【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于继电器触头制备，尤其涉及一种继电器电触头及其制备方法。
技术介绍
1、电触头是继电器的重要组成部分，电触头包含动触头和静触头，在电磁力作用下，继电器通过动静触头接触或分离实现电路的导通和分断功能。继电器电触头承载规定的工作电流或在一定的时间内承载过载电流的功能。继电器的可靠性取决于电触头的工作性能和质量，同时电触头也是继电器最容易出故障的部分，继电器电触头一旦不能按规定接通和分断，将对信号系统带来极大的危害，并引起极为严重的后果。由此可见，继电器电触头接触的可靠性直接影响到信号系统的可靠性和安全性。
2、目前市场要求电触头材料在规定的负载条件下不发生熔焊，机械磨损及耐电磨损性能优越，在分断过程中产生的金属飞溅不宜过多，燃弧时间不宜太长，继电器触头长时间不动作条件下，接触电阻低而稳定，继电器触头动作频繁的条件下，电触头抗电烧损和机械磨损能力要强，然而市面上常见的触头材料无法同时满足这些，如银氧化镉触头，接触电阻不稳定而且不环保，银氧化锡触头，抗电弧能力弱，容易被氧化，银石墨触头，触头致密度不均匀而且接触电阻不稳定。
3、同时市场上部分继电器非密封结构，存放周期过长，电触头容易氧化发乌从而形成膜电阻，导致导电性能下降，使用寿命低，同时维护成本变高。
技术实现思路
1、鉴于现有技术的上述缺点、不足，本专利技术提供一种继电器电触头及其制备方法，将纳米银粉、sno2粉、ag粉、ni粉、纳米pd粉按一定比例混合，通过一定的工艺烧结而成，然后拉丝、高温热轧，
2、为了达到上述目的，本专利技术采用的主要技术方案包括：
3、一种继电器电触头，包括由内至外依次设有电触头基体、电触头中间层、电触头电接触层、保护层，所述电触头基体的成分按质量百分含量计：纳米银3%~5%，sno2粉10%~20%，纳米氮化钛粉3%~5%，ag粉余量；所述电触头中间层的成分按质量百分含量计：ni粉95%，ag粉5%；所述电触头电接触层的成分按质量百分含量计：纳米pd粉85%~89%，ag粉11%~15%；所述保护层的成分按质量百分含量计：au含量91%，ag含量9%。
4、进一步地，所述电触头基体的成分中，纳米银的平均粒度为20nm~50nm，sno2粉的平均粒度为2μm~20μm，纳米氮化钛粉的平均粒度为20nm~30nm，ag粉的平均粒度为10μm~50μm。
5、进一步地，所述电触头中间层的成分中，ni粉的平均粒度为5μm~20μm，ag粉的平均粒度为10μm~50μm。
6、进一步地，所述电触头电接触层的成分中，纳米pd粉的平均粒度为30nm~100nm，ag粉的平均粒度为10μm~50μm。
7、进一步地，所述保护层，金银层厚度为0.5μm。
8、进一步地，所述保护层采用磁控溅射方法喷金银合金。
9、所述的继电器电触头的制备方法，包括如下步骤：
10、s01、电触头基体制备，将纳米银、sno2粉、氮化钛粉按重量比投入含有磨球的装置中进行机械搅拌，密封放置，获得预处理混合粉；将ag粉投入含有预处理混合粉的装置中进行磨球搅拌，获得坯料；将坯料放入等静压设备中进行热等静压成型，压制成板料；
11、s02、电触头中间层制备，将ni粉和ag粉放入含有磨球的装置中进行机械搅拌，密封放置，将放置后的混合材料放入等静压设备中进行热等静压成型，压制料块；
12、s03、电触头电接触层制备，按重量比将pd粉和ag粉放入含有磨球的装置中进行机械搅拌，密封放置，将坯料放入等静压设备中进行热等静压成型，压制成料块；
13、s04、将电触头基体、电触头中间层和电触头电接触层依序排好，放入含有一定量氢气的封闭腔体中进行高温烧结，烧结温度为940℃~960℃，烧结后在腔体内按所需形状进行轧制、拉丝、轧制处理，切割，超声波进行清洗，对表面进行pvd喷金银合金，再进行超声波进行清洗。
14、进一步地，所述步骤s01中，将纳米银、sno2粉、氮化钛粉机械搅拌4h，密封放置1h，获得预处理混合粉；投入ag粉后充分搅拌2h，密封放置1h，获得坯料；热等静压成型参数为：压力150mpa，保压10min，温度750℃。
15、进一步地，所述步骤s02中，ni粉和ag粉的搅拌时间为4h，密封放置1h，热等静压成型参数为：压力150mpa，保压10min，温度750℃。
16、进一步地，所述步骤s03中，pd粉和ag粉的搅拌时间为4h，密封放置1h，热等静压成型参数为：压力150mpa，保压10min，温度650℃。
