System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 矫形膝植入物制造技术_技高网

矫形膝植入物制造技术

技术编号:40376335 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-20 22:16
本发明专利技术公开了一种矫形膝植入物(10),该矫形膝植入物包括股骨部件(12),该股骨部件具有基底(60)和设置在基底的表面上的涂层(58)。还公开了一种用于制造矫形膝植入物的股骨部件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开整体涉及一种可植入矫形假体,并且更具体地涉及可植入矫形假体的股骨部件。


技术介绍

1、关节成形术是一种熟知的外科手术,可通过关节成形术来用假体关节置换患病和/或损坏的自然关节。通常的膝假体包括膝盖骨假体部件、胫骨托、股骨部件以及定位在胫骨托与股骨部件之间的胫骨支承件。股骨部件被设计成附接到患者的股骨的外科准备远侧端部。胫骨托被设计成附接到患者的胫骨的外科准备近侧端部。

2、股骨部件和胫骨托可由生物相容性材料,诸如钴铬的金属合金制成。设置在股骨部件与胫骨托之间的胫骨支承部件可由塑性材料,如聚乙烯形成。然而,钴合金往往是昂贵的,并且因此需要一种由非钴金属材料制成的部件及其制造方法。例如,需要一种由非钴金属材料制成的膝假体的股骨部件及其制造方法。


技术实现思路

1、根据本公开的一个方面,矫形植入物包括股骨部件。股骨部件可被配置成联接到患者的股骨的远侧端部。股骨部件包括包含钛合金的基底。例示性地,基底具有在纵分平面中弯曲的髁表面和与髁表面相对定位的面向骨的表面。关节层(也称为“涂层”)设置在髁表面上。涂层包括包含铌、锆、钛、钽、铂、钼或它们的组合的第一层(也称为“粘结层”或“内层”)。涂层还包括包含多个交替子层的第二层(也称为“中间层”)。涂层还包括包含氧化锆、氧化铌、氧氮化锆、氧氮化铌、钛或它们的组合的第三层(也称为“外层”或“外陶瓷层”)。第一层在第二层与髁表面之间延伸并且将第二层与髁表面互连。第二层在第一层与第三层之间延伸并且将第一层与第三层互连。第三层形成股骨部件的外关节表面。

2、在一些实施方案中,第二层可包括交替的氮化锆和氮化铌子层的至少八个子层。在一些实施方案中,交替子层的每个氮化锆子层可具有约0.5nm至约200nm的厚度。在一些实施方案中,第二层可具有约3μm至约6μm的厚度。

3、在一些实施方案中,第三层可包含至少约90%的单斜氧化的锆。在一些实施方案中,第三层可具有约100nm至约5μm的厚度。

4、在一些实施方案中,第二层的至少一个子层可包含至少约95%的氮化锆。

5、在一些实施方案中,第二层的至少一个子层可具有约5nm至约500nm的厚度。在一些实施方案中,第二层的至少一个子层可包含至少约95%的氮化铌。

6、在一些实施方案中,第一层可包含至少约90%的锆。在一些实施方案中,第一层可具有约50nm至约1μm的厚度。

7、例示性地,股骨部件可以包括设置在面向骨的表面上的骨接合层。在一些实施方案中,骨接合层可以是多孔的。

8、在一些实施方案中,第二层可包括内子层和外子层。在一些实施方案中,内子层和外子层可具有相同的组成。在一些实施方案中,第二层可包括中间子层,该中间子层具有与内子层、外子层或两者不同的组成。

9、在一些实施方案中,第三层可为氮化钛锆。另外,在一些实施方案中,第三层中锆的原子百分比可为50at%至80at%。在一些实施方案中,第三层中锆的原子百分比可为30at%至85at%。

10、在一些实施方案中,多个交替子层包括多个氮化钛锆子层和多个金属层。在一些实施方案中,多个交替子层中锆的原子百分比为30at%至85at%。另外,在一些实施方案中,多个交替子层中锆-钛合金的原子百分比为30at%至85at%。

11、根据另一方面,一种用于形成矫形膝植入物的股骨部件的过程包括在基底的髁表面上沉积包含铌、锆、钛、钽、铂、钼或它们的组合的第一层。基底包含钛。髁表面在纵分平面中弯曲。在一些实施方案中,该过程包括沉积包括多个交替子层的第二层。

12、在一些实施方案中,该过程可包括氧化第二层的一部分以形成包含氧化的锆的第三层。

13、在一些实施方案中,交替子层可包括氮化锆的子层和铌的子层。在一些实施方案中,沉积多个交替子层以形成第二层可包括(a)在第一层上产生氮化锆的子层,(b)在氮化锆的子层上产生铌的子层,以及(c)重复步骤(a)和(b)以形成第二层。

14、在一些实施方案中,该过程可包括在第二层的外表面上沉积第三层。在一些实施方案中,第三层可包含氧化锆、氧化铌、氧氮化锆、氧氮化铌或它们的组合。

15、还设想了附加的实施方案。

16、条款1.一种矫形膝植入物,包括:股骨部件,所述股骨部件被配置成联接到患者的股骨的远侧端部,所述股骨部件包括:(i)包含钛合金的基底,所述基底具有(a)在纵分平面中弯曲的髁表面和(b)与所述髁表面相对定位的面向骨的表面;以及(ii)设置在所述髁表面上的涂层,所述涂层包括(a)第一层,所述第一层包含铌、锆、钛、钽、铂、钼或它们的组合,(b)第二层,所述第二层包括多个交替子层,以及(c)第三层,所述第三层包括(i)四方氧化锆层和(ii)单斜氧化锆层,其中(i)所述第一层在所述第二层与所述髁表面之间延伸并且将所述第二层与所述髁表面互连,(ii)所述第二层在所述第一层与所述第三层之间延伸并且将所述第一层与所述第三层互连,并且(iii)所述第三层形成所述涂层的外表面。

