所述第一排斥网。

12.根据权利要求11所述的系统,其进一步包括围绕所述聚焦透镜与所述第一排斥网之间的所述带电粒子的所述路径的差分电位电极。

13.根据权利要求12所述的系统,其中所述差分电位电极经配置用于减少所述聚焦透镜与所述第一排斥网之间的透镜场的形成。

14.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一与第二预定能量之间的能带等于0ev到50ev的能带。

15.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一与第二预定能量之间的能带等于em到100ev的能带,且其中em是来自所述样品的最大发射带电粒子能量。

16.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一与第二预定能量之间的能带等于50ev到em的能带,且其中em是来自所述样品的最大发射带电粒子能量。

17.根据权利要求1所述的系统,其中基于由所述第一检测器产生的所述输出,基于待在所述样品上检测的缺陷类型来选择所述第一及第二预定能量。

18.根据权利要求1所述的系统,其中基于待从所述样品检测的所述带电粒子的类型来选择所述第一及第二预定能量。

19.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一与第二预定能量之间的能带仅对应于来自所述样品的次级带电粒子的能量,且其中所述系统进一步包括计算机子系统,所述计算机子系统经配置以基于由所述第一检测器产生的所述输出来检测所述样品上的表面或电压对比度缺陷。

20.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一与第二预定能量之间的能带仅对应于来自所述样品的弹性反向散射带电粒子的能量,且其中所述系统进一步包括计算机子系统,所述计算机子系统经配置以基于由所述第一检测器产生的所述输出来检测所述样品上的高深宽比或材料对比度缺陷。

21.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一与第二预定能量之间的能带仅对应于来自所述样品的非弹性反向散射带电粒子的能量,且其中所述系统进一步包括计算机子系统,所述计算机子系统经配置以基于由所述第一检测器产生的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒋友飞M·施泰格瓦尔德
申请(专利权)人:科磊股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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