【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件领域，尤其涉及一种异质结肖特基势垒二极管及其制备方法。
技术介绍
1、宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.3ev及以上的半导体材料，典型的是碳化硅(sic)、氮化镓(gan)等材料。宽禁带半导体材料的材料性能优越，具有高击穿电场、高电子饱和漂移速度等优点，广泛应用于功率和射频器件，成为了半导体器件领域中的热点。相关技术中，异质结肖特基势垒二极管的金属相二维材料层使用常规金属，耐压不高，在反向加压时会产生较大的漏电流，同时在外加电压时，电场分布易集中在边缘处，使得器件提前击穿，从而对器件造成不可逆转的损坏。
2、因此，有必要提供一种减小器件边缘处电场聚集、提高器件耐压的异质结肖特基势垒二极管及其制备方法。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种异质结肖特基势垒二极管及其制备方法，旨在解决常规金属金属相二维材料层的异质结肖特基势垒二极管耐压低、反向加压时产生较大漏电流的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术第一方面提供了一种...
【技术保护点】
1.一种异质结肖特基势垒二极管，其特征在于，包括自下到上依次结合的阴极金属、单晶衬底、n-掺杂层、介质层和金属相二维材料层；所述介质层开设有连通所述n-掺杂层和所述金属相二维材料层的通孔，所述通孔开设于所述介质层的中心区域，在所述介质层的中心区域外的所述n-掺杂层厚度减小形成倾斜台面；所述异质结肖特基势垒二极管还包括填充于所述通孔中的阳极金属。
2.根据权利要求1所述的一种异质结肖特基势垒二极管，其特征在于，所述倾斜台面与所述n-掺杂层端面之间的夹角为40~60°。
3.根据权利要求1所述的一种异质结肖特基势垒二极管，其特征在于，所述金属相二维...
【技术特征摘要】
1.一种异质结肖特基势垒二极管，其特征在于，包括自下到上依次结合的阴极金属、单晶衬底、n-掺杂层、介质层和金属相二维材料层；所述介质层开设有连通所述n-掺杂层和所述金属相二维材料层的通孔，所述通孔开设于所述介质层的中心区域，在所述介质层的中心区域外的所述n-掺杂层厚度减小形成倾斜台面；所述异质结肖特基势垒二极管还包括填充于所述通孔中的阳极金属。
2.根据权利要求1所述的一种异质结肖特基势垒二极管，其特征在于，所述倾斜台面与所述n-掺杂层端面之间的夹角为40~60°。
3.根据权利要求1所述的一种异质结肖特基势垒二极管，其特征在于，所述金属相二维材料层为金属相mos2层，所述金属相mos2层的掺杂剂为re且掺杂比为re/mo=2/3~7/3，所述金属相mos2层的厚度为0.5~1nm。
4.根据权利要求1所述的一种异质结肖特基势垒二极管，其特征在于，所述介质层为h-bn层且厚度为8~16nm。
5.根据权利要求1所述的一种异质结肖特基势垒二极管，其特征在于，所述单晶衬底为si掺杂的g...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘新科，蒋忠伟，黄烨莹，杨永凯，林锦沛，周杰，黎晓华，贺威，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：
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