【技术实现步骤摘要】
本申请涉及雷达，尤其涉及一种发光器件、其制作方法、雷达及电子设备。
技术介绍
1、随着科学技术的发展，越来越多的场景需要应用激光雷达(light detection andranging，lidar)进行探测，比如通过激光雷达感知周围的环境，对目标进行辨识与追踪等。激光雷达的工作原理为：向目标发射电磁波，电磁波照射到目标后返回形成回波，基于发射的电磁波和回波可以计算出波的往返时间，进而描绘出目标的距离和形貌。激光雷达中的发光器件的驱动方式一般包括低边驱动，其中低边驱动的驱动能力更强、功耗更低，而低边驱动会使得发光器件长期处于高反偏电压状态，这样对发光器件乃至雷达的可靠性带来了挑战。
技术实现思路
1、本申请提供一种发光器件、其制作方法、雷达及电子设备，用以提高发光器件乃至雷达的可靠性。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种发光器件，该发光器件可以包括：第一电极层，设于第一电极层之上的第一半导体层，以及设于第一半导体层之上的发光单元、第一绝缘层、绝缘填充部和第二电极层；发光单元具有多个且间隔设置，发光单元与第二电极层电连接，两个发光单元之间的区域形成第一沟槽，第一沟槽的槽底和槽壁、以及发光单元背离第一半导体层的一侧均设有第一绝缘层；第一沟槽内的第一绝缘层背离第一半导体层的一侧表面设有绝缘填充部，第二电极层覆盖绝缘填充部，也即第二电极层可以覆盖第一沟槽内的绝缘填充部。如此，通过在第一沟槽内的第一绝缘层之上设置绝缘填充部，可以增加第一沟槽内第二电极层与第一半导体层之间的距离，
3、应理解，发光单元的设置数量在此并不限定，可以根据实际需要进行设置。各个发光单元可以呈行列式排布，还可以随意排布；此时形成第一沟槽的两个发光单元可以为：行方向上相邻的两个发光单元、列方向上相邻的两个发光单元或对角线上相邻的两个发光单元。并且，第二电极层覆盖绝缘填充部时，可以完全覆盖绝缘填充部，或部分覆盖绝缘填充部。此外，上述结构的发光器件可以看作是垂直腔面发光器件，当然，对于其他需要长期处于反偏状态的发光器件，均可以采用本方案中的构思，即在绝缘层和电极层之间设置绝缘填充部，以增加对反偏电压的承受能力，避免绝缘层被击穿，提高发光器件的可靠性。
4、进一步地，由于位于第一沟槽内的第一绝缘层之上设置有绝缘填充部，且绝缘填充部可以弥补第一绝缘层中的缺陷和不足，所以第一绝缘层的厚度可以设置的薄一些，如第一绝缘层的厚度可以设置为0.05μm至2μm，这样即使第一绝缘层设置的较薄，但绝缘填充部的存在依然可以避免第一沟槽内第一绝缘层发生击穿，从而在提高发光器件的可靠性的基础上，还可以降低发光器件的厚度，并且因第一绝缘层可以设置的较薄可以降低发光器件的制作难度，降低发光器件的制作成本。
5、示例性的，发光器件还可以包括外围结构，外围结构设于第一半导体层之上，外围结构为内部具有容纳空间且呈闭合式的结构，各个发光单元设于容纳空间内，使得外围结构包围全部的发光单元；此时外围结构与发光单元之间的区域可以形成第二沟槽，换言之，与外围结构相邻的发光单元与外围结构之间的区域形成第二沟槽，外围结构背离第一半导体层的一侧、以及第二沟槽的槽底和槽壁均设有第一绝缘层，第二沟槽内的第一绝缘层背离第一半导体层的一侧表面设有绝缘填充部，且第二电极层不仅覆盖第一沟槽内的绝缘填充部，还覆盖第二沟槽内的绝缘填充部。从而在第二沟槽所在位置，高反偏电压仍然可以由第一绝缘层和绝缘填充部一起承受，即使第二沟槽内形成的第一绝缘层出现缺陷或沉积效果不佳，但因绝缘填充部的存在可以弥补这些缺陷和不足，进而可以增加第二沟槽内的第一绝缘层对高反偏电压的承受能力，避免第二沟槽内的第一绝缘层被击穿，从而进一步提高发光器件的可靠性。
6、并且，在第二电极层包括设于外围结构所在区域的连接电极，且发光器件还包括控制电路，控制电路与连接电极电连接时，设于外围结构之上的第一绝缘层与连接电极之间同样可以设有绝缘填充部，这样同样可以实现第二电极层覆盖绝缘填充部，还可以增加连接电极与第一绝缘层之间的距离，通过绝缘填充部弥补外围结构之上的第一绝缘层中的缺陷和不足，使得电压可以由第一绝缘层和绝缘填充部一起承受，增加外围结构之上的第一绝缘层对电压的承受能力，避免外围结构之上的第一绝缘层被击穿，从而更进一步地提高发光器件的可靠性。并且，经过实验测试发现，设置有绝缘填充部的发光器件，在高反偏电压下的击穿发生概率可以得到有效降低，甚至可以降低至0，从而有效解决高反偏电压下的击穿问题。
7、其中，如果控制电路设于外围结构所在区域，说明控制电路与发光单元设置在同一衬底之上，这样可以实现发光器件的集成化设计；并且由于外围结构并不用于发光，所以将控制电路设置于外围结构所在区域，可以避免占用发光单元所在区域的面积，进而避免对发光器件的发光效果造成影响。还有，控制电路可以设置于连接电极背离外围结构的一侧，且控制电路与连接电极之间设置有第三绝缘层，控制电路和连接电极通过第三绝缘层中的通孔电连接，从而实现控制电路与连接电极的电连接。
8、当然，控制电路与发光单元还可以设置在不同的衬底之上，换言之，发光器件可以包括第一分部和第二分部，外围结构、发光单元、第一绝缘层、绝缘填充部、第一电极层、第二电极层和第一半导体层均可以设置在第一分部中，而控制电路设置在第二分部中，这样可以避免控制电路占用第一分部的面积，使得第一分部可以预留出更多的空间设置发光单元，进而提高发光器件的分辨率。此时，第一分部和第二分部可以通过覆晶薄膜或其他结构连接，实现控制电路与连接电极的绑定连接。进一步地，连接电极可以为焊盘，且焊盘的结构形式可以根据实际需要进行设计，在此并不限定。
