半导体结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体结构，包括：逻辑单元，包括：第一晶体管，包括沿第一方向延伸并与第一半导体鳍片重叠的第一栅极结构；以及第二晶体管，包括沿所述第一方向延伸并与所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片重叠的第二栅极结构，其中，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管共享源极/漏极区，并且所述第一栅极结构的一端形成在所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片之间。本发明专利技术的半导体结构可以兼顾功率和速度，从而实现更加优秀的半导体结构性能以及更灵活的设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构。

技术介绍

1、集成电路(integrated circuit，ic)已经变得越来越重要。使用ic的应用被数百万人使用。这些应用包括手机、智能手机、平板电脑、笔记本电脑、笔记本电脑、pda(personal digital assistant，个人数字助理)、无线电子邮件终端、mp3音频和视频播放器、便携式无线网络浏览器等。集成电路越来越多地包括强大且高效的板载(on-board)数据存储和用于信号控制和处理的逻辑电路。

2、随着集成电路尺寸缩小的增加，它们变得更加紧凑。当标准单元(集成电路中常用)的数量增加时，芯片面积就会增加。因此，需要一种兼顾功率和速度的单元阵列(cellarray)。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供一种半导体结构，以解决上述问题。

2、根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体结构，包括：

3、逻辑单元，包括：

4、第一晶体管，包括沿第一方向延伸并与第一半导体鳍片重叠的第一栅极结构；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管具有相同的导电类型。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片在所述逻辑单元中具有相同的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述逻辑单元还包括：

5.一种半导体结构，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连续鳍片和所述第二连续鳍片具有相同的长度。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管具有相同的导电类型。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片在所述逻辑单元中具有相同的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述逻辑单元还包括：

5.一种半导体结构，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连续鳍片和所述第二连续鳍片具有相同的长度。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括单鳍片p型晶体管，并且所述单鳍片p型晶体管包括与第一连续鳍片之一重叠的栅极结构。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括单鳍片n型晶体管，并且所述单鳍片n型晶体管包括与第二连续鳍片之一重叠的栅极结构。

9.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括双鳍片p型晶体管，并且所述双鳍片p型晶体管包括与两个相邻的第一连续鳍片重叠的栅极结构。

10.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括双鳍片n型晶体管，并且所述双鳍片n型晶体管包括与两个相邻的第二连续鳍片重叠的栅极结构。

11.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括共享栅极结构的多鳍片p型晶体管和多鳍片n型晶体管，并且所述栅极结构与所有的第一连续鳍片和第二连续鳍片重叠。

12.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列还包括：

13.一种半导体结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡嘉欣，曾韦杰，曾峥，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：