【技术实现步骤摘要】
本申请涉及隔离型src变换器，具体涉及隔离型src变换器的效率获取方法以及装置。
技术介绍
1、传统的隔离型src变换器副边采取无源整流和有源整流两种方式的工作情况。在无源整流情况下，当副边电流过零时，整流二极管关断，进入dcm模式，此时副边输出电容与漏感进行震荡，产生较大的震荡电流。当原边开关管换流时，由于副边整流二极管属于自然关断，其换流时间流由输出电容的充电与放电时间决定，因此具有大输出电容的开关管换流时间较长，而原边开关管属于可控换流，换流时间很短，因此两侧电压会在谐振电感上产生一个较大的电压差，使得谐振电流产生严重失真，这些震荡和失真都使得电路的损耗增加，导致电路整体效率较低。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，提出了本申请。本申请的实施例提供了一种隔离型src变换器的效率获取方法以及装置，解决了现有技术中因谐振电流产生严重失真而导致电路整体效率较低的问题。
2、根据本申请的一个方面，提供了一种隔离型src变换器的效率获取方法，包括：
3、获取所述隔离型src变换器的输入电压；
4、获取所述隔离型src变换器的延迟时间；
5、根据所述输入电压、所述延迟时间以及损耗模型，确定所述隔离型src变换器的效率。
6、在一实施例中，所述损耗模型的建立方法包括：
7、获取所述隔离型src变换器的多个输入电压；
8、获取所述隔离型src变换器的多个延迟时间；
9、根据所述多个输入电压以
10、根据所述多个输入电压、所述多个延迟时间以及所述多个总损耗功率，建立所述损耗模型。
11、在一实施例中，所述根据所述多个输入电压以及所述多个延迟时间，计算得到每个所述输入电压对应的总损耗功率包括：
12、根据所述多个输入电压，计算所述隔离型src变换器的开关管的导通损耗；
13、根据所述多个输入电压以及所述多个延迟时间，计算所述隔离型src变换器的开关管的关断损耗；
14、根据所述多个输入电压，计算所述隔离型src变换器的变压器的损耗；
15、根据所述多个输入电压，计算所述隔离型src变换器的谐振电容的损耗；
16、根据所述隔离型src变换器的开关管的导通损耗、所述所述隔离型src变换器的开关管的关断损耗、所述隔离型src变换器的变压器的损耗以及所述隔离型src变换器的谐振电容的损耗，计算得到每个所述输入电压对应的总损耗功率。
17、在一实施例中，所述开关管包括原边开关关以及副边开关管，其中，所述根据所述多个输入电压，计算所述隔离型src变换器的开关管的导通损耗包括：
18、根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述原边开关管的导通损耗的平均功率；
19、根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述副边开关管的导通损耗的平均功率。
20、在一实施例中，所述根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述原边开关管的导通损耗的平均功率包括：
21、根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述原边开关管的导通损耗的平均功率；其中，所述每个所述输入电压的所述原边开关管在所述半周期内关断损耗的平均功率的计算公式为：其中，vcesat为所述原边开关管导通状态时原边igbt的压降，vf1为igbt的反并二极管在导通状态时的压降，i(t)为输入电压对应的输入电流。
22、在一实施例中，所述根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述副边开关管的导通损耗的平均功率包括：
23、根据所述多个输入电压以及所述多个延迟时间，计算每个所述输入电压的所述副边开关管的导通损耗的平均功率；其中，每个所述输入电压的所述副边开关管的导通损耗的平均功率的计算公式为其中rdson为副边开关管的mosfet导通电阻，vf2为副边二极管的导通压降，vsd为副边开关管的mosfet的体二极管导通的压降，i(t)为输入电压对应的输入电流。
24、在一实施例中，所述开关管包括原边开关管以及副边开关管，其中，所述根据所述多个输入电压以及所述多个延迟时间，计算所述隔离型src变换器的开关管的关断损耗包括：
25、根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述原边开关管的关断损耗的平均功率；
26、根据所述多个输入电压以及所述多个延迟时间，计算每个所述输入电压的所述副边开关管的关断损耗的平均功率。
27、在一实施例中，所述根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述原边开关管的关断损耗的平均功率包括：
