一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，涉及电磁屏蔽片生产技术领域。本发明专利技术包括将纳米晶带材卷绕成卷材；将步骤一得到的卷材放入真空热处理炉中，再依序进行两次升温保温阶段以及一次降温阶段，然后再将卷材出炉并风冷至常温；对绝缘胶进行预热处理，再将步骤二得到的卷材与绝缘胶置于覆膜机进行覆膜处理；将步骤三得到的卷材放入真空热处理炉中，再依序进行一次升温保温阶段以及一次降温阶段，然后再将卷材出炉并风冷至常温。本发明专利技术通过先将纳米晶卷材经过一次真空热处理，再将预热后的绝缘胶与卷材进行覆膜处理，然后再将绝缘胶与卷材进行二次真空热处理，能够使获得的软磁材料制成的屏蔽片具有更优异的软磁性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电磁屏蔽片生产，特别是涉及一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺。

技术介绍

1、电磁屏蔽片的作用就是隔绝电磁波，阻止金属等材料吸收发射端设备发出的电磁波并产生反方向的磁场。在手机的无线充电接收端中，如果没有电磁屏蔽片，无线充电设备便无法完成近距离充电工作。当前无线充电屏蔽片大都采用软磁材料制备，虽然对充电效率有一定提升，但其在高频条件下，软磁材料的磁导率衰减严重，且不能实现碎磁后电磁屏蔽片磁导率控制在一定范围内，影响电磁屏蔽片的整体效率。当电磁屏蔽片用于电子设备时，需要根据特定的应用场景来确定屏蔽片性能参数满足其要求，但现有技术中的软磁材料热处理工艺并不能完全发挥软磁材料的屏蔽性能，造成电磁屏蔽片的磁损耗较高。因此，亟待研究一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，以便于解决上述问题。

技术实现思路

1、本专利技术在于提供一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，其目的是为了解决上述
技术介绍
中所提出的技术问题。

2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：>

3、本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，其特征在于，所述步骤一中，纳米晶带材采用恒压力液态急冷法制成，且纳米晶带材的饱和磁感应强度不小于1.2T。

3.根据权利要求1或2所述的一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，其特征在于，所述步骤二及步骤四中，将卷材放入真空热处理炉内后，先将真空热处理炉的内部抽真空至负压0.1Mpa，再向真空热处理炉内通入惰性气体至正压0.1Mpa，然后再进行后续操作。

4.根据权利要求3所述的一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，其特征在于，所述步骤一中，纳米晶带材采用恒压力液态急冷法制成，且纳米晶带材的饱和磁感应强度不小于1.2t。

3.根据权利要求1或2所述的一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，其特征在于，所述步骤二及步骤四中，将卷材放入真空热处理炉内后，先将真空热处理炉的内部抽真空至负压0.1mpa，再向真空热处理炉内通入惰性气体至正压0.1mpa，然后再进行后续操作。

4.根据权利要求3所述的一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，其特征在于，所述步骤二中，一次升温保温阶段包括：在升温时间为50min-120min的条件下将卷材从室温升温至420℃-490℃，完成升温后再保持当前温度50min-120min。

5.根据权利要求4所述的一种电磁屏蔽片的软磁材料热处理工艺，其特征在于，所述步骤二中，二次升温保温阶段包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李岭，鲍绪东，高喻，彭飞，
申请(专利权)人：安徽金锘电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：