【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子装置，以及一种微半导体结构共晶接合的电子装置及其制造方法。
技术介绍
1、传统发光二极管(边长大于150微米以上)在制造光电装置的过程中，是以磊晶(epitaxy)、黄光、镀金属、蚀刻等工艺制作发光二极管之后，经切割得到一颗一颗的发光二极管晶粒，并利用引线接合或共晶接合使发光二极管的电极与电路衬底电连接。但是，对于微发光二极管而言，由于尺寸相当小(例如只有25微米或更小)，无法以传统的引线接合或共晶接合的设备进行电极的电连接。
2、因此，对微米尺寸或更小的微发光二极管或微半导体结构进行电连接，业界亟需有对应的方式。
技术实现思路
1、本专利技术为提供一种电子装置及其制造方法，可广泛应用于不同微半导体结构的电子装置。
2、本专利技术为提供一种电子装置及其制造方法，可解决因微米尺寸或更小的微半导体结构的电连接需求。
3、本专利技术提供一种电子装置包括：目标衬底、阵列式微半导体结构、阵列式接合件、以及接合层。阵列式微半导体结构设在目标衬底。阵列式接合件对应阵列式微半导体结构、且电连接阵列式微半导体结构至目标衬底的图样电路；两两接合件彼此独立；各该接合件为由设在该目标衬底的导电垫片、与设在各该微半导体结构的导电电极通过共晶键合的一体性构件；各该接合件定义有连接各该微半导体结构的第一端、连接该目标衬底的第二端、以及连接该第一端、第二端的周部。接合层连接各微半导体结构至目标衬底；其中，该接合层为非导电材料；各该接合件的该周部恰由该接合层
4、在一个实施例中，各该接合件为铟金合金系统的共晶键合。
5、在一个实施例中，各该接合件为铟镍合金系统的共晶键合。
6、在一个实施例中，该接合层的该高分子材料包括环氧树脂系、或压克力系。
7、在一个实施例中，该接合层的该高分子材料的固化温度为170-220℃。
8、在一个实施例中，该接合层的该高分子材料的玻璃转移温度大于240℃。
9、本专利技术提供一种电子装置的制造方法，包括：在具有导电垫片的目标衬底上涂覆高分子材料至预备厚度；由涂覆在该目标衬底上的该高分子材料拾取具有导电电极的阵列式微半导体结构；以及，共晶接合互相对应的该导电电极与该导电垫片。
10、其中，该导电垫片包括第一金属，该高分子材料为不具有导电粒子的非导电材料；其中，该高分子材料定义黏滞度-温度变化特征：在第一温度具有第一黏滞性，在第二温度具有第二黏滞性，在第三温度具有第三黏滞性，在第四温度具有第四黏滞性，在第五温度具有第五黏滞性；其中，该第一温度至第五温度为有序递增，该第一温度为常温、该第五温度为玻璃转移温度；该第三黏滞性、第五黏滞性分别为极限值，该第三黏滞性为极小值、该第五黏滞性为极大值；该第二黏滞性邻近该第三黏滞性。
11、其中，包括第二金属的该导电电极设在各该微半导体结构上，设在各该微半导体结构的该导电电极对应至设在该目标衬底的该导电垫片；其中，该第一金属、第二金属之间定义有共晶温度，该共晶温度介于该第三温度、第四温度之间。
12、其中，包括对这些阵列式微半导体结构、该高分子材料、与该目标衬底，由该第一温度开始增温至该第四温度，并依序执行下列步骤：
13、在该第二温度开始，使这些阵列式微半导体结构与该目标衬底以第一压力彼此迫近：对这些阵列式微半导体结构或/和该目标衬底施压该第一压力；以及
14、在该共晶温度开始，使这些阵列式微半导体结构与该目标衬底以第二压力彼此迫紧：对这些阵列式微半导体结构或/和该目标衬底施压该第二压力，使具有该第一金属的该导电垫片与具有该第二金属的该导电电极互熔并通过迫紧产生共晶键结。
15、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该第二温度相对该第三温度低10℃。
16、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该第四温度相对该第三温度高90-100℃。
17、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该第四温度相对该共晶温度高10-40℃。
18、在一个实施例中，该第一金属、第二金属互为铟、金。
19、在一个实施例中，该第一金属、第二金属互为铟、镍。
20、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该共晶温度为160℃。
21、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该高分子材料包括环氧树脂系、或压克力系。
22、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该第五温度(玻璃转移温度)大于240℃。
23、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该预备厚度为2-7μm。
24、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该第二温度为70-110℃。
25、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该第二温度为90℃。
26、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该第三温度为80-120℃。
27、在一个实施例中，在该目标衬底上涂覆该高分子材料至该预备厚度的步骤中：该第四温度为170-220℃。