9、此外，示例性的，发光单元和外围结构的结构可以基本类似，比如发光单元和外围结构均可以包括：沿着从第一电极层指向第二电极层的方向，层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；其中，发光单元还可以包括：设于第二半导体层背离发光层一侧表面的辅助电极，每个发光单元中的辅助电极与第二电极层连接，从而实现发光单元与第二电极层电连接。在第二电极层呈整面设置时，发光单元为了能够向外发光，第二电极层中可以设置有多个开口，开口与发光单元对应设置，每个发光单元可以通过对应的开口向外发光。每个发光单元对应的开口可以为一个，也可以为多个，在此并不限定，只要发光单元能够通过对应的开口向外发光即可。应理解，第二电极层呈整面设置可以理解为：第二电极层整面设置在第一半导体层之上，使得各发光单元、外围结构、第一绝缘层和绝缘填充部均设于第一半导体层和第二电极层之间，而连接电极可以看作是第二电极层中位于外围结构之上的部分。并且由于外围结构不需要向外发光，所以无需设置辅助电极，第二电极层也无需在外围结构所在区本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：第一电极层，设于所述第一电极层之上的第一半导体层，以及设于所述第一半导体层之上的发光单元、第一绝缘层、绝缘填充部和第二电极层；
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括设于所述第一半导体层之上的外围结构，所述外围结构包围全部所述发光单元；
3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二电极层包括设于所述外围结构所在区域的连接电极；
4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述控制电路设于所述外围结构所在区域，且所述控制电路设于所述连接电极背离所述外围结构的一侧。
5.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述连接电极与所述控制电路绑定连接。
6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述连接电极为焊盘。
7.如权利要求2-6任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光单元和所述外围结构均包括：沿着从所述第一电极层指向所述第二电极层的方向，层叠设置的所述第一半导体层、发光层和第二半导体层；
8.如权利要求1-7任一项所述的发光器件，其特征在于
9.如权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层包括相同的制作材料。
10.如权利要求1-9任一项所述的发光器件，其特征在于，所述绝缘填充部的制作材料包括：含C、O和Si中的至少一种的绝缘材料。
11.一种用于制作如权利要求1-10任一项所述的发光器件的方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，形成绝缘填充部，包括：
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，形成绝缘填充部，包括：
14.如权利要求11-13任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
15.如权利要求11-14任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
16.一种雷达，其特征在于，包括：探测器、控制器、以及如权利要求1-10任一项所述的发光器件；
17.一种电子设备，其特征在于，包括：控制设备、以及如权利要求16所述的雷达，所述雷达设于所述控制设备上。
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：第一电极层，设于所述第一电极层之上的第一半导体层，以及设于所述第一半导体层之上的发光单元、第一绝缘层、绝缘填充部和第二电极层；
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括设于所述第一半导体层之上的外围结构，所述外围结构包围全部所述发光单元；
3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二电极层包括设于所述外围结构所在区域的连接电极；
4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述控制电路设于所述外围结构所在区域，且所述控制电路设于所述连接电极背离所述外围结构的一侧。
5.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述连接电极与所述控制电路绑定连接。
6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述连接电极为焊盘。
7.如权利要求2-6任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光单元和所述外围结构均包括：沿着从所述第一电极层指向所述第二电极层的方向，层叠设置的所述第一半导体层、发光层和第二半导体层；
8.如权利要求1-7任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴志维，刘俊哲，张家琦，陆兴东，余宏萍，谢承志，王中言，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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