28、根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述原边开关管的关断损耗的平均功率；其中，每个所述输入电压的所述原边开关管的关断损耗的平均功率为其中，eoff为原边开关管的igbt的关断能量损耗。
29、在一实施例中，所述根据所述多个输入电压以及所述多个延迟时间，计算每个所述输入电压的所述副边开关管的关断损耗的平均功率包括：
30、根据所述多个输入电压以及所述多个延迟时间，计算每个所述输入电压的所述副边开关管的关断损耗的平均功率；其中，每个所述输入电压的所述副边开关管的关断损耗的平均功率的计算公式为其中，id为副边开关管关断前mosfet的漏极电流，vds为副边开关管关断完成后mosfet的漏极-源极电压，td(off)为延迟时间，tf为电流下降时间。
31、根据本申请的另一个方面，提供了一种隔离型src变换器的效率获取装置，包括：
32、电压获取模块，用于获取所述隔离型src变换器的输入电压；
33、延迟时间获取模块，用于获取所述隔离型src变换器的延迟时间；
34、确定模块，用于根据所述输入电压、所述延迟时间以及损耗模型，确定所述隔离型src变换器的效率。
35、本申请提供的隔离型src变换器的效率获取方法以及装置，该方法包括：获取隔离型src变换器的输入电压，获取隔离型src变换器的延迟时间，根据输入电压、延迟时间以及损耗模型，确定隔离型src变换器的效率。通过控制延迟时间在每个输入电压条件下，可以获取到隔离型src变换器的最优效率。
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1.一种隔离型SRC变换器的效率获取方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的隔离型SRC变换器的效率获取方法，其特征在于，所述损耗模型的建立方法包括：
3.根据权利要求2所述的隔离型SRC变换器的效率获取方法，其特征在于，所述根据所述多个输入电压以及所述多个延迟时间，计算得到每个所述输入电压对应的总损耗功率包括：
4.根据权利要求3所述的隔离型SRC变换器的效率获取方法，其特征在于，所述开关管包括原边开关关以及副边开关管，其中，所述根据所述多个输入电压，计算所述隔离型SRC变换器的开关管的导通损耗包括：
5.根据权利要求4所述的隔离型SRC变换器的效率获取方法，其特征在于，所述根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述原边开关管的导通损耗的平均功率包括：
6.根据权利要求4所述的隔离型SRC变换器的效率获取方法，其特征在于，所述根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述副边开关管的导通损耗的平均功率包括：
7.根据权利要求3所述的隔离型SRC变换器的效率获取方法，其特征在于，所述开关管包
8.根据权利要求7所述的隔离型SRC变换器的效率获取方法，其特征在于，所述根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述原边开关管的关断损耗的平均功率包括：
9.根据权利要求7所述的隔离型SRC变换器的效率获取方法，其特征在于，所述根据所述多个输入电压以及所述多个延迟时间，计算每个所述输入电压的所述副边开关管的关断损耗的平均功率包括：
10.一种隔离型SRC变换器的效率获取装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种隔离型src变换器的效率获取方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的隔离型src变换器的效率获取方法，其特征在于，所述损耗模型的建立方法包括：
3.根据权利要求2所述的隔离型src变换器的效率获取方法，其特征在于，所述根据所述多个输入电压以及所述多个延迟时间，计算得到每个所述输入电压对应的总损耗功率包括：
4.根据权利要求3所述的隔离型src变换器的效率获取方法，其特征在于，所述开关管包括原边开关关以及副边开关管，其中，所述根据所述多个输入电压，计算所述隔离型src变换器的开关管的导通损耗包括：
5.根据权利要求4所述的隔离型src变换器的效率获取方法，其特征在于，所述根据所述多个输入电压，计算每个所述输入电压的所述原边开关管的导通损耗的平均功率包括：
6.根据权利要求4所述的隔离型src变换器...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷华强，殷甲男，薛珊，孙晖，夏明珠，王强，
申请(专利权)人：国网河北省电力有限公司馆陶县供电分公司，
类型：发明
国别省市：
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