【技术实现步骤摘要】
本公开涉及真空镀膜，具体地，涉及一种真空镀膜系统及真空镀膜方法。
技术介绍
1、真空镀膜过程可以描述为在真空环境下，将沉积材料蒸发或升华为气态粒子，输送气态粒子至基片表面，粒子在基片表面成核、生长，实现薄膜原子的重构，或者原子间产生新的化学键合。真空镀膜系统在诸如薄膜电池制造等工艺中应用广泛。
2、然而相关技术中的真空镀膜系统，存在薄膜生长过程控制不及时的问题，导致产品性能或者良品率低。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种真空镀膜系统及真空镀膜方法，以解决相关技术中存在的问题。
2、为了实现上述目的，本公开实施例的第一部分提供一种真空镀膜系统，该系统包括：
3、真空腔体，设置于真空腔体内部用于带动基片移动的传送装置，以及设置于真空腔体内部用于加热基片的加热器；
4、所述真空腔体内还设置有沿基片移动方向的多个蒸发镀膜腔室，以及与每个蒸发镀膜腔室配合的镀膜检测组件，所述蒸发镀膜腔室内设置有蒸发源；
5、控制器，所述控制器用于至少...
【技术保护点】
1.一种真空镀膜系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：所述目标蒸发镀膜腔室内设置的蒸发源包括用于蒸发大分子材料的大分子蒸发源以及用于蒸发小分子材料的小分子蒸发源；
4.一种真空镀膜方法，其特征在于，应用于权利要求1-3任一项的真空镀膜系统中的控制器，所述方法包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述至少根据所述目标镀膜信息，确定所述目标蒸发镀膜腔室的目标镀膜结果，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述目标镀膜...
【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：所述目标蒸发镀膜腔室内设置的蒸发源包括用于蒸发大分子材料的大分子蒸发源以及用于蒸发小分子材料的小分子蒸发源；
4.一种真空镀膜方法，其特征在于，应用于权利要求1-3任一项的真空镀膜系统中的控制器，所述方法包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述至少根据所述目标镀膜信息，确定所述目标蒸发镀膜腔室的目标镀膜结果，包括：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述目标镀膜结果包括大分子蒸发源对应的目标大分子镀膜结果以及小分子蒸发源对应的目标小分子镀膜结果，所述根据所述目标镀膜结果，对...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵子铭，李博研，钟大龙，赵明，
申请(专利权)人：国家能源投资集团有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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