【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及显示装置。
技术介绍
1、显示装置可包括发光元件和封装层。封装层可通过密封发光元件来保护发光元件免受外部湿气和氧的影响。
2、封装层可包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。在这种情况下，当减小包括在封装层中的第一无机封装层的厚度和/或第二无机封装层的厚度以便减小显示装置的厚度时，封装层的密封性能(例如，保护发光元件免受外部湿气和氧的影响的能力)可能劣化。
技术实现思路
1、本公开的一方面是提供包括具有相对小的厚度和改善的密封性能的封装层的显示装置。
2、然而，本公开的各方面不限于上述方面，并且可在不背离本公开的思想和范围的情况下进行各种改变。
3、为了实现本公开的上述方面，根据本公开的一个实施方式，提供了显示装置，该显示装置包括发光元件；在发光元件上布置为覆盖发光元件并且包括第一封装层、布置在第一封装层上的等离子体处理层和布置在等离子体处理层上的第二封装层的第一无机封装层；布置在第一无机封装层上的有机封装层；以及布置在有机封装层上的第二无机封装层。
4、根据一个实施方式，等离子体处理层可包括经氢等离子体处理的硅氮氧化物。
5、根据一个实施方式，等离子体处理层的厚度可大于或等于约10埃且小于或等于约50埃。
6、根据一个实施方式，等离子体处理层的折射率和与等离子体处理层相邻的第一封装层的折射率之间的差可小于或等于约0.05，并且等离子体处理层的折射率和与等离子体处理层相邻
7、根据一个实施方式，第一无机封装层的厚度可大于或等于约3500埃且小于或等于约4500埃。
8、根据一个实施方式，第一封装层和第二封装层中的每个可包括硅氮氧化物。
9、根据一个实施方式，第二封装层可包括与有机封装层的底表面直接接触的高氧区和定位在高氧区下方的低氧区，并且第二封装层的高氧区中的每单位体积的平均氧含量可大于第二封装层的低氧区中的每单位体积的平均氧含量。
10、根据一个实施方式，第二封装层的与有机封装层直接接触的高氧区中的折射率和有机封装层的折射率之间的差可小于或等于约0.05。
11、根据一个实施方式，第二封装层的每单位体积的氧含量可在从低氧区朝向高氧区的方向上逐渐地增加，并且第二封装层的折射率可在从低氧区朝向高氧区的方向上逐渐地降低。
12、根据一个实施方式，高氧区的厚度可大于或等于约500埃且小于或等于约700埃。
13、根据一个实施方式，低氧区的厚度可大于或等于约500埃。
14、根据一个实施方式，第一封装层可包括第一缓冲区和定位在第一缓冲区上方的第一封装区，并且第一封装层的第一缓冲区中的每单位体积的平均氧含量可大于第一封装层的第一封装区中的每单位体积的平均氧含量。
15、根据一个实施方式，第一封装层的第一缓冲区中的平均折射率与第一封装层的第一封装区中的平均折射率之间的差可小于或等于约0.05。
16、根据一个实施方式，第一缓冲区的厚度可大于或等于约300埃且小于或等于约500埃。
17、根据一个实施方式，第二无机封装层可包括硅氮氧化物。
18、根据一个实施方式，第二无机封装层的厚度可大于或等于约7000埃且小于或等于约10000埃。
19、根据一个实施方式，第二无机封装层可包括与有机封装层的顶表面直接接触的第二缓冲区和布置在第二缓冲区上方的第二封装区，并且第二无机封装层的第二缓冲区中的每单位体积的平均氧含量可大于第二无机封装层的第二封装区中的每单位体积的平均氧含量。
20、根据一个实施方式，第二无机封装层的第二缓冲区中的平均折射率与第二无机封装层的第二封装区中的平均折射率之间的差可小于或等于约0.05。
21、根据一个实施方式，第二缓冲区的厚度可大于或等于约300埃且小于或等于约500埃。
22、为了实现本公开的上述方面，根据本公开的一个实施方式，提供了显示装置，该显示装置包括：发光元件；在发光元件上布置为覆盖发光元件并且包括第一封装层、布置在第一封装层上的第一等离子体处理层和布置在第一等离子体处理层上的第二封装层的第一无机封装层；布置在第一无机封装层上的有机封装层；以及布置在有机封装层上并且包括第三封装层、布置在第三封装层上的第二等离子体处理层和布置在第二等离子体处理层上的第四封装层的第二无机封装层。
23、根据一个实施方式，第一无机封装层的厚度可大于或等于约3500埃且小于或等于约4500埃，并且第二无机封装层的厚度可大于或等于约3000埃且小于或等于约3800埃。
24、根据一个实施方式，第四封装层的厚度可大于或等于约500埃。
25、根据一个实施方式，第一等离子体处理层和第二等离子体处理层中的每个可包括经氢等离子体处理的硅氮氧化物。
26、根据一个实施方式，第一等离子体处理层的厚度和第二等离子体处理层的厚度中的每个可大于或等于约10埃且小于或等于约50埃。
27、根据一个实施方式，第二等离子体处理层的折射率和与第二等离子体处理层相邻的第三封装层的折射率之间的差可小于或等于约0.05，并且第二等离子体处理层的折射率和与第二等离子体处理层相邻的第四封装层的折射率之间的差可小于或等于约0.05。
28、根据一个实施方式，第一封装层、第二封装层、第三封装层和第四封装层中的每个可包括硅氮氧化物。
29、根据一个实施方式，第一封装层可包括第一缓冲区和定位在第一缓冲区上方的第一封装区，并且第一封装层的第一缓冲区中的每单位体积的平均氧含量可大于第一封装层的第一封装区中的每单位体积的平均氧含量。
30、根据一个实施方式，第三封装层可包括与有机封装层的顶表面直接接触的第二缓冲区和布置在第二缓冲区上方的第二封装区，并且第三封装层的第二缓冲区中的每单位体积的平均氧含量可大于第三封装层的第二封装区中的每单位体积的平均氧含量。
31、根据一个实施方式，第三封装层的第二缓冲区中的平均折射率与第三封装层的第二封装区中的平均折射率之间的差可小于或等于约0.05。
32、根据一个实施方式，第二缓冲区的厚度可大于或等于约300埃且小于或等于约500埃。
33、根据本公开的实施方式，显示装置可包括包含有第一封装层、布置在第一封装层上的等离子体处理层和布置在等离子体处理层上的第二封装层的第一无机封装层、布置在第一无机封装层上的有机封装层以及布置在有机封装层上的第二无机封装层。
34、由于第一无机封装层包括等离子体处理层，因此即使当第一无机封装层具有相对小的厚度时，第一无机封装层也能够具有相对优异的密封性能。
35、此外，由于第二封装层布置在等离子体处理层上，因此即使当等离子体处理层的表面暴露于湿气从而具有污点时，也能够防止污点由显示装置的用户在视觉上本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述等离子体处理层包括经氢等离子体处理的硅氮氧化物。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述等离子体处理层的厚度大于或等于10埃且小于或等于50埃。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述等离子体处理层的折射率和与所述等离子体处理层相邻的所述第一封装层的折射率之间的差小于或等于0.05，并且
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一无机封装层的厚度大于或等于3500埃且小于或等于4500埃。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一封装层和所述第二封装层中的每个包括硅氮氧化物。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二封装层包括：
