【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光脱毛仪，具体涉及一种产生超长脉宽强脉冲光脱毛仪及其实现方法。
技术介绍
1、目前市场上的强脉冲光脱毛仪基本原理如下：采用电源适配器供电，一般采用12v或者24v输出，给脱毛仪供电，脱毛仪内部升压电路升压后给储能电容充电，然后再由储能电容给氙气石英灯管放电并产生闪光，由于基本电路一般采用单脉冲工作方式，储能电容所储存的能量在一个脉冲释放全部的能量，所以储能电容的容量和储存电压决定了单脉冲的闪光能量，同时也就决定了脉宽的大小，由于氙气闪光灯的制作工艺限制，决定了最低额定端电压，即灯管阳极和阴极的最小稳定工作启动电压。
2、目前行业应用一般为额定电压260v，灯管最小启动电压为210v，如果储能电容储存电压低于260v，将会出现漏闪的概率，如果低于210v，就无法启动工作，即灯管不会闪光，由于在某些特定条件下，我们需要更大的脉宽，就要选用更低的储能电压和更大的电容容量，比如低于210v的最小启动电压。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种产生超长脉宽强脉冲光脱毛仪及其实现方法。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、构造一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括步骤：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其中，
4、构造所述储能电路的步骤包括：
5、构造容量小、储存电压高的第一储能单元电路；
6、构造容量大、储存电压低
7、将所述第一储能单元电路和所述第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；
8、充电过程步骤包括：
9、控制所述充电控制电路给所述第一储能单元电路储存高压，然后再给所述第二储能单元电路储存低压；
10、放电过程步骤包括：
11、先由所述第一储能单元电路放电、启动所述放电单元电路工作；
12、在所述第一储能单元电路的储存电压低于所述第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的所述二极管正向导通，所述第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光。
13、本专利技术所述的脱毛仪实现方法，其中，所述充电控制电路包括：
14、连接充电电源的第一引脚、连接脱毛仪主控芯片的控制端和连接所述第二储能单元电路输入端的第二引脚；其中，
15、所述控制端获取不同信号时分别对应将所述第一引脚和所述第二引脚导通或关断；
16、所述二极管负极同时连接所述第一储能单元电路的输入端和所述放电单元电路的输入端。
17、本专利技术所述的脱毛仪实现方法，其中，所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括第二储能电容；
18、所述二极管负极连接所述第一储能电容正极，所述第一储能电容负极接地；
19、所述二极管正极连接所述第二储能电容正极，所述第二储能电容负极接地。
20、本专利技术所述的脱毛仪实现方法，其中，所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括第二储能电容；
21、所述二极管负极连接所述第一储能电容正极，所述第一储能电容负极接地；
22、所述二极管正极连接所述充电控制电路的第一引脚，所述第二储能电容正极连接所述充电控制电路的第二引脚，所述第二储能电容负极接地。
23、本专利技术所述的脱毛仪实现方法，其中，所述充电控制电路包括第一igbt开关管，所述第一igbt开关管的g极作为所述控制端，所述第一igbt开关管的c极作为所述第一引脚，所述第一igbt开关管的e极作为所述第二引脚。
24、本专利技术还提供了一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括步骤：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其中，
25、构造所述储能电路的步骤包括：
26、构造容量小、储存电压高的第一储能单元电路；
27、构造容量大、储存电压低的第二储能单元电路；
28、将所述第一储能单元电路和所述第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；
29、充电过程步骤包括：
30、控制所述充电控制电路给所述第一储能单元电路储存高压，然后再给所述第二储能单元电路储存低压；
31、放电过程步骤包括：
32、先由所述第一储能单元电路放电，启动所述放电单元电路工作；
33、在所述第一储能单元电路的储存电压低于所述第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的所述二极管正向导通，所述第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光；
34、所述第二储能单元电路包含多个并联连接的容量大、储存电压低的电解电容，和用于控制实际起作用的电解电容数量以调整最终输出脉冲宽度的脉宽控制电路。
35、本专利技术所述的脱毛仪实现方法，其中，所述充电控制电路包括：
36、连接充电电源的第一引脚、连接脱毛仪主控芯片的控制端和连接所述第二储能单元电路输入端的第二引脚；其中，
37、所述控制端获取不同信号时分别对应将所述第一引脚和所述第二引脚导通或关断；
38、所述二极管负极同时连接所述第一储能单元电路的输入端和所述放电单元电路的输入端；
39、所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括两个或两个以上并联连接的电解电容；
40、所述二极管负极连接所述第一储能电容正极，所述第一储能电容负极接地；
41、所述二极管正极连接所述充电控制电路的第一引脚，所述第二储能电容正极连接所述充电控制电路的第二引脚，所述第二储能电容负极接地；
42、所述脉宽控制电路包括：
43、分别控制连接所述电解电容的多个开关管，多个所述开关管的控制端分别连接所述脱毛仪主控芯片、用来控制每个电解电容所在电路的通断、以调整最终产生的脉冲光的脉宽。
44、本专利技术还提供了一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪，包括依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其中，所述储能电路包括：容量小、储存电压高的第一储能单元电路，容量大、储存电压低的第二储能单元电路，所述第一储能单元电路和所述第二储能单元电路采用二极管反向并联连接；
45、充电过程：控制所述充电控制电路给所述第一储能单元电路储存高压，然后再给所述第二储能单元电路储存低压；
46、放电过程：先由所述第一储能单元电路放电、启动所述放电单元电路工作；在所述第一储能单元电路的储存电压低于所述第二储能单元电路的储存电压时，反向连接的所述二极管正向导通，所述第二储能单元电路开始放电，从而产生超长脉宽脉冲光。
47、本专利技术所述的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪，其中，所述充电控制电路包括：
48、连接充电电源的第一引脚、连接脱毛仪主控芯片的控制端和连接所述第二储能单元电路输入端的第二引脚；其中，...
【技术保护点】
1.一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括步骤：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其特征在于，
2.根据权利要求1所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述充电控制电路包括：
3.根据权利要求1或2所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括第二储能电容；
4.根据权利要求1或2所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括第二储能电容；
5.根据权利要求2所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述充电控制电路包括第一IGBT开关管，所述第一IGBT开关管的G极作为所述控制端，所述第一IGBT开关管的C极作为所述第一引脚，所述第一IGBT开关管的E极作为所述第二引脚。
6.一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括步骤：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其特征在于，
7.根据权利要求6所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，构造所述充电控制电路的步骤包括：
8
9.根据权利要求8所述的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪，其特征在于，所述充电控制电路包括：
10.根据权利要求9所述的产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪，其特征在于，所述充电控制电路包括第一IGBT开关管，所述第一IGBT开关管的G极作为所述控制端，所述第一IGBT开关管的C极作为所述第一引脚，所述第一IGBT开关管的E极作为所述第二引脚。
...【技术特征摘要】
1.一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括步骤：构造依次电连接的充电控制电路、储能电路和放电单元电路；其特征在于，
2.根据权利要求1所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述充电控制电路包括：
3.根据权利要求1或2所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括第二储能电容；
4.根据权利要求1或2所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述第一储能单元电路包括第一储能电容，所述第二储能单元电路包括第二储能电容；
5.根据权利要求2所述的脱毛仪实现方法，其特征在于，所述充电控制电路包括第一igbt开关管，所述第一igbt开关管的g极作为所述控制端，所述第一igbt开关管的c极作为所述第一引脚，所述第一igbt开关管的e极作为所述第二引脚。
6.一种产生超长脉宽强脉冲光的脱毛仪实现方法，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：安朝辉，
申请(专利权)人：深圳市爱诗恩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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