【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氧化铈颗粒以及一种用于制造所述氧化铈颗粒的方法。
技术介绍
1、关于铈氧化物(cerium oxide)(即，氧化铈(ceria))，众所周知氧化铈中铈的价数取决于气氛中氧气的分压而变化，氧化铈具有用于抛光玻璃、硅等等的最优硬度，且当二价或三价金属氧化物被固体溶解时氧化铈具有极大的氧气扩散系数。由于这些特性，除催化剂载体和研磨剂以外，预期氧化铈适用于燃料电池、氧气泵、氧气传感器等等中使用的固体电解质，且需要控制适合于这种应用的氧化铈粉末的粒径。
2、举例来说，ptl 1公开了一种用于制造纳米氧化铈粉末的方法，其中将溶解0.01mol/l到1mol/l的铈酸盐且具有8重量％或低于8重量％的水含量的有机溶剂与溶解0.1mol/l或高于0.1mol/l的有机碱药剂且具有8重量％或低于8重量％的水含量的有机溶剂混合，形成沉淀，其中分别分离铈氢氧化物或水合氧化铈主要颗粒中的至少一种，且将沉淀与液相分离，干燥且接着煅烧以制造平均粒径为100nm或小于100nm且极少聚集或无聚集的纳米氧化铈粉末。
3、引用列表
4、专利文献
5、ptl 1：jp-a-2002-201023
技术实现思路
1、技术难题
2、然而，关于常规氧化铈颗粒以及用于制造氧化铈颗粒的方法的了解受限，且仍存在研究的空间。
3、本专利技术已鉴于以上情形进行，且提供具有受控制颗粒直径和粒径分布的氧化铈颗粒以及一种用于制造氧化铈颗粒的方法。
...【技术保护点】
1.氧化铈颗粒，包括钼。
2.根据权利要求1所述的氧化铈颗粒，其中所述钼不均匀地分布于所述氧化铈颗粒的表面层中。
3.根据权利要求1或2所述的氧化铈颗粒，其中所述氧化铈颗粒的[100]平面的微晶直径为250nm或大于250nm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化铈颗粒，其中所述氧化铈颗粒的[101]平面的微晶直径为300nm或大于300nm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化铈颗粒，其中通过激光衍射/散射方法计算的所述氧化铈颗粒的中值直径D50为5.00μm或大于5.00μm和1000.00μm或小于1000.00μm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的氧化铈颗粒，其中
7.根据权利要求1至6中任一项所述的氧化铈颗粒，其中
8.根据权利要求1至7中任一项所述的氧化铈颗粒，其中通过所述氧化铈颗粒的XPS表面分析测定的相对于所述氧化铈颗粒的表面层的100质量％的三氧化钼含量M2与通过所述氧化铈颗粒的XRF分析测定的相对于所述氧化铈颗粒的100质量％的三氧化钼含量M1的表面层不均匀分
9.一种用于制造如权利要求1至8中任一项所述的氧化铈颗粒的方法，包括在钼化合物存在下煅烧铈化合物。
10.根据权利要求9所述的用于制造氧化铈颗粒的方法，其中所述钼化合物为至少一种选自包含以下各项的群组的化合物：三氧化钼、钼酸锂、钼酸钾以及钼酸钠。
11.根据权利要求9或10所述的用于制造氧化铈颗粒的方法，其中煅烧温度为800℃或高于800℃和1600℃或低于1600℃。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.氧化铈颗粒，包括钼。
2.根据权利要求1所述的氧化铈颗粒，其中所述钼不均匀地分布于所述氧化铈颗粒的表面层中。
3.根据权利要求1或2所述的氧化铈颗粒，其中所述氧化铈颗粒的[100]平面的微晶直径为250nm或大于250nm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化铈颗粒，其中所述氧化铈颗粒的[101]平面的微晶直径为300nm或大于300nm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化铈颗粒，其中通过激光衍射/散射方法计算的所述氧化铈颗粒的中值直径d50为5.00μm或大于5.00μm和1000.00μm或小于1000.00μm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的氧化铈颗粒，其中
7.根据权利要求1至6中任一项所述的氧化铈颗粒，其中
8.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨少伟，渡辺孝典，袁建军，赵伟，郭健，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：
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