【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文涉及具有动态死区时间的半桥电源。
技术介绍
1、半桥转换器具有两个通常由脉宽调制(pwm)方案控制的开关。在现有方法中，固定的断开时间(也称为死区时间)已经应用于两个开关位置。该值已经通过实验确定，并且是可靠性和功率损耗之间的折衷。如果固定死区时间设置得太短，半桥将经历一种称为击穿的效应，此时两个开关的接通状态重叠。这会增加功率损耗，并可能损坏输出级。如果固定死区时间设置得太长，功率损耗会增加，所需输出电压会降低或失真。
2、一些现有方法试图通过使用栅极驱动器完全在硬件内控制pwm方案来减少功率损耗。在这种尝试中，输出电路监控电压转换，以设置死区时间。然而，这些方法实现起来可能很昂贵，并且可能没有实现功率损耗降低的全部潜力。
技术实现思路
1、在第一方面中，半桥电源包括：电连接到能量源和负载的第一开关；电连接到能量源和负载的第二开关；以及电连接到第一和第二开关的电路，该电路被配置为基于正在被断开的第一和第二开关中的一个具有正向电流，为半桥电源提供动态死区时间。
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【技术保护点】
1.一种半桥电源，包括：
2.根据权利要求1所述的半桥电源，其中所述第一和第二开关中的至少一个包括碳化硅MOSFET。
3.根据权利要求1所述的半桥电源，其中所述第一和第二开关中的至少一个包括IGBT。
4.根据权利要求1所述的半桥电源，其中所述第一和第二开关中的至少一个包括硅MOSFET。
5.根据权利要求1所述的半桥电源，其中所述半桥电源包括逆变器。
6.根据权利要求1所述的半桥电源，还包括电连接到所述电路的控制器，所述控制器包括第一处理器。
7.根据权利要求6所述的半桥电源，其中所述电路包括...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半桥电源，包括：
2.根据权利要求1所述的半桥电源，其中所述第一和第二开关中的至少一个包括碳化硅mosfet。
3.根据权利要求1所述的半桥电源，其中所述第一和第二开关中的至少一个包括igbt。
4.根据权利要求1所述的半桥电源，其中所述第一和第二开关中的至少一个包括硅mosfet。
5.根据权利要求1所述的半桥电源，其中所述半桥电源包括逆变器。
6.根据权利要求1所述的半桥电源，还包括电连接到所述电路的控制器，所述控制器包括第一处理器。
7.根据权利要求6所述的半桥电源，其中所述电路包括电连接到所述控制器的逻辑电路。
8.根据权利要求7所述的半桥电源，其中所述逻辑电路包括现场可编程门阵列。
9.根据权利要求6所述的半桥电源，其中所述电路包括执行软件的第二处理器，其中所述软件定义所述动态死区时间。
10.根据权利要求9所述的半桥电源，其中所述第二处理器是所述第一处理器。
11.根据权利要求1所述的半桥电源，其中所述电路被配置为从查找表中获得所...
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