28、在一个实施例中，共晶接合的步骤中：该第一压力介于1-10mpa之间，并持续2-40秒。
29、在一个实施例中，共晶接合的步骤中：该第二压力为0.5mpa与50mpa之间，并持续5-60秒。
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1.一种电子装置，所述电子装置包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述导电垫片和所述导电电极在通过施压装置对所述微半导体结构施压时彼此共晶键合，并且其中，所述施压装置的尺寸小于所述目标衬底的尺寸。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述施压装置的尺寸小于所述接合层的尺寸。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，每个所述接合件是通过铟金合金系统的共晶键合形成的。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，每个所述接合件是通过铟镍合金系统的共晶键合形成的。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合层的高分子材料包括环氧树脂材料或亚克力材料。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合层的高分子材料具有170℃-220℃的固化温度。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合层的高分子材料具有大于240℃的玻璃转移温度。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中，每个所述接合件包括连接至所述对应的微半导体结构的第一端、连接至所述目标衬底的第二端、以及连接至
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述目标衬底的材料包括聚合物、塑料、树脂、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸伸乙基酯、金属、金属箔、玻璃、石英、玻璃纤维、可挠性玻璃、半导体、蓝宝石、金属-玻璃纤维复合板或金属-陶瓷复合板。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述导电垫片的一个单位包括一对导电垫片，并且所述微半导体结构是双电极结构。
12.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述微半导体结构的尺寸是25微米或更小。
13.根据权利要求1所述的电子装置，所述电子装置还包括：
14.一种电子装置的制造方法，所述电子装置的制造方法包括以下步骤：
15.根据权利要求14所述的电子装置的制造方法，其中，所述高分子材料不导电。
16.根据权利要求14所述的电子装置的制造方法，其中，所述高分子材料定义有黏滞度-温度变化特征，其中，所述高分子材料在第一温度具有第一黏滞性，在第二温度具有第二黏滞性，在第三温度具有第三黏滞性，在第四温度具有第四黏滞性，并且在第五温度具有第五黏滞性，其中，所述第一温度至所述第五温度依次增加，其中，所述第一温度为常温，并且所述第五温度为玻璃转移温度，其中，所述第三黏滞性和所述第五黏滞性是极限值，其中，所述第三黏滞性为极小值并且所述第五黏滞性为极大值，并且其中，所述第二黏滞性邻近所述第三黏滞性。
17.根据权利要求16所述的电子装置的制造方法，其中，所述第一金属和所述第二金属具有共晶温度，并且所述共晶温度介于所述第三温度和所述第四温度之间。
18.根据权利要求17所述的电子装置的制造方法，所述电子装置的制造方法还包括以下步骤：
19.根据权利要求16所述的电子装置的制造方法，其中，在所述目标衬底上涂覆所述高分子材料至所述预备厚度的步骤中，所述第二温度相对所述第三温度低10℃。
20.根据权利要求16所述的电子装置的制造方法，其中，在所述目标衬底上涂覆所述高分子材料至所述预备厚度的步骤中，所述第四温度相对所述第三温度高90℃-100℃。
21.根据权利要求17所述的电子装置的制造方法，其中，在所述目标衬底上涂覆所述高分子材料至所述预备厚度的步骤中，所述第四温度相对所述共晶温度高10℃-40℃。
22.根据权利要求14所述的电子装置的制造方法，其中，所述第一金属和所述第二金属互为铟和金。
23.根据权利要求22所述的电子装置的制造方法，其中，铟金比为2：1。
24.根据权利要求14所述的电子装置的制造方法，其中，所述第一金属和所述第二金属互为铟和镍。
25.根据权利要求17所述的电子装置的制造方法，其中，在所述目标衬底上涂覆所述高分子材料至所述预备厚度的步骤中，所述共晶温度在150℃-160℃内。
26.根据权利要求25所述的电子装置的制造方法，其中，在所述目标衬底上涂覆所述高分子材料至所述预备厚度的步骤中，所述共晶温度为160℃。
27.根据权利要求14所述的电子装置的制造方法，其中，在所述目标衬底上涂覆所述高分子材料至所述预备厚度的步骤中，所述高分子材料包括环氧树脂材料或亚克力材料。
28.根据权利要求16所述的电子装置的制造方法，其中，在所述目标衬底上涂覆所述高分子材料至所述预备厚度的步骤中，所述第五温度大于240℃。
29.根据权利要求14所...