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二封装层的与所述有机封装层直接接触的所述高氧区中的折射率和所述有机封装层的折射率之间的差小于或等于0.05。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二封装层的每单位体积的氧含量在从所述低氧区朝向所述高氧区
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述高氧区的厚度大于或等于500埃且小于或等于700埃。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述低氧区的厚度大于或等于500埃。
12.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一封装层包括：
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一封装层的所述第一缓冲区中的平均折射率与所述第一封装层的所述第一封装区中的平均折射率之间的差小于或等于0.05。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一缓冲区的厚度大于或等于300埃且小于或等于500埃。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层包括硅氮氧化物。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层的厚度大于或等于7000埃且小于或等于10000埃。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层包括：
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层的所述第二缓冲区中的平均折射率与所述第二无机封装层的所述第二封装区中的平均折射率之间的差小于或等于0.05。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第二缓冲区的厚度大于或等于300埃且小于或等于500埃。
20.一种显示装置，包括：
21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一无机封装层的厚度大于或等于3500埃且小于或等于4500埃，并且
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，所述第四封装层的厚度大于或等于500埃。
23.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一等离子体处理层和所述第二等离子体处理层中的每个包括经氢等离子体处理的硅氮氧化物。
24.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一等离子体处理层的厚度和所述第二等离子体处理层的厚度中的每个大于或等于10埃且小于或等于50埃。
25.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第二等离子体处理层的折射率和与所述第二等离子体处理层相邻的所述第三封装层的折射率之间的差小于或等于0.05，并且
26.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一封装层、所述第二封装层、所述第三封装层和所述第四封装层中的每个包括硅氮氧化物。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述第一封装层包括：
28.根据权利要求26所述的显示装置，其中，所述第三封装层包括：
29.根据权利要求28所述的显示装置，其中，所述第三封装层的所述第二缓冲区中的平均折射率与所述第三封装层的所述第二封装区中的平均折射率之间的差小于或等于0.05。
30.根据权利要求28所述的显示装置，其中，所述第二缓冲区的厚度大于或等于300埃且小于或等于500埃。
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述等离子体处理层包括经氢等离子体处理的硅氮氧化物。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述等离子体处理层的厚度大于或等于10埃且小于或等于50埃。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述等离子体处理层的折射率和与所述等离子体处理层相邻的所述第一封装层的折射率之间的差小于或等于0.05，并且
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一无机封装层的厚度大于或等于3500埃且小于或等于4500埃。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一封装层和所述第二封装层中的每个包括硅氮氧化物。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二封装层包括：
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二封装层的与所述有机封装层直接接触的所述高氧区中的折射率和所述有机封装层的折射率之间的差小于或等于0.05。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二封装层的每单位体积的氧含量在从所述低氧区朝向所述高氧区的方向上逐渐地增加，并且
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述高氧区的厚度大于或等于500埃且小于或等于700埃。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述低氧区的厚度大于或等于500埃。
12.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一封装层包括：
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一封装层的所述第一缓冲区中的平均折射率与所述第一封装层的所述第一封装区中的平均折射率之间的差小于或等于0.05。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一缓冲区的厚度大于或等于300埃且小于或等于500埃。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层包括硅氮氧化物。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层的厚度大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟铉，潘淑焕，赵重赫，金孝俊，刘载邦，尹德灿，李在晟，崔东昱，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。