一种密封结构及带通滤波器制造技术

技术编号:40264047 阅读:8 留言:0更新日期:2024-02-02 22:53
本技术公开了一种密封结构及带通滤波器,包括第一衬底,所述第一衬底一侧键合连接有第二衬底,所述第一衬底内部设置两侧对称开设有安装卡槽,所述安装卡槽内部设置有谐振器,所述谐振器包括层叠设置的下电极、压电层与上电极,所述第一衬底内侧顶部位置开设有第二凹槽,所述第一衬底内侧位于第二凹槽正下方位置开设有第一凹槽。本技术通过将第一衬底与第二衬底通过高温进行键连固定在一起,在高温度过程中第一衬底与第二衬底之间的空腔会有气体释放出来,导致空腔内真空度下降,而第一衬底内侧的第一吸气层、第二吸气层会将气体吸收,进而提高空腔结构的真空度,保证键合质量,并保证滤波器的密封性,进而提升滤波器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及滤波器,特别是涉及一种密封结构及带通滤波器


技术介绍

1、带通滤波器是指能通过某一频率范围内的频率分量、但将其他范围的频率分量衰减到极低水平的滤波器,与带阻滤波器的概念相对。一个模拟带通滤波器的例子是电阻-电感-电容电路(rlc circuit)。这些滤波器也可以用低通滤波器同高通滤波器组合来产生,而现有滤波器制作过程中,需要对两个衬底进行键合,在键合过程中衬底之间的空腔会有气体释放出来,从而会导致空腔内真空度下降,严重时可能导致键合质量不佳,并且影响滤波器的密封性,最终影响滤波器的性能。


技术实现思路

1、本技术一种密封结构及带通滤波器,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为解决上述技术问题,本技术采用的一个技术方案是:提供一种密封结构及带通滤波器,包括第一衬底,所述第一衬底一侧键合连接有第二衬底,所述第一衬底内部设置两侧对称开设有安装卡槽,所述安装卡槽内部设置有谐振器,所述谐振器包括层叠设置的下电极、压电层与上电极,所述第一衬底内侧顶部位置开设有第二凹槽,所述第一衬底内侧位于第二凹槽正下方位置开设有第一凹槽,所述第一凹槽内侧底部位置设置有第一吸气层,所述第二凹槽内侧顶部位置设置有第二吸气层。

3、本技术进一步设置为,所述第一吸气层为多孔结构,所述第一衬底一侧靠近四个角的位置贯穿开设有连接孔。

4、本技术进一步设置为,所述第二吸气层为多孔结构。

5、本技术进一步设置为,所述第一凹槽内部靠近顶部位置固定连接有第一隔离板。

6、本技术进一步设置为,所述第二凹槽内部靠近底部位置固定连接有第二隔离板。

7、本技术进一步设置为,所述第一衬底远离第二衬底的一侧通过固定螺丝一固定连接有输入接口,所述输入接口与谐振器电连接。

8、本技术进一步设置为,所述第二衬底远离第一衬底的一侧通过固定螺丝二固定连接有输出接口,所述输出接口与谐振器电连接。

9、本技术的有益效果如下:

10、本技术一种密封结构及带通滤波器,通过将第一衬底与第二衬底通过高温进行键连固定在一起,在高温度过程中第一衬底与第二衬底之间的空腔会有气体释放出来,导致空腔内真空度下降,而第一衬底内侧的第一吸气层、第二吸气层会将气体吸收,进而提高空腔结构的真空度,保证键合质量,并保证滤波器的密封性,进而提升滤波器的性能。

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【技术保护点】

1.一种密封结构及带通滤波器,包括第一衬底,其特征在于:所述第一衬底一侧键合连接有第二衬底,所述第一衬底内部设置两侧对称开设有安装卡槽,所述安装卡槽内部设置有谐振器,所述谐振器包括层叠设置的下电极、压电层与上电极,所述第一衬底内侧顶部位置开设有第二凹槽,所述第一衬底内侧位于第二凹槽正下方位置开设有第一凹槽,所述第一凹槽内侧底部位置设置有第一吸气层,所述第二凹槽内侧顶部位置设置有第二吸气层。

2.根据权利要求1所述的一种密封结构及带通滤波器,其特征在于:所述第一吸气层为多孔结构,所述第一衬底一侧靠近四个角的位置贯穿开设有连接孔。

3.根据权利要求1所述的一种密封结构及带通滤波器,其特征在于:所述第二吸气层为多孔结构。

4.根据权利要求1所述的一种密封结构及带通滤波器,其特征在于:所述第一凹槽内部靠近顶部位置固定连接有第一隔离板。

5.根据权利要求1所述的一种密封结构及带通滤波器,其特征在于:所述第二凹槽内部靠近底部位置固定连接有第二隔离板。

6.根据权利要求1所述的一种密封结构及带通滤波器,其特征在于:所述第一衬底远离第二衬底的一侧通过固定螺丝一固定连接有输入接口,所述输入接口与谐振器电连接。

7.根据权利要求1所述的一种密封结构及带通滤波器,其特征在于:所述第二衬底远离第一衬底的一侧通过固定螺丝二固定连接有输出接口,所述输出接口与谐振器电连接。

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【技术特征摘要】

1.一种密封结构及带通滤波器,包括第一衬底,其特征在于:所述第一衬底一侧键合连接有第二衬底,所述第一衬底内部设置两侧对称开设有安装卡槽,所述安装卡槽内部设置有谐振器,所述谐振器包括层叠设置的下电极、压电层与上电极,所述第一衬底内侧顶部位置开设有第二凹槽,所述第一衬底内侧位于第二凹槽正下方位置开设有第一凹槽,所述第一凹槽内侧底部位置设置有第一吸气层,所述第二凹槽内侧顶部位置设置有第二吸气层。

2.根据权利要求1所述的一种密封结构及带通滤波器,其特征在于:所述第一吸气层为多孔结构,所述第一衬底一侧靠近四个角的位置贯穿开设有连接孔。

3.根据权利要求1所述的一种密封结构及带通滤波器,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:伊蔚
申请(专利权)人:杭州捷孚电子技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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