一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法技术

本发明专利技术属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区域的硼源；对样品进行清洗以去除未固化区域的硼源，剩下的区域作为背接触的P+区；通过印刷的方式对P+区及其外周印扩散隔离材料覆盖；采用高温磷扩实现N+区的掺杂和P+区的硼元素激活，完成全背电极接触晶硅光伏电池的图案化制备。本发明专利技术采用硼源+印扩散隔离材料+磷扩的方式将P+区、N+区和Gap区制备在一个平面上，降低了电池金属化时印刷浆料的难度，降低了硅片的碎片率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法。

技术介绍

1、全背电极接触晶硅光伏电池(bc电池)是将pn结和金属接触都设于太阳电池背面。bc电池最大特点是正面无栅线，无光反射损失，产品外表美观。由于bc电池正面受光，背面收集光生电子，所以对硅片体寿命要求更高。n型硅片具有更高的体寿命，能够保证非平衡载流子在复合前到达背面pn结区域，因此大部分bc电池以n型硅片为衬底。目前，bc类结构分化出三大路线：1)经典ibc电池工艺，背表面采用扩散方式形成叉指状排列的p+发射极和n++背场bsf；2)hbc工艺，采用非晶硅钝化技术与ibc相结合；在ibc电池基础上，正面采用氢化非晶硅(a-si:h)作为前表面钝化层，背面依次沉积氢化非晶硅(a-si:h)背钝化层，以及钝化层上呈叉指状分布的p-a-si:h层和n-a-si:h层，分别作为发射极和背场bsf，同时两者间隙隔离。另外，hbc将透明导电膜沉积在发射极以及bsf上，作为电池的金属接触电极。3)tbc工艺，将钝化接触topcon技术与ibc相结合。在经典ibc本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法，其特征在于：包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法，其特征在于：步骤S1中，抛光样品的背表面的反射率＞40%。

3.根据权利要求1所述的一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法，其特征在于：步骤S2中，所述硼源为硼酸溶液、硼氢化钠溶液、三甲基硼溶液中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法，其特征在于：步骤S2中，利用激光实现局部烘干，同时打出用于定位的Mark点；控制激光为蓝光、绿光或者紫光，脉冲宽度为纳秒、皮秒或者飞秒。...

【技术特征摘要】

1.一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法，其特征在于：包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法，其特征在于：步骤s1中，抛光样品的背表面的反射率＞40%。

3.根据权利要求1所述的一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法，其特征在于：步骤s2中，所述硼源为硼酸溶液、硼氢化钠溶液、三甲基硼溶液中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法，其特征在于：步骤s2中，利用激光实现局部烘干，同时打出用于定位的mark点；控制激光为蓝光、绿光或者紫光，脉冲宽度为纳秒、皮秒或者飞秒。

5.根据权利要求1所述的一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法，其特征在于：步骤s3中，采用有机溶剂对样品进行清洗，有机溶剂为水、乙醇、丙酮...

【专利技术属性】
技术研发人员：李绿洲，丁建宁，王芹芹，温相丽，董旭，江瑶瑶，
申请(专利权)人：扬州大学，
类型：发明
国别省市：