17、条款2.根据条款1所述的矫形膝植入物,其中,所述第二层还包括包含锆的子层。

18、条款3.根据条款2所述的矫形膝植入物,其中,所述锆子层中的每个锆子层包含至少约70%的四方锆。

19、条款4.根据条款1至3中任一项所述的矫形膝植入物,其中,所述第二层包括第一氮化锆子层以及氮化铌子层、锆子层和氮化锆子层的至少九个交替子层。

20、条款5.根据条款1至4中任一项所述的矫形膝植入物,其中,所述四方氧化锆层在所述单斜氧化锆层与所述第二层之间延伸并且将所述单斜氧化锆层与所述第二层互连。

21、条款6.根据条款1至5中任一项所述的矫形膝植入物,其中,所述第三层具有约2μm至约5μm的厚度。

22、条款7.根据条款1至6中任一项所述的矫形膝植入物,其中,所述四方氧化锆层具有约200nm至约3μm的厚度。

23、条款8.根据条款1至7中任一项所述的矫形膝植入物,其中,所述单斜氧化锆层具有约200nm至约3μm的厚度。

24、条款9.根据条款1至8中任一项所述的矫形膝植入物,其中,所述第二层具有约3μm至约6μm的厚度。

25、条款10.根据条款1至9中任一项所述的矫形膝植入物,其中,所述第二层包括氮化锆子层,所述氮化锆子层各自具有约10nm至约200nm的厚度。

26、条款11.根据条款4至10中任一项所述的矫形膝植入物,其中,每个氮化锆子层包含至少约95%的氮化锆。

27、条款12.根据条款1至11中任一项所述的矫形膝植入物,其中,所述第二层包括氮化铌子层,所述氮化铌子层各自具有约10nm至约200nm的厚度。

28、条款13.根据条款4至12中任一项所述的矫形膝植入物,其中,每个氮化铌子层包含至少约95%的氮化铌。

29、条款14.根据条款1至13中任一项所述的矫形膝植入物,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种矫形膝植入物,包括:

2.根据权利要求1所述的植入物,其中,多个交替子层包括交替的氮化锆和氮化铌子层的至少八个子层。

3.根据权利要求2所述的植入物,其中,所述交替子层的每个氮化锆子层具有5nm至200nm的厚度。

4.根据权利要求3所述的植入物,其中,所述多个交替子层具有3μm至8μm的厚度。

5.根据权利要求1所述的植入物,其中,所述外陶瓷层包含至少90%的单斜氧化的锆。

6.根据权利要求5所述的植入物,其中,所述外陶瓷层具有100nm至5μm的厚度。

7.根据权利要求6所述的植入物,其中,所述多个交替子层的至少一个子层包含至少95%的氮化锆。

8.根据权利要求1所述的植入物,其中,所述多个交替子层的至少一个子层具有5nm至500nm的厚度。

9.根据权利要求8所述的植入物,其中,所述多个交替子层的至少一个子层包含至少95%的氮化铌。

10.根据权利要求1所述的植入物,其中,所述粘结层包含至少90%的锆。

11.根据权利要求10所述的植入物,其中,所述粘结层具有50nm至2μm的厚度。

12.根据权利要求1所述的植入物,其中,所述股骨部件包括设置在所述面向骨的表面上的骨接合层。

13.根据权利要求12所述的植入物,其中,所述骨接合层是多孔的。

14.根据权利要求1所述的植入物,其中,所述多个交替子层包括内子层和外子层。

15.根据权利要求14所述的植入物,其中,所述内子层和所述外子层具有相同的组成。

16.根据权利要求14所述的植入物,其中,所述多个交替子层包括中间子层,所述中间子层具有与所述内子层、所述外子层或两者不同的组成。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种矫形膝植入物,包括:

2.根据权利要求1所述的植入物,其中,多个交替子层包括交替的氮化锆和氮化铌子层的至少八个子层。

3.根据权利要求2所述的植入物,其中,所述交替子层的每个氮化锆子层具有5nm至200nm的厚度。

4.根据权利要求3所述的植入物,其中,所述多个交替子层具有3μm至8μm的厚度。

5.根据权利要求1所述的植入物,其中,所述外陶瓷层包含至少90%的单斜氧化的锆。

6.根据权利要求5所述的植入物,其中,所述外陶瓷层具有100nm至5μm的厚度。

7.根据权利要求6所述的植入物,其中,所述多个交替子层的至少一个子层包含至少95%的氮化锆。

8.根据权利要求1所述的植入物,其中,所述多个交替子层的至少一个子层具有5nm至500nm的厚度。

9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:O·A·金塔纳庞塞B·J·史密斯C·N·恩斯伯格
申请(专利权)人:德普伊新特斯产品公司
类型:新型
国别省市:

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