一种高纯八甲基环四硅氧烷纯化设备制造技术

本技术公开了一种高纯八甲基环四硅氧烷纯化设备，属于高纯化学品技术领域，包括底板，所述底板上安装有用于原料预热的预加热器，所述预加热器上安装有用于去除低沸点组分的精馏装置，所述精馏装置上安装有用于提高温度的再沸装置，所述再沸装置上安装有用于冷却的冷却循环装置，所述精馏装置上安装有用于去除重沸点组分的离心装置，所述离心装置上安装有用于除水的膜装置，所述膜装置上安装有用于收集原料的产品收集装置，通过精馏塔对八甲基环四硅氧烷中的低沸点组分进行去除，通过离心装置可以将八甲基环四硅氧烷中的高沸点重组分和金属离子去除，通过膜装置可以将八甲基环四硅氧烷中的水去除，最终得到高品质的八甲基环四硅氧烷。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及高纯化学品，具体涉及一种高纯八甲基环四硅氧烷纯化设备。

技术介绍

1、八甲基环四硅氧烷(d4)是一种无色无味、无毒、无腐蚀性的有机硅材料。自20世纪九十年代，国内外光纤企业相继开展将八甲基环四硅氧烷应用于环保型光纤预制棒生产的技术研究。近年来，随着5g以及半导体行业的发展，为提高光纤的传输性能，降低光纤的非本征吸收损耗，对于光纤预制棒用原材料的纯度有着很高的要求，其组分纯度一般不低于99.99％，各种金属及非金属杂质总量不高于10ppb。而目前市售的d4产品普遍纯度为98％～99％，其中所含有的高低沸点杂质(如六甲基环三硅氧烷(d3)、十甲基环五硅氧烷(d5))、金属离子杂质、h2o和o2等，在光纤预制棒气化沉积过程中，容易引起喷灯口堵塞，影响沉积产品的质量。

2、目前，国内对d4的提纯方式主要是精馏。采用普通精馏提纯方法，除杂效果十分有限，不能满足集成电路产业的需求。在专利cn108929343a中，采用溶剂低温结晶耦合精馏进行提纯d4，该过程虽然能够有效去除d4中的高低沸点，但对产品中的h2o和o2没有进行有效的控制，且操作过程相本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高纯八甲基环四硅氧烷纯化设备，包括底板(1)，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的高纯八甲基环四硅氧烷纯化设备，其特征在于，所述预加热器(2)包括第一反应筒(21)、第一进料管(22)、第一出料管(23)、第一排气管(24)、螺旋热媒管(25)、第一出液管(26)、阀门(27)、第一进液管(28)和支撑柱(29)，所述第一反应筒(21)的底端固定连接有支撑柱(29)，所述支撑柱(29)与底板(1)固定连接，所述第一反应筒(21)的顶部固定连接有第一排气管(24)，所述第一反应筒(21)的进料口固定连接有第一进料管(22)，所述第一反应筒(21)的进液口与第一进液管(...

【技术特征摘要】

1.一种高纯八甲基环四硅氧烷纯化设备，包括底板(1)，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的高纯八甲基环四硅氧烷纯化设备，其特征在于，所述预加热器(2)包括第一反应筒(21)、第一进料管(22)、第一出料管(23)、第一排气管(24)、螺旋热媒管(25)、第一出液管(26)、阀门(27)、第一进液管(28)和支撑柱(29)，所述第一反应筒(21)的底端固定连接有支撑柱(29)，所述支撑柱(29)与底板(1)固定连接，所述第一反应筒(21)的顶部固定连接有第一排气管(24)，所述第一反应筒(21)的进料口固定连接有第一进料管(22)，所述第一反应筒(21)的进液口与第一进液管(28)的一端固定连接，所述第一进液管(28)上固定安装有阀门(27)，所述第一进液管(28)的另一端与精馏装置(3)连接，所述第一反应筒(21)的出液口与第一出液管(26)的一端固定连接，所述第一出液管(26)的另一端与冷却循环装置(4)固定连接，所述第一出液管(26)上固定安装有阀门(27)，所述第一反应筒(21)的出料口与第一出料管(23)的一端固定连接，所述第一出料管(23)的另一端与精馏装置(3)固定连接，所述第一出料管(23)上固定安装有阀门(27)，所述第一反应筒(21)的内部设置有螺旋热媒管(25)，所述螺旋热媒管(25)的进液口与第一进液管(28)固定连接，所述螺旋热媒管(25)的出液口与第一出液管(26)固定连接。

3.根据权利要求2所述的高纯八甲基环四硅氧烷纯化设备，其特征在于，所述精馏装置(3)包括精馏塔(31)、第二排气管(32)、第二进液管(33)、热流管(34)和第二出料管(35)，所述精馏塔(31)通过固定柱固定安装在底板(1)上，所述精馏塔(31)的进料口与第一出料管(23)的另一端固定连接，所述精馏塔(31)的排气口固定连接有第二排气管(32)，所述精馏塔(31)的进液口与第二进液管(33)的一端固定连接，所述第二进液管(33)的另一端与冷却循环装置(4)连接，所述第二进液管(33)与第一进液管(28)的另一端固定连接，所述精馏塔(31)的底部出料口与第二出料管(35)的一端固定连接，所述第二出料管(35)的另一端与离心装置(6)固定连接，所述精馏塔(31)的下端外壁与热流管(34)的一端固定连接，所述热流管(34)的另一端与再沸装置(5)连接。

4.根据权利要求3所述的高纯八甲基环四硅氧烷纯化设备，其特征在于，所述再沸装置(5)包括第一支撑架(51)和再沸器(52)，所述底板(1)上固定安装有第一支撑架(51)，所述再沸器(52)固定安装在第一支撑架(51)的内底部，所述第一支撑架(51)的顶部安装有冷却循环装置(4)，所述再沸器(52)的输出口与热流管(34)的另一端固定连接。

5.根据权利要求4所述的高纯八甲基环四硅氧烷纯化设备，其特征在于，所述冷却循环装置(4)包括冷凝器(41)、第三进液管(42)和冷水塔(43)，所述冷凝器(41)固定安装在第一支撑架(51)上，所述冷凝器(41)的出液口与第二进液管(33)的另一端固定连接，所述冷凝器(41)的进液口与第三进液管(42)的一端固定连接，所述第三进液管(42)的另一端与冷水塔(43)的出液口固定连接，所述第三进液管(42)上也固定安装有阀门(27)，所述冷水塔(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：许摇摇，孔超，孙猛，齐相前，朱晓斌，
申请(专利权)人：金宏气体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：