System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 火花塞制造技术_技高网

火花塞制造技术

技术编号:40312213 阅读:8 留言:0更新日期:2024-02-07 20:54
本发明专利技术的火花塞具备:绝缘体,由氧化铝基烧结体构成;中心电极,是向绝缘体插入的棒状的电极,在自身的后端侧具有在径向上扩展而与绝缘体的内壁卡定的扩径部;导电性密封件,在绝缘体的内部配置于中心电极的后端侧。在通过对在从扩径部的最大径的部分沿着轴线方向而向后端侧离开了2mm的位置处将绝缘体在相对于轴线方向垂直的方向上切断而得到的切断面进行镜面研磨而得到的镜面研磨面中,在以分别与绝缘体的内周面与外周面之间的中心位置即基准位置重叠且互相不重叠的方式将192μm×255μm的观察区域设定了20个的情况下,观察区域中包含的气孔的比例的平均为3.5%以下,且关于比例的偏差,在将标准偏差设为σ时σ为0.36以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及火花塞


技术介绍

1、在内燃机中使用的火花塞具备由以氧化铝为主成分的氧化铝基烧结体构成的筒状的绝缘体和收容于该绝缘体的内部的中心电极(例如,专利文献1)。中心电极整体上呈前端从绝缘体露出且后端收容于绝缘体的内部的棒状,在后端侧具备在径向上扩展的形状的扩径部(电极凸缘部)。扩径部在中心电极收容于绝缘体的内部的状态下,向绝缘体的内壁中的呈台阶状地隆起的部分卡定。需要说明的是,在扩径部的后端设置有比扩径部小径的电极头部。

2、在绝缘体的内部收容有中心电极的状态下,中心电极的后端侧的部分(也就是说,扩径部及电极头部)和绝缘体的内壁在径向上互相保持间隔且对向。并且,以将它们之间填埋并且覆盖中心电极的后端的形式,导电性的密封构件设置于绝缘体的内部。密封构件例如由包含b2o3-sio2系等的玻璃颗粒和金属颗粒(cu、fe等)的导电性的组成物构成。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2020-57559号公报

6、(专利技术所要解决的课题)

7、对于上述的中心电极的后端侧的部分和绝缘体的内壁在径向上互相对向的部位,在火花塞1的使用时,从中心电极的前端侧向后端侧移动来的热容易积攒,而且,在向中心电极施加了高电压时,电场容易集中。尤其是,在中心电极的后端侧之中,对于在径向上扩展的形状的扩径部在径向上与绝缘体的内壁对向的部位,间隙更窄,热的集中、电场的集中容易发生。因而,可以说,在绝缘体之中,在径向上与中心电极的扩径部对向的部分被置于最严酷的环境下。

8、并且,这样的绝缘体的部分有时被来源于密封构件等的碱性成分侵蚀,绝缘体的耐电压性能下降。与中心电极的扩径部对向的部分的绝缘体与密封构件直接接触,因此,密封构件中包含的碱性成分有时会将绝缘体的所述部分侵蚀。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供具备耐碱侵蚀性等优异的绝缘体的火花塞。

2、(用于解决课题的手段)

3、本专利技术人等为了达成所述目的而进行了锐意研究的结果,发现了:在从收容于绝缘体的内部的中心电极的扩径部的最大径的部分沿着轴线方向而向后端侧离开了2mm的位置附近的绝缘体的内部组织中,在规定的偏差的条件下,若以规定的比例存在气孔,则来源于密封构件等的碱性成分对绝缘体的侵蚀被抑制,完成了本申请专利技术。

4、用于解决所述课题的手段如下。即,

5、<1>一种火花塞,具备:绝缘体,呈沿着轴线方向延伸的筒状,由氧化铝基烧结体构成;中心电极,是以前端从所述绝缘体露出且后端收容于所述绝缘体的内部的方式向所述绝缘体插入的棒状的电极,在自身的后端侧具有在径向上扩展而与所述绝缘体的内壁卡定的扩径部;及导电性密封件,在所述绝缘体的内部配置于所述中心电极的所述后端侧,其中,在通过对在从所述扩径部的最大径的部分沿着所述轴线方向而向所述后端侧离开了2mm的位置处将所述绝缘体在相对于所述轴线方向垂直的方向上切断而得到的切断面进行镜面研磨而得到的镜面研磨面中,在以分别与所述绝缘体的内周面与外周面之间的中心位置即基准位置重叠且互相不重叠的方式将192μm×255μm的观察区域设定了20个的情况下,所述观察区域中包含的气孔的比例(气孔率)的平均为3.5%以下,且关于所述比例(气孔率)的偏差,在将标准偏差设为σ时σ为0.36以下。

6、<2>根据所述<1>所述的火花塞,在所述观察区域中,所述气孔中的面积为0.05μm2以上的大型气孔的个数的平均为200个以上且600个以下。

7、<3>根据所述<2>所述的火花塞,关于所述观察区域中的所述大型气孔的所述个数的偏差,在将标准偏差设为σ时3σ为100以下。

8、<4>根据所述<3>所述的火花塞,所述3σ为50以下。

9、<5>根据所述<2>~<4>的任一个所述的火花塞,在所述观察区域中,所述气孔的所述比例(气孔率)的平均为1.0%以上,且所述大型气孔的所述个数的平均为240个以上。

10、<6>根据所述<2>~<5>的任一个所述的火花塞,在所述观察区域中,关于所述大型气孔的所述个数的偏差,在将标准偏差设为σ时“所述个数的平均+3σ”的值小于330个。

11、<7>根据所述<2>~<6>的任一个所述的火花塞,在所述镜面研磨面中,在将配置于所述绝缘体的所述内周面与所述外周面之间的区域以使径向的长度被三等分的方式进行了划分的情况下,关于配置于最内侧的内侧区域,以互相不重叠的方式将192μm×255μm的内侧观察区域设定20个,并且关于配置于最外侧的外侧区域,以互相不重叠的方式将192μm×255μm的外侧观察区域设定20个,所述内侧观察区域中包含的气孔的比例(气孔率)的平均比所述外侧观察区域中包含的气孔的比例(气孔率)的平均小0.1~2%。

12、(专利技术效果)

13、根据本专利技术,能够提供具备耐碱侵蚀性等优异的绝缘体的火花塞。

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【技术保护点】

1.一种火花塞,具备:

2.根据权利要求1所述的火花塞,

3.根据权利要求2所述的火花塞,

4.根据权利要求3所述的火花塞,

5.根据权利要求2~4中任一项所述的火花塞,

6.根据权利要求2~5中任一项所述的火花塞,

7.根据权利要求2~6中任一项所述的火花塞,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种火花塞,具备:

2.根据权利要求1所述的火花塞,

3.根据权利要求2所述的火花塞,

4.根据权利要求3所述的火花塞,

...

【专利技术属性】
技术研发人员:田村谦幸吉田治树岛田大辉久木野友哉木场琢人藤村研悟
申请(专利权)人:日本特殊陶业株式会社
类型:发明
国别省市:

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