【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及在对半导体基板等晶片进行加工的等离子蚀刻处理装置中在短时间内减少成为产品晶片的成品率降低的原因的处理室内的异物的技术，特别地，目的在于，提供预先减少在等离子蚀刻装置的维护后产生的异物来在短时间内实现能产品开工的状态的等离子处理方法。
技术介绍
1、在加工半导体的等离子蚀刻装置中，关于成为半导体器件的成品率降低的原因的异物的管理粒径缩小化和其容许数，每年都在增加严苛度。由于异物导致的成品率的降低会给半导体器件制造商的收益严重带来影响，因此，在等离子蚀刻装置的制造商中，强烈谋求高成品率且高运转率的等离子蚀刻装置的设计以及制造。
2、到目前为止，为了实现低异物化，在硬件方面以及工艺方面这两方面进行各种努力。在工艺方面，是针对蚀刻处理的副反应生成物的清洁技术开发，在硬件方面，是处理室构件的开发、部件清洗技术的适应性化、处理室构造的适应性化、处理室内更换部件范围的适应性化等。并且，这些技术开发、最优化日新月异地推进。虽然进行了这些开发努力，但一般来说，在半导体器件的量产处理中的等离子蚀刻处理中，随着产品处理片数(半导体晶片的处理片数)的增加，起因于等离子蚀刻装置中所用的构件的劣化、产品处理(半导体晶片的处理)的副反应生成物等，异物以及加工再现性的性能降低。因此，有时不再能继续进行量产处理。
3、针对这样的问题，等离子蚀刻装置通过伴随零件更换的定期的维护作业来使异物以及加工再现性的性能恢复。在维护作业后，持续抽真空直至真空泄漏进入规定值内，之后，实施驱使等离子工艺等的复原处理，在使异物数降低后进行产品开工。
4、因此，在复原处理中，除了在整备处理室的内壁的表面状态的陈化的意义上实施以外，还需要着眼于降低这些潜在的异物源来进行产品开工。此外，复原处理由于无助于产品处理，因此，是运转率降低的原因之一。因此，作为使维护后的异物数(称作初始异物数)迅速降低到设定基准(设为设定基准的异物数)以下的技术，公开者们考虑谋求还着眼于与晶片输送、晶片处理相关的可动部的新的技术。
5、作为以异物减少为目的的典型的现有技术，示出在即将进行产品晶片的蚀刻前进行气体排出来减少去往产品晶片的异物的技术(专利文献1)。此外，作为减少工艺加工变动的技术，示出按产品晶片的每个处理在处理壁形成涂层膜的技术(专利文献2)。
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：jp特开2006-210461号公报
9、专利文献2：美国专利第7767584号说明书
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、关于成为半导体器件的成品率的原因的异物的管理粒径的缩小化和其容许数，每年都在增加严苛度，为了使维护后的异物数(称作初始异物数)迅速降低到设定基准以下，需要充分降低起因于与晶片输送、晶片处理相关的可动部的潜在的异物源。作为该可动部的动作的一例，是推动销的上下机构的上下动作、用于晶片输送的出入口阀的开闭动作、气体导入部的电磁阀的开闭动作、排气阀的开闭动作等。对于这样产生的异物，凭借现有的复原处理，变得难以满足今后的非常严格的异物的管理基准。
3、本公开着眼于这些问题点，目的在于，提供能减少在等离子处理装置的维护后产生的异物来实现能产品开工的状态的等离子处理。其他课题和新的特征会从本说明书的记述以及附图得以明确。
4、用于解决课题的手段
5、若简单说明本公开当中的代表性的方案概要，则如下述那样。一实施方式所涉及的等离子处理方法对样品进行等离子处理，在对所述样品进行等离子处理的处理室的维护后，具有：扫出工序，扫出异物；沉积工序，在所述扫出工序后，使沉积膜沉积于所述处理室内；第1除去工序，在所述沉积工序后，除去所述沉积膜；第2除去工序，在所述第1除去工序后，除去所述处理室内的氟；和等离子处理工序，对载置于样品台的所述样品进行等离子处理，在所述等离子处理工序前，将所述扫出工序、所述沉积工序、所述第1除去工序和所述第2除去工序重复2次以上。
6、专利技术的效果
7、根据上述一实施方式所涉及的等离子处理方法，重复以下操作：在扫出工序中通过种种机械动作来扫出异物，通过之后的沉积工序、第1除去工序、第2除去工序将通过扫出工序而扫出的异物迅速除去。由此，能使等离子处理装置在短时间内实现能产品开工的状态。进而，除此以外，能预先减少在产品开工后产生的潜在的异物源，能稳定地持续等离子蚀刻的量产处理。
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1.一种等离子处理方法，对样品进行等离子处理，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
4.一种等离子处理方法，对样品进行等离子处理，其特征在于，具有：
5.一种等离子处理方法，对样品进行等离子处理，其特征在于，具有：
6.根据权利要求1、4或5所述的等离子处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的等离子处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求1、4或5所述的等离子处理方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种等离子处理方法，对样品进行等离子处理，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
4.一种等离子处理方法，对样品进行等离子处理，其特征在于，具有：
【专利技术属性】
技术研发人员：广田侯然，角屋诚浩，江崎隆，阿尼尔·潘迪，守屋勇辉，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：
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