钙钛矿发光晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种钙钛矿发光晶体管及其制备方法，属于电致发光技术领域。本发明专利技术的钙钛矿发光晶体管包括：栅极、介电层、沟道层，电子传输层，修饰层，钙钛矿发光层，空穴传输层以及源电极、漏电极；其中，所述栅极,所述介电层层叠设置，所述沟道层和所述电子传输层为同一层无机氧化物薄膜,设置在介电层上方，所述修饰层，发光层，空穴传输层层设置在沟道层和电子传输层上方，所述源极和漏极分别设置在空穴传输层两边。本发明专利技术将沟道层与电子传输层合为同一种无机氧化物薄膜，简化了器件结构和制备工艺，同时，引入了一种聚乙烯吡咯烷酮聚合物作为修饰层，修饰后的器件，实现了均匀的绿光面发射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电致发光，具体涉及一种钙钛矿发光晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、公开号为cn116390517b的专利技术专利公开了一种钙钛矿发光晶体管，这类发光晶体管的工作是在栅极电压的辅助下，在沟道层感生出空穴沟道，源电极注入空穴后，通过沟道和空穴传输层注入到钙钛矿发光层内部，与漏电极经过电子传输层注入到钙钛矿发光层的电子复合发光。但是此类晶体管需要先沉积沟道层，再沉积源电极，再依次沉积空穴层，发光层，电子层和漏电极，制作工艺复杂，而且，沟道层和空穴层分别沉积，分别起沟道功能和空穴传输功能，器件结构复杂。公开号为10.1002/aelm.201800985的文献也公开了一种钙钛矿发光晶体管，硅衬底，氧化锌和氧化铟电子传输层，peie修饰层，钙钛矿发光层，源电极，漏电极和电极修饰层。在这种结构下，源极注入的电子通过氧化铟电子层(peie的作用是修饰功函，改善结晶)，注入到钙钛矿内，与由金电极注入的空穴复合发光，但是此类技术需要先沉积源电极，再制备钙钛矿薄膜，再沉积漏电极，制备工艺复杂；而且，此类器件的发光层主体对水氧极其敏感，需要封装测试或者在惰性气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿发光晶体管，其特征在于，包括：栅极、介电层、沟道层、电子传输层，修饰层，钙钛矿发光层，空穴传输层以及源电极、漏电极；其中，所述栅极、所述介电层自下而上层叠设置，所述沟道层和所述电子传输层为同一层无机氧化物薄膜,沉积在介电层上方，所述修饰层，发光层，空穴传输层层设置在沟道层和电子传输层上方，所述源极和漏极分别设置在空穴传输层两侧，所述修饰层为聚乙烯吡咯烷酮聚合物。

2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿发光晶体管，其特征在于，所述栅极是掺杂硅基板，掺杂的方式为N型掺杂或P型掺杂中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿发光晶体管，其特征在于，所述介电层...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿发光晶体管，其特征在于，包括：栅极、介电层、沟道层、电子传输层，修饰层，钙钛矿发光层，空穴传输层以及源电极、漏电极；其中，所述栅极、所述介电层自下而上层叠设置，所述沟道层和所述电子传输层为同一层无机氧化物薄膜,沉积在介电层上方，所述修饰层，发光层，空穴传输层层设置在沟道层和电子传输层上方，所述源极和漏极分别设置在空穴传输层两侧，所述修饰层为聚乙烯吡咯烷酮聚合物。

2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿发光晶体管，其特征在于，所述栅极是掺杂硅基板，掺杂的方式为n型掺杂或p型掺杂中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿发光晶体管，其特征在于，所述介电层为具有介电特性的氧化物，所述介电层的耐热温度大于等于500摄氏度，所述氧化物是二氧化硅，氧化铪，五氧化二钽中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种钙钛矿发光晶体管，其特征在于，所述同一层无机氧化物薄膜的材料为氧化锌，氧化锌锡，氧化铟，氮氧化锌的一种。

5.根据权利要求1所述的一种钙钛矿发光晶体管，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星宇，李嘉，郭敏，胡煜峰，滕枫，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：