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复合电子组件制造技术

技术编号:40360995 阅读:7 留言:0更新日期:2024-02-09 14:48
公开了一种复合电子组件,所述复合电子组件包括:电容器,包括电容器主体以及设置在所述电容器主体上的第一电极和第二电极,所述电容器主体包括介电层以及在所述介电层介于其间的情况下交替地堆叠的第一内电极和第二内电极;以及变阻器,包括变阻器主体以及设置在所述变阻器主体上的第三电极和第四电极,所述变阻器主体包含ZnO,其中,所述第一电极电连接到所述第三电极,并且所述第二电极电连接到所述第四电极。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种复合电子组件


技术介绍

1、根据最近的趋势,便携式电子装置已经越来越多地使用利用具有导电性的金属材料形成的壳体,并且相应地,已经越来越需要抵抗电子装置的内部电击和外部电击。

2、特别地,便携式电子装置的前表面已经越来越多地使用金属框架制造,以增强美学外观并增加强度。根据当前的趋势,已经越来越需要用于由于外部静电放电(esd)而保护内部电子组件的元件或用于防止用户由于内部电力而经受电击的元件。

3、因此,第10-2017-0135667号韩国专利公开披露了一种复合电子组件,所述复合电子组件以这样的方式被构造:使用印刷法在多层陶瓷电容器(mlcc)上形成包括第一放电电极和第二放电电极以及esd放电层的esd保护装置,以控制第一放电电极和第二放电电极的宽度以及第一放电电极和第二放电电极之间的间隔,从而实现优异的抗静电的耐久性。

4、然而,第10-2017-0135667号韩国专利公开的问题在于,在导通期间流动电流由于操作电压非常高的标准偏差和导通后的低的元件电阻而立即增加以产生辐射噪声。


技术实现思路

1、本公开的一方面可提供一种复合电子组件,所述复合电子组件具有优异的抵抗静电的耐久性和导通期间的低的电压标准偏差,防止产生辐射噪声。

2、根据本公开的一方面,一种复合电子组件可包括:电容器,包括电容器主体以及设置在所述电容器主体上的第一电极和第二电极,所述电容器主体包括介电层以及在所述介电层介于其间的情况下交替地堆叠的第一内电极和第二内电极;以及变阻器,包括变阻器主体以及设置在所述变阻器主体上的第三电极和第四电极,所述变阻器主体包含zno,其中,所述第一电极电连接到所述第三电极,并且所述第二电极电连接到所述第四电极。

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【技术保护点】

1.一种复合电子组件,包括:

2.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述第一外电极和所述第二外电极均包括电极层和设置在所述电极层上的镀层。

3.根据权利要求2所述的复合电子组件,其中,所述电极层利用与所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极以及所述第四电极相同的材料形成。

4.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述复合电子组件的导通电压的标准偏差等于或小于50。

5.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述复合电子组件的导通期间的电阻等于或大于100Ω。

6.一种复合电子组件,包括:

7.根据权利要求6所述的复合电子组件,其中,所述第一镀层、所述第二镀层、所述第三镀层和所述第四镀层均包括Ni层、Sn层或作为多层结构的所述Ni层和所述Sn层的组合。

8.根据权利要求6所述的复合电子组件,其中,所述第一镀层包括设置在所述第一电极上的Ni层以及设置在所述Ni层上的Sn层,所述第二镀层包括设置在所述第二电极上的Ni层以及设置在所述Ni层上的Sn层,所述第三镀层包括设置在所述第三电极上的Ni层以及设置在所述Ni层上的Sn层,所述第四镀层包括设置在所述第四电极上的Ni层以及设置在所述Ni层上的Sn层。

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【技术特征摘要】

1.一种复合电子组件,包括:

2.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述第一外电极和所述第二外电极均包括电极层和设置在所述电极层上的镀层。

3.根据权利要求2所述的复合电子组件,其中,所述电极层利用与所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极以及所述第四电极相同的材料形成。

4.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述复合电子组件的导通电压的标准偏差等于或小于50。

5.根据权利要求1所述的复合电子组件,其中,所述复合电子组件的导通期间的电阻等于或大于100ω。

6.一种复合电子...

【专利技术属性】
技术研发人员:金海仁吴银珠金龙性
申请(专利权)人:三星电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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