【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件驱动电路,特别是涉及一种用于氮化镓功率器件的快速驱动电路。
技术介绍
1、氮化镓功率器件(ganhemt)是一种高速、低损耗的功率器件。得益于其较小的栅极电荷和输入电容,理论上其开关时间可低至几纳秒。器件的开关特性除了与器件本身的特性有关以外,还取决于驱动电路的设计,其中栅极电阻和驱动回路寄生电感起主要作用。实际工程中最常用的驱动电路如图1所示。在开关管的开关过程中,栅极电阻ron和roff、寄生电感lg和栅极电容cgs构成了一个二阶系统,使得栅极电压出现振荡。氮化镓的栅极电压变化范围较窄,尤其是栅极电压上限较低,典型值为7v;而氮化镓器件完全导通的栅极电压典型值为6v。若栅极电阻太小,则产生的电压振荡很容易使栅极电压超过上限值,使器件损坏;若栅极电阻太大,则器件的开关时间较长,难以发挥氮化镓器件高速开关的优势。这使得现有的驱动电路无法兼顾氮化镓器件的快速性和可靠性,即无法同时实现快速开关和栅极电压低振荡。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种用
...【技术保护点】
1.一种用于氮化镓功率器件的快速驱动电路,其特征在于,包括低速支路和高速支路,所述低速支路和高速支路的输入端均与驱动芯片的输出端相连,输出端均与被控氮化镓功率器件的栅极相连,所述高速支路在开关切换时作为主导支路以实现所述被控氮化镓功率器件的快速开关;所述低速支路在稳态时作为主导支路以实现所述被控氮化镓功率器件的低栅压振荡。
2.根据权利要求1所述的用于氮化镓功率器件的快速驱动电路,其特征在于,所述高速支路上设置有串联的高速电阻和电容;所述低速支路上设置有低速电阻;所述高速电阻的阻值小于所述低速电阻的阻值。
3.根据权利要求2所述的用于氮化镓功率
...【技术特征摘要】
1.一种用于氮化镓功率器件的快速驱动电路,其特征在于,包括低速支路和高速支路,所述低速支路和高速支路的输入端均与驱动芯片的输出端相连,输出端均与被控氮化镓功率器件的栅极相连,所述高速支路在开关切换时作为主导支路以实现所述被控氮化镓功率器件的快速开关;所述低速支路在稳态时作为主导支路以实现所述被控氮化镓功率器件的低栅压振荡。
2.根据权利要求1所述的用于氮化镓功率器件的快速驱动电路,其特征在于,所述高速支路上设置有串联的高速电阻和电容;所述低速支路上设置有低速电阻;所述高速电阻的阻值小于所述低速电阻的阻值。
3.根据权利要求2所述的用于氮化镓功率器件的快速驱动电路,其特征在于,所述高速电阻的阻值范围为1~2欧姆。
4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:程新红,周学通,郑理,俞跃辉,
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,
类型:发明
国别省市:
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