【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，特别涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。
技术介绍
1、声表面波滤波器利用声波在芯片表面传输以实现其功能。故针对声表面波滤波器的封装，需要声表面波滤波器中的叉指换能器表面不接触其他物质，即需要芯片表面形成空腔，否则将影响信号传输。基于声表面波滤波器的芯片封装结构，其还可以包括天线开关、低噪放大器、电容、电感等常规的无需空腔即可工作的元件。
2、例如传统的分集接收(drx)模组常采用覆膜的方式隔绝外面的塑封料以保障滤波器的表面形成空腔，而模组内的其它器件由于覆膜的影响也无法得到很好的底部填充，容易导致器件连锡短路。同时，非滤波器器件因为没有塑封料填充可靠性也无法保障。如何提高此类芯片封装结构的可靠性成了本领域技术人员需要解决的一个问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，以解决现有技术中芯片封装结构的可靠性不高的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：
3、基板，所述基板包括滤波器承载区、非滤波器承载区以及围绕所述滤波器承载区和所述非滤波器承载区的过道区，所述基板上形成有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘位于所述滤波器承载区，所述第二焊盘位于所述非滤波器承载区；
4、形成于所述基板上的第一阻挡层，所述第一阻挡层具有在厚度方向上贯穿的窗口和开口，所述窗口暴露出所述非滤波器承载区的所述基板及所述第二焊盘以及围绕所述非滤波器承载区的部
5、形成于所述第一阻挡层上的第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述第一阻挡层靠近所述窗口的边缘位置；
6、对准所述滤波器承载区的滤波器芯片，所述滤波器芯片包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的叉指换能器以及形成于所述第一衬底上的第一凸点，所述叉指换能器朝向所述第一阻挡层，所述第一凸点和所述第一焊盘电连接，所述滤波器芯片的下方形成有第一空腔；
7、对准所述非滤波器承载区的非滤波器芯片，所述非滤波器芯片包括第二衬底以及形成于所述第二衬底上的第二凸点，所述第二凸点和所述第二焊盘电连接，所述非滤波器芯片的下方形成有第二空腔，所述窗口和所述第二空腔连通；
8、覆盖所述滤波器芯片、所述非滤波器芯片、所述第一阻挡层和所述第二阻挡层表面的覆膜，所述覆膜封闭所述第一空腔并且在所述第二阻挡层靠近所述窗口处断开而形成断口；以及，
9、覆盖所述覆膜表面的塑封层，所述塑封层还经过所述断口填充所述窗口和所述第二空腔。
10、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述非滤波器芯片在所述基板上的投影和所述非滤波器承载区重合，所述窗口的至少一条边界和所述非滤波器承载区的相应边界之间的距离大于或等于10μm。
11、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第二阻挡层围绕所述窗口呈环形。
12、可选的，在所述的芯片封装结构中，仅在对准所述过道区的所述第一阻挡层上形成有所述第二阻挡层，并且所述第二阻挡层沿着所述基板的表面的宽度小于所述过道区的宽度。
13、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第二阻挡层沿着所述基板的表面的宽度大于或等于50μm。
14、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第二阻挡层靠近所述窗口的边界和所述第一阻挡层靠近所述窗口的边界齐平。
15、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述非滤波器芯片靠近所述基板的表面低于、等于或者高于所述第二阻挡层的表面。
16、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述第二阻挡层的材质与所述第一阻挡层的材质相同或者不同。
17、可选的，在所述的芯片封装结构中，所述滤波器芯片和所述非滤波器芯片的数量分别为一个或者多个，所述滤波器承载区和所述非滤波器承载区的数量对应为一个或者多个。
18、本专利技术还提供一种芯片封装方法，所述芯片封装方法包括：
19、提供基板，所述基板包括滤波器承载区、非滤波器承载区以及围绕所述滤波器承载区和所述非滤波器承载区的过道区，所述基板上形成有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘位于所述滤波器承载区，所述第二焊盘位于所述非滤波器承载区；
20、在所述基板上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层具有在厚度方向上贯穿的窗口和开口，所述窗口暴露出所述非滤波器承载区的所述基板及所述第二焊盘以及围绕所述非滤波器承载区的部分所述过道区的所述基板，所述开口暴露出所述第一焊盘；
