显示装置制造方法及图纸

技术编号:40378313 阅读:21 留言:0更新日期:2024-02-20 22:17
公开了显示装置。显示装置包括发光元件、在发光元件上布置为覆盖发光元件并且包括第一封装层、布置在第一封装层上的等离子体处理层和布置在等离子体处理层上的第二封装层的第一无机封装层、布置在第一无机封装层上的有机封装层以及布置在有机封装层上的第二无机封装层。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施方式涉及显示装置


技术介绍

1、显示装置可包括发光元件和封装层。封装层可通过密封发光元件来保护发光元件免受外部湿气和氧的影响。

2、封装层可包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。在这种情况下,当减小包括在封装层中的第一无机封装层的厚度和/或第二无机封装层的厚度以便减小显示装置的厚度时,封装层的密封性能(例如,保护发光元件免受外部湿气和氧的影响的能力)可能劣化。


技术实现思路

1、本公开的一方面是提供包括具有相对小的厚度和改善的密封性能的封装层的显示装置。

2、然而,本公开的各方面不限于上述方面,并且可在不背离本公开的思想和范围的情况下进行各种改变。

3、为了实现本公开的上述方面,根据本公开的一个实施方式,提供了显示装置,该显示装置包括发光元件;在发光元件上布置为覆盖发光元件并且包括第一封装层、布置在第一封装层上的等离子体处理层和布置在等离子体处理层上的第二封装层的第一无机封装层;布置在第一无机封装层上的有机封装层;以及布置在有机封装层上的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述等离子体处理层包括经氢等离子体处理的硅氮氧化物。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述等离子体处理层的厚度大于或等于10埃且小于或等于50埃。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述等离子体处理层的折射率和与所述等离子体处理层相邻的所述第一封装层的折射率之间的差小于或等于0.05,并且

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一无机封装层的厚度大于或等于3500埃且小于或等于4500埃。

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一封装...

【技术特征摘要】

1.一种显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述等离子体处理层包括经氢等离子体处理的硅氮氧化物。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述等离子体处理层的厚度大于或等于10埃且小于或等于50埃。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述等离子体处理层的折射率和与所述等离子体处理层相邻的所述第一封装层的折射率之间的差小于或等于0.05,并且

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一无机封装层的厚度大于或等于3500埃且小于或等于4500埃。

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一封装层和所述第二封装层中的每个包括硅氮氧化物。

7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二封装层包括:

8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第二封装层的与所述有机封装层直接接触的所述高氧区中的折射率和所述有机封装层的折射率之间的差小于或等于0.05。

9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第二封装层的每单位体积的氧含量在从所述低氧区朝向所述高氧区的方向上逐渐地增加,并且

10.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述高氧区的厚度大于或等于500埃且小于或等于700埃。

11.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述低氧区的厚度大于或等于500埃。

12.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第一封装层包括:

13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第一封装层的所述第一缓冲区中的平均折射率与所述第一封装层的所述第一封装区中的平均折射率之间的差小于或等于0.05。

14.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第一缓冲区的厚度大于或等于300埃且小于或等于500埃。

15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二无机封装层包括硅氮氧化物。

16.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二无机封装层的厚度大于...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴钟铉潘淑焕赵重赫金孝俊刘载邦尹德灿李在晟崔东昱
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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