【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，具体地，涉及一种硅异质结电池的低温激光切割方法。
技术介绍
1、硅异质结电池是一种低温制备的晶硅太阳能电池，硅异质结电池的硅片的两侧覆盖有微晶硅钝化层薄膜，微晶硅钝化层的表面均制备有透明导电氧化物(tco)薄膜作为导电层，使硅异质结电池在光照下产生定向电流。在一些特定的场景下，需要对制备好的异质结硅电池进行切割，相关技术中的异质结硅电池切割方法在切割硅片时的成品率较低。
技术实现思路
1、本专利技术是基于专利技术人对以下事实和问题的发现和认识做出的：
2、相关技术中的太阳能电池切割方法在激光切割硅异质结电池时，硅异质结电池表面的局部容易出现局部高温，局部高温会导致硅片两侧的微晶硅钝化层薄膜被破坏从而导致硅异质结电池性能下降甚至报废。
3、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的实施例提出一种硅异质结电池的低温激光切割方法，该硅异质结电池的低温激光切割方法具有切割质量好的优点。
4、本专利技术实施例的硅异质结电池的低温激光切割方法包括如下步骤：设计硅异质结电池的切割路径；沿所述切割路径对所述硅异质结电池进行初次切割，且所述初次切割的激光输出功率小于第一设定阈值；沿所述切割路径对所述硅异质结电池多次重复切割，每次重复切割的激光输出功率大于所述第一设定阈值且小于第二设定阈值。
5、本专利技术实施例的硅异质结电池的低温激光切割方法具有切割质量较好，成品率较高的优点。
7、在一些实施例中，所述第一设定阈值为18w，所述第二设定阈值为30w。
8、在一些实施例中，所述硅异质结电池的低温激光切割方法包括如下步骤：将所述硅异质结电池切割设定深度尺寸的割槽后，沿所述割槽将所述硅异质结电池分割。
9、在一些实施例中，所述设定深度尺寸h与所述硅异质结电池的硅片的厚度尺寸h的比值为0.85-0.95。
10、在一些实施例中，沿所述割槽将所述硅异质结电池分割包括如下步骤：对所述硅异质结电池施加弯矩，使所述硅异质结电池沿所述割槽的延伸方向断裂，以将所述硅异质结电池沿所述割槽分割。
11、在一些实施例中，对所述硅异质结电池施加弯矩包括如下步骤：所述硅异质结电池位于所述割槽开口方向的一侧受压，所述硅异质结电池背离所述割槽开口方向的一侧受拉。
12、在一些实施例中，所述割槽包括多个平行间隔布置的第一槽和多个平行间隔布置的第二槽，所述第一槽和所述第二槽的延伸方向相交。
13、在一些实施例中，所述第一槽的延伸方向和所述第二槽的延伸方向垂直；和/或，相邻的两个所述第一槽的间距与相邻的两个所述第二槽的间距相同。
14、在一些实施例中，所述第一槽和所述第二槽中的至少一者的延伸方向与所述硅异质结电池的硅片的解理面平行。
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1.一种硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，沿所述切割路径对所述硅异质结电池多次重复切割包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，所述第一设定阈值为18W，所述第二设定阈值为30W。
4.根据权利要求3所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，所述设定深度尺寸h与所述硅异质结电池的硅片的厚度尺寸H的比值为0.85-0.95。
6.根据权利要求4所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，沿所述割槽将所述硅异质结电池分割包括如下步骤：
7.根据权利要求6所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，对所述硅异质结电池施加弯矩包括如下步骤：
8.根据权利要求4-7中任一项所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，所述割槽包括多个平行间隔布置的第一槽和多个平行间隔
9.根据权利要求8所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，所述第一槽的延伸方向和所述第二槽的延伸方向垂直；
10.根据权利要求9所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，所述第一槽和所述第二槽中的至少一者的延伸方向与所述硅异质结电池的硅片的解理面平行。
...【技术特征摘要】
1.一种硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，沿所述切割路径对所述硅异质结电池多次重复切割包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，所述第一设定阈值为18w，所述第二设定阈值为30w。
4.根据权利要求3所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
5.根据权利要求4所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其特征在于，所述设定深度尺寸h与所述硅异质结电池的硅片的厚度尺寸h的比值为0.85-0.95。
6.根据权利要求4所述的硅异质结电池的低温激光切割方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：墙子跃，王彩霞，高翔，赵晓霞，吴瑶，刘雨奇，董宁波，宗军，
申请(专利权)人：国家电投集团科学技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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