【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及器件结构体及其制造方法。
技术介绍
1、在有机电致发光装置和柔性触摸传感器等器件中,有时要求设置抑制水分向器件内侵入的构成要素。例如,有机电致发光装置能够具有玻璃板等基材和包含设置在该基材上的电极层和发光层的元件部。在元件部所包含的材料中存在会由于水分的侵入而劣化的材料。因此,为了抑制水分向元件部侵入,有时形成将元件部密封的密封层。
2、在大量器件中,密封层具有由有机材料形成的有机密封层和由无机材料形成的无机密封层(专利文献1)。以往,有机密封层通常在大气压下形成。此外,无机密封层大多通过cvd法(chemical vapor deposition:化学气相沉积)等方法在真空环境下形成。
3、但是,在专利文献1所记载的那样的真空环境下的工艺由于无机密封层的形成装置大型化和复杂化,因此会导致高成本。特别是,在使用等离子体的等离子体cvd法等工艺中,会产生等离子体粉尘等颗粒,该颗粒会导致元件部劣化。
4、根据这样的背景,要求开发能够在大气压下形成无机密封层的技术。为了应对该要求,近年来,开发
...【技术保护点】
1.一种器件结构体,其包含:具有基材和设置在所述基材上的元件部的多层物;以及将所述元件部密封的密封层,
2.根据权利要求1所述的器件结构体,其中,所述密封层包含:设置在所述元件部上的第一密封层;以及设置在所述第一密封层上的、两层以上的第二密封层和两层以上的第三密封层,所述密封层具有交替地层叠了所述第二密封层和所述第三密封层的结构,
3.根据权利要求1或2所述的器件结构体,其中,所述第一密封层为所述有机密封层或包含有机硅的有机硅密封层。
4.根据权利要求1或2所述的器件结构体,其中,所述热塑性弹性体为选自氢化芳香族乙烯基化合物-共轭二
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种器件结构体,其包含:具有基材和设置在所述基材上的元件部的多层物;以及将所述元件部密封的密封层,
2.根据权利要求1所述的器件结构体,其中,所述密封层包含:设置在所述元件部上的第一密封层;以及设置在所述第一密封层上的、两层以上的第二密封层和两层以上的第三密封层,所述密封层具有交替地层叠了所述第二密封层和所述第三密封层的结构,
3.根据权利要求1或2所述的器件结构体,其中,所述第一密封层为所述有机密封层或包含有机硅的有机硅密封层。
4.根据权利要求1或2所述的器件结构体,其中,所述热塑性弹性体为选自氢化芳香族乙烯基化合物-共轭二烯嵌段共聚物和氢化芳香族乙烯基化合物-共轭二烯嵌段共聚物的基于含硅原子极性基团的改性物中的一种以上。
5.根据权利要求4所述的器件结构体,其中,所述氢化芳香族乙烯基化合物-共轭二烯嵌段共聚物具有将非芳香族性碳-碳不饱和键和芳香族性碳-碳不饱和键这两者氢化了的结构。
6.根据权利要求1或2所述的器件结构体,其中,所述有机密封层包含选自水分吸附剂和紫外线吸收剂中的一种以上。
7.根据权利要求1或2所述的器件结构体,其中,所述密封层所包含的各构成层的厚度为300nm以下。...
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