System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种减反射增透膜、显示屏以及电子设备制造技术_技高网

一种减反射增透膜、显示屏以及电子设备制造技术

技术编号:40300062 阅读:10 留言:0更新日期:2024-02-07 20:47
本申请实施例提供了一种减反射增透膜、显示屏以及电子设备。所述减反射增透膜具体包括:多个第一折射层和多个第二折射层;所述第一折射层的折射率小于所述第二折射层的折射率,所述第一折射层和第二折射层交替设置,所述减反射增透膜在第一波段的第一反射率大于在第二波段的第一反射率;其中,所述第一波段的光用于指纹识别,所述第一反射率为光信号从所述减反射增透膜入射至空气时的反射率。本申请实施例中,所述减反射增透膜可以兼顾增强显示和屏下指纹成像的需求。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于电子设备,具体涉及一种减反射增透膜、显示屏以及电子设备


技术介绍

1、减反射增透膜(anti-refletance,ar膜)具有增加透过率减少反射率的作用。在ar膜用于显示屏的情况下,能够降低周围环境在屏幕表面的反射,增加显示屏的透过率以增强显示的作用。然而,在显示屏下方需要设置指纹模组以实现屏下指纹成像时,由于屏下指纹成像是通过指纹的谷脊的反射强度差异实现的,ar膜弱化了指纹谷脊间反射率的差异,使谷脊的反射强度差异不明显,无法区分,对于屏下指纹成像具有较大的挑战。也即,现有的ar膜中,很难同时兼顾增强显示和屏下指纹成像的需求。


技术实现思路

1、本申请旨在提供一种减反射增透膜、显示屏以及电子设备,以解决现有的ar膜中很难同时兼顾增强显示和屏下指纹成像的问题。

2、为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:

3、第一方面,本申请公开了一种减反射增透膜,所述减反射增透膜包括:多个第一折射层和多个第二折射层;

4、所述第一折射层的折射率小于所述第二折射层的折射率,所述第一折射层和第二折射层交替设置,所述减反射增透膜在第一波段的第一反射率大于在第二波段的第一反射率;

5、其中,所述第一波段的光用于指纹识别,所述第一反射率为光信号从所述减反射增透膜入射至空气时的反射率。

6、可选地,所述减反射增透膜在所述第一波段的第二反射率小于在所述第二波段的第二反射率;

7、其中,所述第二反射率为光信号从所述减反射增透膜入射至用户的手指时的反射率。

8、可选地,所述第二反射率在所述第一波段的均值为0-1%。

9、可选地,所述第二反射率在所述第一波段的取值范围为0.2%-0.8%;

10、所述第二反射率在所述第二波段的取值范围为0.7%-3.8%。

11、可选地,所述第二波段与所述第一波段的范围不同且没有重叠;

12、所述第一波段包括可见光中的至少部分波段;

13、所述第二波段包括红光和/或红外光中的至少部分波段。

14、可选地,所述第一波段范围大于等于400nm且小于等于600nm;

15、和/或,所述第二波段范围大于600nm且小于等于780nm。

16、可选地,所述第一反射率至少满足以下条件中的至少一项:所述第一反射率在所述第一波段的均值为1.3%-2%,所述第一反射率在所述第二波段的均值小于0.6%,所述第一反射率在所述第一波段和所述第二波段的均值为1%-1.3%。

17、可选地,所述第一反射率在所述第一波段的取值范围为1.7%-2.1%;

18、和/或,所述第一反射率在所述第二波段的取值范围为0-1.7%。

19、可选地,所述第一折射层的折射率范围为1.3-1.5,所述第二折射层的折射率范围为1.9-2.4。

20、可选地,所述第一折射层包括氮化硅层、五氧化三钛层、氧化铌层、五氧化二钽层中的其中一种;

21、所述第二折射层包括氟化镁层和二氧化硅层中的其中一种。

22、可选地,所述第一折射层的数量为奇数,所述第二折射层的数量为偶数。

23、可选地,所述减反射增透膜用于显示屏,所述显示屏包括显示屏本体,所述第一折射层数量为5个,从远离所述显示屏本体至靠近所述显示屏本体的方向,所述第一折射层的厚度依次为94-98nm、2-15nm、7-9nm、27-30nm、小于15nm;

24、和/或,所述第二折射层数量为4个,从靠远离所述显示屏本体至靠近所述显示屏本体的方向,所述第二折射层的厚度依次为9-14nm、20-23nm、82-85nm、15-17nm。

