【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体属于半导体制造技术中外延中的外延漂移量的测试方法。
技术介绍
1、外延生长就是在一定条件下，使某种物质的原子（或分子）有规则排列，定向生长在衬底表面上，生长的外延层是一种与衬底晶格结构有对应关系的硅单晶层。在制造双极型集成电路工艺中，外延层的生长会引入“埋层漂移”问题。埋层漂移问题可能会导致埋层与隔离槽发生相撞，如果埋层与隔离槽发生相撞，即使相邻隔离岛在隔离工艺正常条件下完成，n+埋层也不易被隔离的p+扩透。由于埋层漂移在实际工艺中的存在会导致产品失效，因此需要研究埋层漂移量，从而在平面版图设计中给予校正。
2、常见外延漂移量的测试方法有：磨结染色法、贴片法等，本文提出一种通过测量外延层与埋层上套准偏移的方法测量外延偏移量。
3、磨结染色法是从样品上切下一块有埋层的样品，保持两边平行和垂直于主参考面，粘在一个已知角度测量块上研磨，然后对研磨出的平面腐蚀2～3s，在干涉显微镜下测量埋层区域的图形位移。该测量方法为破坏性测量，被测晶圆无法重复性使用。
4、如中国专利《外延图形漂移量测试方法》（专利号cn101325168a）采用切片、染色的方法对外延图形的偏移量进行测量；《外延生长后埋层图形漂移量的测量方法》（专利号cn102788556a）将埋层图形分为保护区域与未保护区域，通过测量保护区域与未保护区域的位移数据获得外延漂移量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种外延漂移量的测试方法，该方法是通过双面套准，测
2、本专利技术采用的技术方案如下：
3、一种红外测试外延漂移量方法，其特征在于包括以下步骤：
4、 s1.取p型硅晶圆；
5、 s2.采用热氧化方法在p型硅表面生长第一二氧化硅层，第一二氧化硅层厚度0.3μm；
6、 s3.采用光刻和刻蚀工艺在第一二氧化硅层表面形成预对准标记，该标记尺寸为20μm×20μm，标记深度0.3μm，
7、 s4.采用氧化工艺在第一二氧化硅层表面再生长一层第二二氧化硅层，从而在预对准标记下面的p型硅晶圆上面氧化形成正面对准标记，该标记尺寸为20μm×20μm，深度为0.2μm；
8、 s5.采用双面光刻和刻蚀工艺在p型硅晶圆背面形成背面对准标记，使正面对准标记与背面对准标记中心坐标一致，背面对准标记尺寸30μm×30μm，标记深度2μm；
9、 s6.采用湿法腐蚀工艺将p型硅晶圆表面的两层二氧化硅层腐蚀干净，正面对准标记1；
10、 s7.在晶圆正面生长一层外延单晶硅层，外延层厚度为10μm，并形成外延后的外延对准标记，外延对准标记标记形成于对准标记的上方，由于外延漂移的原因，外延对准标记与正面对准标记并不重叠；
11、 s8.采用光刻工艺在外延层上形成参考对准标记，该标记尺寸为25μm×25μm，标记深度为1μm，参考对准标记与外延对准标记互为套刻关系；
12、 s9.外延漂移量测试：
13、首先采用套刻测试仪测量参考对准标记与外延对准标记之间的套刻偏移量a，a=（a1-a2）/2，a1为外延对准标记左边界与参考对准标记左边界距离，a2为外延对准标记右边界与参考对准标记右左边界距离；
14、然后采用红外套刻检测仪测量参考对准标记与背面对准标记之间的套刻偏移b，b=(b1-b2)/2，b1为背面对准标记左边界与参考对准标记左边界距离，b2为背面对准标记右边界与参考对准标记右左边界距离；
15、外延漂移量等于|a-b|。
16、本专利技术的有点在于:能够实现外延漂移量的无损伤测试，测试效率大幅提高。
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1.一种红外测试外延漂移量方法，其特征在于包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种红外测试外延漂移量方...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘娜娜，赵恩，周丽丽，韩白玉，孙廷军，疏义强，
申请(专利权)人：安徽北方微电子研究院集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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