１０３Ｐｄ密封籽源源芯的制备工艺制造技术

本发明专利技术属于含放射性物质的医用配制品技术领域，具体涉及一种用于医学治疗的钯［１０３Ｐｄ］密封籽源源芯的制备工艺，依次包括以下两个步骤：（１）将银棒浸入氯化钯溶液中，取出用水清洗，然后将银棒浸入肼的碱性氨溶液中，取出用水清洗干净；（２）将银棒置于由氯化钯、乙二胺四乙酸二钠、氢氧化铵、肼组成的混合溶液中，水浴加热条件下搅拌反应，使银棒表面均匀覆盖一层１０３Ｐｄ。本制备工艺具有生产成本低，无环境污染，银棒表面的１０３Ｐｄ分布均匀、致密，１０３Ｐｄ利用率高等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于含放射性物质的医用配制品
，具体涉及一种用于医学治疗的 钯密封籽源源芯的制备工艺。
技术介绍
组织间植入治疗是将放射性籽源植入肿瘤组织，利用籽源源芯放射出的射线杀伤 杀死肿瘤细胞，达到治疗肿瘤和缓解疾病的目的。组织间植入治疗已用于各种实体肿瘤的 治疗，如前列腺癌、乳腺癌、肝癌、肺癌、脑癌、卵巢癌等，取得了与外科手术、外放射治疗相 同甚至更好的治疗效果。同时，该治疗方法在减少手术创伤，减少并发症，提高患者生存率， 提高生活质量方面具有突出的优势。组织间植入治疗分为暂时性植入和永久性植入，暂时 性植入是指将放射性籽源植入肿瘤部位，治疗一段时间后取出；而永久性植入是指将放射 性籽源植入肿瘤部位不再取出。常用的核素有192Ir, 198Au, 169Yb, 103Pd和125I等，其中ltl3Pd和 125I用于永久性植入。125I半衰期为59. 6天，γ射线平均能量为28keV，初始剂量率为9cGy/h，适用于治 疗分化较好、增长缓慢的肿瘤；ltl3Pd半衰期为16. 96天，γ射线平均能量为23keV，初始剂 量率为20cGy/h，适用于治疗分化较差、增殖迅速的肿瘤。许多文献对125I和ltl3Pd用于治疗 前列腺癌等实体瘤治疗的疗效作了广泛深入的报道，例如Ling et al.运用线性四元模型 在理论放射生物学的基础上比较了 125I和ltl3Pd的疗效，结论是在临床应用剂量的基础上， 125I在治疗增殖较慢的肿瘤占优势，而ltl3Pd对杀死增殖迅速的肿瘤细胞效果要好于125I。又 如Nag etal.的动物实验研究表明,3Pd治疗分化差的癌瘤更为有效。因此基于上述及其 它的一些研究成果，125I常用来治疗早期的肿瘤，而ltl3Pd多用于治疗中晚期肿瘤。放射性密封籽源源芯一般选择银作为载体，因为银是X射线的标志物，以便于植 入治疗时对籽源进行准确定位和治疗剂量的估算。通常情况下，银棒的长度为3. 0mm，直径 为0. 5mm。治疗用ltl3Pd密封籽源是将放射性ltl3Pd固定于银棒，焊封于钛或钛合金管中制成 的。放射性1(l3Pd固定到银棒上的方法通常采用吸附法、电镀法和化学镀法。吸附法虽然工 艺简单，但是需要在吸附有1(l3Pd的微球之间加入银等X射线的标志物，并且籽源剂量分布 的不均勻。电镀法工艺复杂、仪器设备要求高，生产周期长，难以进行规模化生产。而化学 镀法工艺、设备简单，生产周期短，易于推广应用。例如美国专利US4702228公开了一种吸 附法，该方法用氧化铝等微球吸附含载体的ltl3Pd,然后将两粒微球装入钛管中，并在两粒微 球放置银棒等X射线的标志物。该方法制备的ltl3Pd密封籽源的活性区位于籽源的两端，微 球在钛管内容易移动，整个籽源区域内剂量分布不均勻且会由于微球的位移发生改变，不 利于临床应用。又例如中国专利ZL01105243. 0公开了一种化学镀法，该方法以氯化钯、氯 化铵、氨、次磷酸钠为主要镀液成分，调节PH = 10，在35°C下化学镀1小时，使银棒表面覆 盖一层ltl3PcL该方法以氯化铵作为稳定剂，但氯化铵在稳定镀液的同时会降低反应速率，另 外所需还原剂次磷酸钠的浓度较高，不利于镀液的稳定性。
技术实现思路
(一)专利技术目的本专利技术目的在于解决ltl3Pd密封籽源源芯的现有制备工艺中成本高、污染大、ltl3Pd 利用率低的问题。( 二 )技术方案为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案一种ltl3Pd密封籽源源芯的制备工艺，依次包括以下两个步骤(1)将银棒浸入氯化钯溶液中，取出用水清洗，然后将银棒浸入胼的碱性氨溶液 中，取出用水清洗干净；(2)将银棒置于由氯化钯、乙二胺四乙酸二钠、氢氧化铵、胼组成的混合溶液中，水 浴加热条件下搅拌反应，使银棒表面均勻覆盖一层ltl3PcL关键在于，在步骤(1)中所述的氯化钯浓度为1 lOmmol/L，银棒在氯化钯溶液中 浸泡时间为1 5min，胼的浓度为1 5mol/L，氨的浓度为0. 