【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及发光二极管(led)阵列、包括led阵列的光源、和包括led阵列的显示器。
技术介绍
1、无机led已广泛用于制造不同类型的显示器、矩阵和光引擎，所述不同类型的显示器、矩阵和光引擎包括：机动车自适应前灯，增强现实(ar)显示器，虚拟现实(vr)显示器，混合现实(mr)显示器、智能眼镜以及用于移动电话、智能手表、监控器和电视的显示器，以及用于移动电话中相机的闪光灯照明。取决于矩阵或显示器尺寸及其每英寸像素的要求，这些架构中的各个led像素可以具有几平方毫米下至几平方微米的面积。这些类型的led矩阵/显示器通常通过将各个像素从施主衬底转移并附接到控制器背板或电子板来实现。这种阵列也可以通过单片方法制造，其中单片集成的led像素阵列被加工成施主外延晶片上的led模块，并且然后被转移并附接到控制器背板。
2、这种阵列/显示器的关键规格之一是对比度(cr)。cr被定义为一个或一组“接通”状态像素与相邻“关断”状态像素的亮度比。这意味着当光子从“接通”状态像素溢出到相邻的“关断”状态像素时，cr大大降低。低cr通常导致图像模糊或投射的光束图案受损。
技术实现思路
1、本说明书公开了led阵列包括图案化反射网格，其增强了阵列中相邻像素或相邻像素组之间的对比度。反射网格上的图案还可以改善反射网格和设置在反射网格上并附接至反射网格的一层或多层材料之间的粘附力。反射网格可以形成为例如反射金属网格、电介质反射器网格、或分布式布拉格反射器(dbr)网格。如果形成为金属网格，
2、本文公开的led阵列可以包括磷光体转换led或直接彩色led。阵列中的各个led可以具有发光表面，其面积的范围从几平方微米(微led)到平方毫米(常规led)。
3、本文公开的led阵列可以有利地用于上文
技术介绍
部分中列出的器件和应用中的任何一个中。
【技术保护点】
1.一种发光二极管阵列，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中所述发光表面被图案化以散射光。
3.根据权利要求2所述的发光二极管阵列，其中所述发光表面和所述反射网格表面包括不同的光散射图案。
4.根据权利要求2所述的发光二极管阵列，其中所述发光表面和所述反射网格表面包括相同的光散射图案。
5.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中所述反射网格的图案化光散射表面与相邻的发光表面共平面。
6.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中所述反射网格的图案化光散射表面在所述光散射表面面向的方向上延伸超过所述发光表面。
7.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中所述反射网格是或包括反射金属网格，所述反射金属网格向所述发光二极管提供电接触。
8.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，包括设置在所述发光表面和所述反射网格的图案化光散射表面上的波长转换结构。
9.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中：
10.根据权利要求9所述的发光二极管阵列，包括设置在所述发光表面和所述
11.一种显示系统，包括：
12.一种移动设备，包括：
13.一种制造发光二极管阵列的方法，所述方法包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述反射侧壁提供与所述发光二极管的电接触。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述发光二极管包括由所述衬底图案化的发光表面。
16.根据权利要求13所述的方法，包括将所述沟槽蚀刻到所述衬底中，使得所述反射侧壁的图案化表面延伸超过所述发光二极管的相邻表面。
17.根据权利要求13所述的方法，包括在移除所述衬底之后，蚀刻先前与所述衬底接触的所述发光二极管的表面，使得所述反射侧壁的图案化表面延伸超过所述发光二极管的蚀刻表面。
18.根据权利要求13所述的方法，包括在移除所述衬底之后，在所述发光二极管上形成波长转换结构，所述波长转换结构与所述反射侧壁的图案化表面和所述发光二极管的发光表面接触。
19.一种制造发光二极管阵列的方法，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述反射侧壁提供与所述发光二极管的电接触。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种发光二极管阵列，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中所述发光表面被图案化以散射光。
3.根据权利要求2所述的发光二极管阵列，其中所述发光表面和所述反射网格表面包括不同的光散射图案。
4.根据权利要求2所述的发光二极管阵列，其中所述发光表面和所述反射网格表面包括相同的光散射图案。
5.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中所述反射网格的图案化光散射表面与相邻的发光表面共平面。
6.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中所述反射网格的图案化光散射表面在所述光散射表面面向的方向上延伸超过所述发光表面。
7.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中所述反射网格是或包括反射金属网格，所述反射金属网格向所述发光二极管提供电接触。
8.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，包括设置在所述发光表面和所述反射网格的图案化光散射表面上的波长转换结构。
9.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中：
10.根据权利要求9所述的发光二极管阵列，包括设置在所述发光表面和所述反射网格的图案化光散射表面上...
【专利技术属性】
技术研发人员：I·威尔德森，H·洛特菲，T·洛佩兹，O·B·谢金，
申请(专利权)人：亮锐有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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