【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构。
技术介绍
1、集成电路(integrated circuit，ic)已经变得越来越重要。使用ic的应用被数百万人使用。这些应用包括手机、智能手机、平板电脑、笔记本电脑、笔记本电脑、pda(personal digital assistant，个人数字助理)、无线电子邮件终端、mp3音频和视频播放器、便携式无线网络浏览器等。集成电路越来越多地包括强大且高效的板载(on-board)数据存储和用于信号控制和处理的逻辑电路。
2、随着集成电路尺寸缩小的增加，它们变得更加紧凑。当标准单元(集成电路中常用)的数量增加时，芯片面积就会增加。因此，需要一种兼顾功率和速度的单元阵列(cellarray)。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种半导体结构，以解决上述问题。
2、根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体结构，包括：
3、逻辑单元，包括：
4、第一晶体管，包括沿第一方向延伸并与第一半导体鳍片重叠的第一栅极结构；以及
5、第二晶体管，包括沿所述第一方向延伸并与所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片重叠的第二栅极结构，
6、其中，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，
7、其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管共享源极/漏极区，并且所述第一栅极结构的一端形成在所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片之间。
8、
9、进一步的，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片在所述逻辑单元中具有相同的长度。以满足不同晶体管的需求，并且方便制造，以及保持结构的完整性。
10、进一步的，所述逻辑单元还包括：
11、第三晶体管，包括在所述第一方向上延伸并与第三半导体鳍片重叠的第二栅极结构，
12、其中，所述第三半导体鳍片与所述第一半导体鳍片以及所述第二半导体鳍片平行，并且所述第二晶体管和所述第三晶体管具有不同的导电类型。以满足不同的设计需求。
13、根据本专利技术的第二方面，公开一种半导体结构，包括：
14、单元阵列，包括多个第一逻辑单元，
15、其中，设置在所述单元阵列的第一行的所述第一逻辑单元的p型晶体管共享多个第一连续鳍片，设置在所述单元阵列的第一行的第一逻辑单元的n型晶体管共享多个第二连续鳍片，
16、其中，所述单元阵列的第一行中的第一连续鳍片的数量与第二连续鳍片的数量不同。以满足不同的设计需求，可以兼顾功率和速度，提高设计弹性。
17、进一步的，所述第一连续鳍片和所述第二连续鳍片具有相同的长度。以满足不同晶体管的需求，并且方便制造，以及保持结构的完整性。
18、进一步的，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括单鳍片p型晶体管，并且所述单鳍片p型晶体管包括与第一连续鳍片之一重叠的栅极结构。以实现所需的晶体管功能。
19、进一步的，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括单鳍片n型晶体管，并且所述单鳍片n型晶体管包括与第二连续鳍片之一重叠的栅极结构。以实现所需的晶体管功能。
20、进一步的，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括双鳍片p型晶体管，并且所述双鳍片p型晶体管包括与两个相邻的第一连续鳍片重叠的栅极结构。以实现所需的晶体管功能。
21、进一步的，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括双鳍片n型晶体管，并且所述双鳍片n型晶体管包括与两个相邻的第二连续鳍片重叠的栅极结构。以实现所需的晶体管功能。
22、进一步的，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括共享栅极结构的多鳍片p型晶体管和多鳍片n型晶体管，并且所述栅极结构与所有的第一连续鳍片和第二连续鳍片重叠。以实现所需的晶体管功能。
23、进一步的，所述单元阵列还包括：
24、多个第二逻辑单元，
25、其中，设置在所述单元阵列的第二行的第二逻辑单元的p型晶体管共享多个第三连续鳍片，位于所述单元阵列的第二行的第二逻辑单元的n型晶体管共享多个第四连续鳍片，
26、其中，所述单元阵列的第二行中的第三连续鳍片的数量等于第四连续鳍片的数量。以满足不同的设计需求，提高设计弹性。
27、根据本专利技术的第三方面，公开一种半导体结构，包括：
28、多个逻辑单元，形成于单元阵列中；
29、其中，设置在所述单元阵列的第一行的逻辑单元的p型晶体管共享沿第一方向延伸的多个第一半导体鳍片，设置在所述单元阵列的第一行的逻辑单元的n型晶体管共享沿第一方向延伸的多个第二半导体鳍片，
30、其中所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元包括第一p型晶体管和第一n型晶体管，
31、其中与所述第一p型晶体管的第一栅极结构重叠的第一半导体鳍片的数量不同于与所述第一n型晶体管的第二栅极结构重叠的第二半导体鳍片的数量，
32、其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，并且所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在所述第二方向上对齐。
33、进一步的，所述第一逻辑单元还包括第二p型晶体管和第二n型晶体管，其中与所述第二p型晶体管的栅极结构重叠的第一半导体鳍片的数量等于与所述第二n型晶体管的栅极结构重叠的第二半导体鳍片的数量，其中所述第二p型晶体管和所述n型晶体管的栅极结构在所述第二方向上对齐。以满足不同的设计需求，提高设计弹性。
34、进一步的，所述第一逻辑单元还包括第三p型晶体管和第三n型晶体管，并且所述第三p型晶体管和所述第三n型晶体管共享公共电极，所述公共电极沿所述第二方向延伸并与所有的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片重叠。以方便制造，并形成所需的功能。
35、进一步的，所述第一半导体鳍片的数量等于所述第二半导体鳍片的数量。以满足不同的设计需求，提高设计弹性。
36、进一步的，在所述单元阵列的每行中，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片具有相同的长度。以满足不同的设计需求，提高设计弹性。
37、进一步的，所述单元阵列的第一行中的第二逻辑单元包括单鳍片p型晶体管或单鳍片n型晶体管，并且所述单鳍片p型晶体管包括与第一半导体鳍片之一重叠的栅极结构，并且所述单鳍片n型晶体管包括与第二半导体鳍片之一重叠的栅极结构。以满足不同的设计需求，提高设计弹性。