25、可选地,所述减反射增透膜还包括保护膜,所述保护膜与所述减反射增透膜最外层的所述第一折射层相邻设置。

26、第二方面,本申请还公开了一种显示屏,所述显示屏包括:显示屏本体以及上述任一项所述的减反射增透膜;其中,

27、所述减反射增透膜的第一折射层连接于所述显示屏本体的上方。

28、第三方面,本申请还公开了一种电子设备,所述电子设备包括:指纹识别模组以及上述显示屏;其中,所述指纹识别模组设置于所述显示屏的下方。

29、本申请实施例中,所述减反射增透膜在第一波段的第一反射率大于在第二波段的第一反射率;其中,所述第一波段的光可以用于指纹识别,所述第一反射率为光信号从所述减反射增透膜入射至空气时的反射率。也即,所述减反射增透膜在包括有用于指纹识别的光的第一波段的第一反射率较大,有利于强化指纹谷脊间反射率的差异,使得谷脊的反射强度差异明显,容易区分,满足指纹成像的需求。所述减反射增透膜在第二波段的第一反射率较小,有利于降低反射以增强显示。因此,本申请实施例所述的减反射增透膜可以兼顾增强显示和屏下指纹成像的需求。

30、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本专利技术的实践了解到。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种减反射增透膜,其特征在于,所述减反射增透膜包括:多个第一折射层和多个第二折射层;

2.根据权利要求1所述的减反射增透膜,其特征在于,所述减反射增透膜在所述第一波段的第二反射率小于在所述第二波段的第二反射率;

3.根据权利要求2所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第二反射率在所述第一波段的均值为0-1%。

4.根据权利要求2所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第二反射率在所述第一波段的取值范围为0.2%-0.8%;

5.根据权利要求1所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第二波段与所述第一波段的范围不同且没有重叠;

6.根据权利要求1所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第一波段范围大于等于400nm且小于等于600nm;

7.根据权利要求1至6任一项所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第一反射率至少满足以下条件中的至少一项:所述第一反射率在所述第一波段的均值为1.3%-2%,所述第一反射率在所述第二波段的均值小于0.6%,所述第一反射率在所述第一波段和所述第二波段的均值为1%-1.3%。

8.根据权利要求1至6任一项所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第一反射率在所述第一波段的取值范围为1.7%-2.1%;

9.根据权利要求1至6任一项所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第一折射层的折射率范围为1.3-1.5,所述第二折射层的折射率范围为1.9-2.4。

10.根据权利要求1至6任一项所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第一折射层包括氮化硅层、五氧化三钛层、氧化铌层、五氧化二钽层中的其中一种;

11.根据权利要求1至6任一项所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第一折射层的数量为奇数,所述第二折射层的数量为偶数。

12.根据权利要求10所述的减反射增透膜,其特征在于,所述减反射增透膜用于显示屏,所述显示屏包括显示屏本体,所述第一折射层数量为5个,从远离所述显示屏本体至靠近所述显示屏本体的方向,所述第一折射层的厚度依次为94-98nm、2-15nm、7-9nm、27-30nm、小于15nm;

13.根据权利要求1至6任一项所述的减反射增透膜,其特征在于,所述减反射增透膜还包括保护膜,所述保护膜与所述减反射增透膜最外层的所述第一折射层相邻设置。

14.一种显示屏,其特征在于,所述显示屏包括:显示屏本体以及权利要求1至13任一项所述的减反射增透膜;其中,

15.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:指纹识别模组以及权利要求14所述的显示屏;其中,所述指纹识别模组设置于所述显示屏的下方。

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【技术特征摘要】

1.一种减反射增透膜,其特征在于,所述减反射增透膜包括:多个第一折射层和多个第二折射层;

2.根据权利要求1所述的减反射增透膜,其特征在于,所述减反射增透膜在所述第一波段的第二反射率小于在所述第二波段的第二反射率;

3.根据权利要求2所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第二反射率在所述第一波段的均值为0-1%。

4.根据权利要求2所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第二反射率在所述第一波段的取值范围为0.2%-0.8%;

5.根据权利要求1所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第二波段与所述第一波段的范围不同且没有重叠;

6.根据权利要求1所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第一波段范围大于等于400nm且小于等于600nm;

7.根据权利要求1至6任一项所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第一反射率至少满足以下条件中的至少一项:所述第一反射率在所述第一波段的均值为1.3%-2%,所述第一反射率在所述第二波段的均值小于0.6%,所述第一反射率在所述第一波段和所述第二波段的均值为1%-1.3%。

8.根据权利要求1至6任一项所述的减反射增透膜,其特征在于,所述第一反射率在所述第一波段的取值范围为1.7%-2.1%;

9.根据权利要求1至6...

【专利技术属性】
技术研发人员:毕莹刘英明
申请(专利权)人:天津极豪科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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