【技术特征摘要】
1.一种电子装置，所述电子装置包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述导电垫片和所述导电电极在通过施压装置对所述微半导体结构施压时彼此共晶键合，并且其中，所述施压装置的尺寸小于所述目标衬底的尺寸。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述施压装置的尺寸小于所述接合层的尺寸。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，每个所述接合件是通过铟金合金系统的共晶键合形成的。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，每个所述接合件是通过铟镍合金系统的共晶键合形成的。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合层的高分子材料包括环氧树脂材料或亚克力材料。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合层的高分子材料具有170℃-220℃的固化温度。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合层的高分子材料具有大于240℃的玻璃转移温度。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中，每个所述接合件包括连接至所述对应的微半导体结构的第一端、连接至所述目标衬底的第二端、以及连接至所述第一端和所述第二端的周部，并且
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述目标衬底的材料包括聚合物、塑料、树脂、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸伸乙基酯、金属、金属箔、玻璃、石英、玻璃纤维、可挠性玻璃、半导体、蓝宝石、金属-玻璃纤维复合板或金属-陶瓷复合板。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述导电垫片的一个单位包括一对导电垫片，并且所述微半导体结构是双电极结构。
12.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述微半导体结构的尺寸是25微米或更小。
13.根据权利要求1所述的电子装置，所述电子装置还包括：
14.一种电子装置的制造方法，所述电子装置的制造方法包括以下步骤：
15.根据权利要求14所述的电子装置的制造方法，其中，所述高分子材料不导电。
16.根据权利要求14所述的电子装置的制造方法，其中，所述高分子材料定义有黏滞度-温度变化特征，其中，所述高分子材料在第一温度具有第一黏滞性，在第二温度具有第二黏滞性，在第三温度具有第三黏滞性，在第四温度具有第四黏滞性，并且在第五温度具有第五黏滞性，其中，所述第一温度至所述第五温度依次增加，其中，所述第一温度为常温，并且所述第五温度为玻璃转移温度，其中，所述第三黏滞性和所述第五黏滞性是极限值，其中，所述第三黏滞性为极小值并且所述第五黏滞性为极大值，并且其中，所述第二黏滞性邻近所述第三黏滞性。
17.根据权利要求16所述的电子装置的制造方法，其中，所述第一金属和所述第二金属具有共晶温度，并且所述共晶温度介于所述第三温度和所述第四温度之间。
18.根据权利要求17所述的电子装置的制造方法，所述电子装置的制造方法还包括以下步骤：
19.根据权利要求16所述的电子装置的制造方法，其中，在所述目标衬底上涂覆所述高分子材料至所述预备厚度的步骤中，所述第二温度相对所述第三温度低10℃。
20.根据权利要求16所述的电子装置的制造方法，其中，在所述目标衬底上涂覆所述高分子材料至所述预备厚度的步骤中，所述第四温度相对所述第三温度高90℃-100℃。
21.根据权利要求17所述的电子装置的制造方法，其中，在所述目标衬底上涂覆所述高分子材料至所述预备厚度的步骤中，所述第四温度相对所述共晶温度高10℃-40℃。
22.根据权利要求14所述的电子装置的制造方法，其中，所述第一金属和所述第二金属互为铟和金。
23.根据权利要求22所述的电子装置...
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