38、进一步的，所述单元阵列的第一行中的第三逻辑单元包括双鳍片p型晶体管或双鳍片n型晶体管，并且所述双鳍片p型晶体管包括与第一半导体鳍片中的两个相邻的鳍片重叠的栅极结构，并且双鳍片n型晶体管包括与第二半导体鳍片中的两个相邻的重叠的栅极结构。以满足不同的设计需求，提高设计弹性本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管具有相同的导电类型。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片在所述逻辑单元中具有相同的长度。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述逻辑单元还包括：
5.一种半导体结构，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连续鳍片和所述第二连续鳍片具有相同的长度。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括单鳍片P型晶体管，并且所述单鳍片P型晶体管包括与第一连续鳍片之一重叠的栅极结构。
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括单鳍片N型晶体管，并且所述单鳍片N型晶体管包括与第二连续鳍片之一重叠的栅极结构。
9.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中，所述单元阵列的第一行中的第
10.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括双鳍片N型晶体管，并且所述双鳍片N型晶体管包括与两个相邻的第二连续鳍片重叠的栅极结构。
11.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括共享栅极结构的多鳍片P型晶体管和多鳍片N型晶体管，并且所述栅极结构与所有的第一连续鳍片和第二连续鳍片重叠。
12.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列还包括：
13.一种半导体结构，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一逻辑单元还包括第二P型晶体管和第二N型晶体管，其中与所述第二P型晶体管的栅极结构重叠的第一半导体鳍片的数量等于与所述第二N型晶体管的栅极结构重叠的第二半导体鳍片的数量，其中所述第二P型晶体管和所述N型晶体管的栅极结构在所述第二方向上对齐。
15.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一逻辑单元还包括第三P型晶体管和第三N型晶体管，并且所述第三P型晶体管和所述第三N型晶体管共享公共电极，所述公共电极沿所述第二方向延伸并与所有的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片重叠。
16.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体鳍片的数量等于所述第二半导体鳍片的数量。
17.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，在所述单元阵列的每行中，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片具有相同的长度。
18.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第二逻辑单元包括单鳍片P型晶体管或单鳍片N型晶体管，并且所述单鳍片P型晶体管包括与第一半导体鳍片之一重叠的栅极结构，并且所述单鳍片N型晶体管包括与第二半导体鳍片之一重叠的栅极结构。
19.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第三逻辑单元包括双鳍片P型晶体管或双鳍片N型晶体管，并且所述双鳍片P型晶体管包括与第一半导体鳍片中的两个相邻的鳍片重叠的栅极结构，并且双鳍片N型晶体管包括与第二半导体鳍片中的两个相邻的重叠的栅极结构。
20.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，与所述第一栅极结构重叠的第一半导体鳍片和与所述第二栅极结构重叠的第二半导体鳍片通过不与第一栅极结构重叠的第一半导体鳍片和不与第二栅极结构重叠的第二半导体鳍片分开。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管具有相同的导电类型。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体鳍片和所述第二半导体鳍片在所述逻辑单元中具有相同的长度。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述逻辑单元还包括：
5.一种半导体结构，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连续鳍片和所述第二连续鳍片具有相同的长度。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括单鳍片p型晶体管，并且所述单鳍片p型晶体管包括与第一连续鳍片之一重叠的栅极结构。
8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括单鳍片n型晶体管，并且所述单鳍片n型晶体管包括与第二连续鳍片之一重叠的栅极结构。
9.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括双鳍片p型晶体管，并且所述双鳍片p型晶体管包括与两个相邻的第一连续鳍片重叠的栅极结构。
10.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括双鳍片n型晶体管，并且所述双鳍片n型晶体管包括与两个相邻的第二连续鳍片重叠的栅极结构。
11.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列的第一行中的第一逻辑单元之一包括共享栅极结构的多鳍片p型晶体管和多鳍片n型晶体管，并且所述栅极结构与所有的第一连续鳍片和第二连续鳍片重叠。
12.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述单元阵列还包括：
13.一种半导体结构，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡嘉欣，曾韦杰，曾峥，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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