17、本专利技术的有益效果是：本专利技术利用纳米银的低熔点性，可以将ni与ag更好地接触，改善ag和ni的结合性，增加sno2粉和纳米氮化钛粉是为了提高单一金属的抗熔焊性，同时sno2和纳米氮化钛具有良好的热稳定性，一定的耐电弧性，纳米氮化钛具有良好的导电性。中间层的ni可以有效地减缓基体金属向电接触层金属迁移，还可以提高电接触层的耐磨性。银钯合金可以提高电接触层接触电阻的稳定性，提高抗氧化性。pvd对线材表面喷金银合金可以对触头进一步防护，使接触电阻稳定，提高抗氧化性。而且pvd喷金银合计相比于电镀金银合金优势是，镀层均匀。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种继电器电触头，其特征在于：包括由内至外依次设有电触头基体（1）、电触头中间层（2）、电触头电接触层（3）、保护层（4），所述电触头基体（1）的成分按质量百分含量计：纳米银3%~5%，SnO2粉10%~20%，纳米氮化钛粉3%~5%，Ag粉余量；所述电触头中间层（2）的成分按质量百分含量计：Ni粉95%，Ag粉5%；所述电触头电接触层（3）的成分按质量百分含量计：纳米Pd粉85%~89%，Ag粉11%~15%；所述保护层（4）的成分按质量百分含量计：Au含量91%，Ag含量9%。
2.根据权利要求1所述的一种继电器电触头，其特征在于：所述电触头基体（1）的成分中，纳米银的平均粒度为20nm~50nm，SnO2粉的平均粒度为2μm~20μm，纳米氮化钛粉的平均粒度为20nm~30nm，Ag粉的平均粒度为10μm~50μm。
3.根据权利要求1所述的一种继电器电触头，其特征在于：所述电触头中间层（2）的成分中，Ni粉的平均粒度为5μm~20μm，Ag粉的平均粒度为10μm~50μm。
4.根据权利要求1所述的一种继电器电触头，其特征在于：所述
5.根据权利要求1所述的一种继电器电触头，其特征在于：所述保护层（4），金银层厚度为0.5μm。
6.根据权利要求1所述的一种继电器电触头，其特征在于：所述保护层（4）采用磁控溅射方法喷金银合金。
7.根据权利要求1-6任一所述的继电器电触头的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
8.根据权利要求7所述的继电器电触头的制备方法，其特征在于：所述步骤S01中，将纳米银、SnO2粉、氮化钛粉机械搅拌4h，密封放置1h，获得预处理混合粉；投入Ag粉后充分搅拌2h，密封放置1h，获得坯料；热等静压成型参数为：压力150MPa，保压10min，温度750℃。
9.根据权利要求7所述的继电器电触头的制备方法，其特征在于：所述步骤S02中，Ni粉和Ag粉的搅拌时间为4h，密封放置1h，热等静压成型参数为：压力150MPa，保压10min，温度750℃。
10.根据权利要求7所述的继电器电触头的制备方法，其特征在于：所述步骤S03中，Pd粉和Ag粉的搅拌时间为4h，密封放置1h，热等静压成型参数为：压力150MPa，保压10min，温度650℃。
...【技术特征摘要】
1.一种继电器电触头，其特征在于：包括由内至外依次设有电触头基体（1）、电触头中间层（2）、电触头电接触层（3）、保护层（4），所述电触头基体（1）的成分按质量百分含量计：纳米银3%~5%，sno2粉10%~20%，纳米氮化钛粉3%~5%，ag粉余量；所述电触头中间层（2）的成分按质量百分含量计：ni粉95%，ag粉5%；所述电触头电接触层（3）的成分按质量百分含量计：纳米pd粉85%~89%，ag粉11%~15%；所述保护层（4）的成分按质量百分含量计：au含量91%，ag含量9%。
2.根据权利要求1所述的一种继电器电触头，其特征在于：所述电触头基体（1）的成分中，纳米银的平均粒度为20nm~50nm，sno2粉的平均粒度为2μm~20μm，纳米氮化钛粉的平均粒度为20nm~30nm，ag粉的平均粒度为10μm~50μm。
3.根据权利要求1所述的一种继电器电触头，其特征在于：所述电触头中间层（2）的成分中，ni粉的平均粒度为5μm~20μm，ag粉的平均粒度为10μm~50μm。
4.根据权利要求1所述的一种继电器电触头，其特征在于：所述电触头电接触层（3）的成分中，纳米pd粉的平均粒度为30nm~100...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志宇，刘思汉，李庆诗，曹益熙，檀校，姚旺，王莹，郭国庆，董芳，鞠弘智，薛秋实，叶蕴洁，年望，岳云龙，柯章弘达，李佩聪，
申请(专利权)人：沈阳铁路信号有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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