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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。
技术介绍
1、以氮化镓基材料(gan-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点,例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通信元件等应用的元件的制作。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)的方法,其主要包含形成一缓冲层于基底上,形成一阻障层于缓冲层上,形成一p型半导体层于阻障层上,形成一空穴注入缓冲层(hole injection buffer layer,hibl)于p型半导体层上,再形成一栅极电极于该空穴注入缓冲层上。
2、本专利技术另一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管,其主要包含一缓冲层设于基底上,一阻障层设于缓冲层上,一p型半导体层设于阻障层上,一空穴注入缓冲层(hibl)设于p型半导体层上以及一栅极电极设于空穴注入缓冲层上。
【技术保护点】
1.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法,其特征在于,包含:
2.如权利要求1所述的方法,还包含:
3.如权利要求2所述的方法,其中该硅层包含非晶硅层。
4.如权利要求2所述的方法,其中该退火制作工艺包含快速升温退火制作工艺。
5.如权利要求2所述的方法,其中该硅层厚度小于该空穴注入缓冲层厚度。
6.如权利要求1所述的方法,其中该缓冲层包含氮化镓(GaN)。
7.如权利要求1所述的方法,其中该阻障层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)。
8.如权利要求1所述的方法,其中该P型半导体层包含P型氮化镓。
9.如权利要求1所述的方法,其中该空穴注入缓冲层包含硅的浓度梯度。
10.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT),其特征在于,包含:
11.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管,其中该空穴注入缓冲层厚度小于该P型半导体层厚度。<
...【技术特征摘要】
1.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,hemt)的方法,其特征在于,包含:
2.如权利要求1所述的方法,还包含:
3.如权利要求2所述的方法,其中该硅层包含非晶硅层。
4.如权利要求2所述的方法,其中该退火制作工艺包含快速升温退火制作工艺。
5.如权利要求2所述的方法,其中该硅层厚度小于该空穴注入缓冲层厚度。
6.如权利要求1所述的方法,其中该缓冲层包含氮化镓(gan)。
7.如权利要求1所述的方法,其中该阻障层包含氮化铝镓(alxga1-xn)。
8.如权利要求1所述的方法,其中该p型半导体层包含p型氮化镓。
9.如权利要求1所述的方法,其中该空穴注入缓冲层包含硅的浓度梯...
【专利技术属性】
技术研发人员:叶治东,廖文荣,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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