【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电容测量,尤其涉及一种射频复电容率测量装置及方法。
技术介绍
1、复电容率是能同时反映电介质在交变电场中极化与损耗特性的物理量,射频频段复电容率包括实部介电常数和虚部介电损耗,其中,实部指的是介质内导电能力的大小,虚部则表示介质的储能能力。实部是描述电流通过介质时,由于介质具有的电导性而产生的能量损耗。它反映了介质对电流的吸收和耗散能力。实部值越大,说明介质的导电性越强,耗散的能量也越多。虚部则用于描述介质内部存储电荷的能力,即介质的电容性。虚部值越大,说明介质的电容性越强,能够储存的电荷越多。
2、现有技术中,射频频段复电容率的测量夹具主要针对质量为克量级的微小物体、液体或大块固体上的一小块区域进行测量。在针对大块固体、固体粉末或颗粒物堆进行测量时实用性不佳,测量结果无法反映被测物质整体的效应复电容率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于解决上述技术问题之一,提供一种射频复电容率测量装置及方法。
2、为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:<
...【技术保护点】
1.一种射频复电容率测量装置,其特征在于,包括测量夹具、分析仪和终端器;
2.根据权利要求1所述的射频复电容率测量装置,其特征在于,所述测量夹具使用时,被测物质设置在所述测量区内,所述射频同轴连接器将电磁波馈电到两个参考电极板和中心电极板,所述电磁波通过所述测量区两端的空气区域过渡为准TEM模式,在所述测量区内与所述被测物质发生电磁相互作用,所述分析仪测量所述第一端口的反射系数,以基于所述反射系数反演获得所述被测物质的复电容率。
3.根据权利要求1或2所述的射频复电容率测量装置,其特征在于,所述分析仪为阻抗分析仪或网络分析仪。
4.
...【技术特征摘要】
1.一种射频复电容率测量装置,其特征在于,包括测量夹具、分析仪和终端器;
2.根据权利要求1所述的射频复电容率测量装置,其特征在于,所述测量夹具使用时,被测物质设置在所述测量区内,所述射频同轴连接器将电磁波馈电到两个参考电极板和中心电极板,所述电磁波通过所述测量区两端的空气区域过渡为准tem模式,在所述测量区内与所述被测物质发生电磁相互作用,所述分析仪测量所述第一端口的反射系数,以基于所述反射系数反演获得所述被测物质的复电容率。
3.根据权利要求1或2所述的射频复电容率测量装置,其特征在于,所述分析仪为阻抗分析仪或网络分析仪。
4.根据权利要求1或2所述的射频复电容率测量装置,其特征在于,所述终端器为开路器或短路器或匹配电阻器。
5.根据权利要求1所述的射频复电容率测量装置,其特征在于,所述中心电极板与所述参考电极板相对的端...
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