石墨烯晶片、制造石墨烯晶片的方法、释放石墨烯层的方法和制造石墨烯器件的方法技术

石墨烯晶片、制造石墨烯晶片的方法、释放石墨烯层的方法和制造石墨烯器件的方法。用于从衬底释放石墨烯层的方法，首先在第一衬底的表面上形成石墨烯层，然后在石墨烯层的表面上形成金属层，然后对金属层施加拉力以便将石墨烯层与第一衬底分开，借助分子间力将被释放的石墨烯层结合到与第一衬底分离的第二衬底的表面上或者结合到形成在第二衬底的表面上的结合层的表面上，然后通过例如蚀刻来除去金属层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及石墨烯晶片、制造石墨烯晶片的方法、从衬底释放(release)石墨烯 层的方法和制造石墨烯器件的方法。
技术介绍
在2004年英国曼彻斯特大学的A. Gaim等人报道了作为石墨烯(graphene)转移 技术的透明胶带(Scotch tape)法。他们成功地用机械方法将单层石墨烯从高定向热解石 墨(H0PG)转移到Si02/Si衬底上。石墨烯是一种具有独特带结构的无质量狄拉克费米子(Diracfermion)材料， 并且提供具有管结构的碳纳米管的几乎所有有用的电特性，包括冲猾导(ballistic conduction)，这将引起工程师关注。石墨烯是一种片状结构(这与碳纳米管(CNT)相反) 的新材料，因此适用于常规LSI技术中使用的微机械加工，制造集成电路。在发现石墨烯之后，显然获得高质量石墨烯片的唯一方式是从H0PG释放石墨烯 片。由此，难以获得具有大面积的石墨烯片，这成为了制造集成器件的工艺的障碍。日本专利申请公开No. 2009-62247公开了一种技术，其中使SiC衬底在真空中经 受高温氢蚀刻和高温热处理从而在SiC衬底上制造和转移片状外延石墨烯(即，石墨烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于从衬底释放石墨烯层的方法，包括：在第一衬底的表面上形成石墨烯层；在石墨烯层的表面上形成金属层；以及在金属层上施加拉力以便将石墨烯层与第一衬底分开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：荻原光彦，鹭森友彦，佐久田昌明，桥本明弘，田中悟，
申请(专利权)人：日本冲信息株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]