1 lmol/L，银棒在胼的碱性 氨溶液中浸泡时间为1 5min ；在步骤(2)中所述的氯化钯浓度为3 30mmol/L，乙二胺四 乙酸二钠浓度为0. 1 0. 3mol/L，氢氧化铵浓度为2. 5 10mol/L，胼浓度为5 25mmol/ L,调节pH为8 12，反应温度为40 70°C，反应时间为30 90min。优选的情况，在步骤(1)中氯化钯的浓度为2 4mmol/L，银棒在氯化钯溶液中的 浸泡时间为2 4分钟。在步骤(1)中胼的浓度为1. 5 3mol/L，氨的浓度为0. 15 0. 25mol/L,银棒在 胼的碱性氨溶液中的浸泡时间为2 4分钟。在步骤⑵中氯化钯的浓度为5 15mmol/L，乙二胺四乙酸二钠浓度为0. 15 0. 25mol/L，氢氧化铵浓度为5 8mol/L，胼浓度为10 20mmol/L，pH为9 11，反应温度 为45 55°C，反应时间50 70分钟。更优选的情况，在步骤(1)中氯化钯的浓度为2mmol/L，银棒在氯化钯溶液中的浸 泡时间为3分钟。在步骤(1)中胼的浓度为2mol/L，氨的浓度为0. 2mol/L，银棒在胼的碱性氨溶液 中的浸泡时间为3分钟。在步骤(2)中氯化钯的浓度为lOmmol/L，乙二胺四乙酸二钠浓度为0. 2mol/L，氢 氧化铵浓度为6. 5mol/L，胼浓度为15mmol/L，pH为11，反应温度为50°C，反应时间60分钟。在步骤⑵中进行化学镀反应前加入放射性ltl3Pd溶液，通过调节ltl3Pd的加入量， 控制源芯活度在0. 5 2. OmCi之间。所述氯化钯可以用相同浓度的醋酸钯、硝酸钯、硫酸钯、乙酰丙酮钯等钯盐的水溶 液代替。可以采用氢氧化钠、盐酸、醋酸中的一种对溶液的pH值进行调节。在该技术方案中对银棒进行活化有利于化学镀时ltl3Pd均勻快速的沉积在银棒的 表面；氯化钯浓度不能太小，也不宜太大，太小时不能保证ltl3Pd在银棒表面均勻分布，影响 单颗籽源剂量场分布的均勻性，太大时钯层过厚，过多的吸收ltl3Pd放出的射线，且会降低 103Pd的利用率；胼的浓度不能太小，也不宜太大，太小时会降低反应速率并且造成ltl3Pd的 利用率过低，太大时易造成镀液分解。(三)有益效果本专利技术提供的技术方案具有如下优点a)本制备工艺所采用的氯化钯、乙二胺四乙酸二钠、氢氧化铵、胼等试剂都是常规 市售试剂，采购方便，价格便宜，使生产成本大大降低；b)在反应过程中，始终没有刺激性气体产生，不造成环境污染，能保证工作环境；c)银棒表面的ltl3Pd分布均勻、致密，ltl3Pd利用率高。具体实施例方式下面根据具体的实施例对本专利技术做进一步说明。实施例一本实施例为最优选的技术方案，所用的试剂均为分析纯。一种ltl3Pd密封籽源源芯的制备工艺，依次包括以下两个步骤(1)银棒的活化。将100根银棒(Φ 0. 5 X 3mm)浸入2mmol/L氯化钯溶液中3分 钟，取出用水清洗，然后将银棒浸入胼的碱性氨溶液中3分钟后取出用水清洗干净，所述胼 的碱性氨溶液中胼的浓度为2mol/L，氨的浓度为0. 2mol/L。(2) 103Pd的化学镀。配置ImL镀液，所述镀液中氯化钯浓度为lOmmol/本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种↑［１０３］Ｐｄ密封籽源源芯的制备工艺，依次包括以下两个步骤：　　（１）将银棒浸入氯化钯溶液中，取出用水清洗，然后将银棒浸入肼的碱性氨溶液中，取出用水清洗干净；　　（２）将银棒置于由氯化钯、乙二胺四乙酸二钠、氢氧化铵、肼组成的混合溶液中，水浴加热条件下搅拌反应，使银棒表面均匀覆盖一层↑［１０３］Ｐｄ；　　其特征在于：在步骤（１）中所述的氯化钯浓度为１～１０ｍｍｏｌ／Ｌ，银棒在氯化钯溶液中浸泡时间为１～５ｍｉｎ，肼的浓度为１～５ｍｏｌ／Ｌ，氨的浓度为０．１～１ｍｏｌ／Ｌ，银棒在肼的碱性氨溶液中浸泡时间为１～５ｍｉｎ；在步骤（２）中所述的氯化钯浓度为３～３０ｍｍｏｌ／Ｌ，乙二胺四乙酸二钠浓度为０．１～０．３ｍｏｌ／Ｌ，氢氧化铵浓度为２．５～１０ｍｏｌ／Ｌ，肼浓度为５～２５ｍｍｏｌ／Ｌ，调节ｐＨ为８～１２，反应温度为４０～７０℃，反应时间为３０～９０ｍｉｎ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高惠波，李忠勇，王巍，邓雪松，张文辉，韩连革，金小海，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]