21、在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层，所述第二阻挡层位于所述第一阻挡层靠近所述窗口的边缘位置；
22、在所述滤波器承载区上连接滤波器芯片，所述滤波器芯片包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的叉指换能器以及形成于所述第一衬底上的第一凸点，所述叉指换能器朝向所述第一阻挡层，所述第一凸点和所述第一焊盘电连接，所述滤波器芯片的下方形成有第一空腔；
23、在所述非滤波器承载区上连接非滤波器芯片，所述非滤波器芯片包括第二衬底以及形成于所述第二衬底上的第二凸点，所述第二凸点和所述第二焊盘电连接，所述非滤波器芯片的下方形成有第二空腔，所述窗口和所述第二空腔连通；
24、形成覆盖所述滤波器芯片、所述非滤波器芯片、所述第一阻挡层和所述第二阻挡层表面的覆膜，所述覆膜封闭所述第一空腔；以及，
25、形成覆盖所述覆膜表面的塑封层，其中，在所述塑封层的压力下，所述覆膜在所述第二阻挡层靠近所述窗口处断开而形成断口，所述塑封层还经过所述断口填充所述窗口和所述第二空腔。
26、在本专利技术提供的芯片封装结构及芯片封装方法中，第一阻挡层具有窗口，所述窗口暴露出非滤波器承载区的基板及第二焊盘以及围绕非滤波器承载区的部分过道区的基板，在第一阻挡层上形成有第二阻挡层并且第二阻挡层位于第一阻挡层靠近窗口的边缘位置，由此覆膜在第二阻挡层靠近窗口处的变形量将增大，从而在形成塑封层时，此处的覆膜将断开而形成断口，塑封层将经过所述断口填充所述窗口和第二空腔，即填充非滤波器芯片底部的空间，由此解决了非滤波器器件因为没有塑封料填充可靠性无法保障的问题，提高了芯片封装结构的可靠性。
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1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述非滤波器芯片在所述基板上的投影和所述非滤波器承载区重合，所述窗口的至少一条边界和所述非滤波器承载区的相应边界之间的距离大于或等于10μm。
3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二阻挡层围绕所述窗口呈环形。
4.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，仅在对准所述过道区的所述第一阻挡层上形成有所述第二阻挡层，并且所述第二阻挡层沿着所述基板的表面的宽度小于所述过道区的宽度。
5.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二阻挡层沿着所述基板的表面的宽度大于或等于50μm。
6.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二阻挡层靠近所述窗口的边界和所述第一阻挡层靠近所述窗口的边界齐平。
7.如权利要求1～6中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述非滤波器芯片靠近所述基板的表面低于、等于或者高于所述第二阻挡层的表面。
8.如权利要求1～6中任一项所述的芯片
9.如权利要求1～6中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述滤波器芯片和所述非滤波器芯片的数量分别为一个或者多个，所述滤波器承载区和所述非滤波器承载区的数量对应为一个或者多个。
10.一种芯片封装方法，其特征在于，所述芯片封装方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：
2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述非滤波器芯片在所述基板上的投影和所述非滤波器承载区重合，所述窗口的至少一条边界和所述非滤波器承载区的相应边界之间的距离大于或等于10μm。
3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二阻挡层围绕所述窗口呈环形。
4.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，仅在对准所述过道区的所述第一阻挡层上形成有所述第二阻挡层，并且所述第二阻挡层沿着所述基板的表面的宽度小于所述过道区的宽度。
5.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二阻挡层沿着所述基板的表面的宽度大于或等于50μm。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，蒋品方，刘增涛，张华，陈文，
申请(专利权)人：唯捷创芯天津电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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