【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于气敏材料,具体涉及风琴状mxene原位生成tio2纳米片复合zno纳米材料与高灵敏室温气体传感器制备和应用。采用湿法刻蚀前驱体ti3alc2粉末合成风琴状ti3c2tx纳米片,并通过退火使ti3c2tx纳米片表面原位生成tio2纳米粒子,使用水解法使得zno与纳米片复合,这种复合纳米粒子可作为气敏材料,用于室温检测低浓度的氨气气体。
技术介绍
1、随着大气污染问题的日益突出,环境中有害气体的识别与检测越来越受到重视。氨(nh3)是农业和化工生产中大多数形式释放的一种有害气体,对眼睛和呼吸道具有很强的腐蚀性,吸入高浓度氨可使肺表面活性物质组成异常,造成肺损伤,根据美国职业安全与健康管理局,人类接触nh3的可接受暴露限值为8小时工作日平均25ppm,任何15分钟期间35ppm。因此,开发具有优异nh3传感性能的高性能气体传感器具有重要意义。
2、到目前为止,半导体金属氧化物是研究最多的一类气敏材料,被广泛用于检测nh3、乙醇等有害气,然而半导体金属氧化物材料制备的气体传感器通常需要在高温度度下工作(在200到400
...【技术保护点】
1.本专利技术提供了上述Ti3C2Tx Mxene原位生成TiO2与ZnO复合气敏材料的制备方法,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的Ti3C2TxMxene原位生成TiO2与ZnO复合气敏材料的制备方法,其特征在于:所述步骤2中,马弗炉退火时空气气氛温度为400℃。
3.根据权利要求1所述的Ti3C2Tx Mxene原位生成TiO2与ZnO复合气敏材料的制备方法,其特征在于:所述步骤3中,加入原位生成TiO2纳米片与二水和乙酸锌质量比为25wt%。
4.根据权利要求1所述的Ti3C2Tx Mxene原位生成TiO2与ZnO复合
...【技术特征摘要】
1.本发明提供了上述ti3c2tx mxene原位生成tio2与zno复合气敏材料的制备方法,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的ti3c2txmxene原位生成tio2与zno复合气敏材料的制备方法,其特征在于:所述步骤2中,马弗炉退火时空气气氛温度为400℃。
3.根据权利要求1所述的ti3c2tx mxene原位生成tio2与zno复合气敏材料的制备方法,其特征在于:所述步骤3中...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁庆成,代钰涛,王淞,蒋大勇,赵曼,高尚,赵建勋,邵鑫,
申请(专利权)人:长春理工大学,
类型:发明
国别省市:
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