【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种显示基板、显示基板制备方法以及显示面板。
技术介绍
1、目前，电致发光二极管具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、低功耗、高色饱和度以及广视角等优点，利用电致发光二极管的显示技术已经成为一种重要的显示技术。
2、oled显示面板主要通过包含多个薄膜晶体管的显示基板驱动像素点的电致发光二极管发光，从而实现画面显示。为保证显示基板内薄膜晶体管与发光二极管发光的电连接，通常需要在基板表面设置电极，并采用钝化层覆盖整个基板表面对电极进行保护。然而，现有的钝化层无法完全保护电极，在显示基板切割时容易导致水氧渗入钝化层与基板之间，进而导致电极在还是存在走线腐蚀异常的问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种显示基板、显示基板制备方法以及显示面板，旨在解决目前钝化层无法完全保护电极并存在走线腐蚀异常的技术问题。
2、第一方面，本申请提供一种显示基板，包括：
3、基板，基板内具有多个薄膜晶体管，薄膜晶体管具有源电极、漏电极以及栅极；
4、导电层，导电层设在基板上，导电层包括第一电极以及第二电极，第一电极连接源电极，第二电极连接漏电极；
5、其中，导电层上设有包覆层以及钝化层，包覆层包裹第一电极，钝化层覆盖包覆层以及导电层。
6、在一些实施例中，包覆层还包括第一包裹区以及切割区，第一包裹区包裹第一电极，第一包裹区与切割区间隔设置；
7、切割区在基板表面的正投影与薄膜晶体管在基
8、在一些实施例中，基板包括：
9、衬底；
10、第一电极层，第一电极层设在衬底上；
11、第一缓冲层，第一缓冲层设在衬底上，并覆盖第一电极层；
12、第二电极层，第二电极层设在第一缓冲层上，第二电极层与第一电极层相对，第二电极层包括漏电极、源电极以及导电沟道，导电沟道位于漏电极与源电极之间；
13、第一绝缘层，第一绝缘层设在导电沟道上，栅极设在第一绝缘层上；
14、介电层，介电层设在第一缓冲层上，并覆盖第一绝缘层、第二电极层以及栅极，导电层设在介电层上；
15、其中，切割区在衬底上的正投影与第二电极层在衬底上的正投影不重合。
16、在一些实施例中，第一电极层包括第一连接电极、第二连接电极以及第三连接电极；
17、第二电极层还包括第四连接电极以及第五连接电极；
18、第一连接电极与第四连接电极电连接，漏电极、源电极和导电沟道与第二连接电极相对，第三连接电极与第五连接电极相对。
19、在一些实施例中，第一缓冲层具有围绕第一连接电极边缘的沟槽；
20、沟槽延伸至第一连接电极处，且第四连接电极延伸至沟槽内并包裹第一连接电极的边缘。
21、在一些实施例中，第三连接电极与第五连接电极之间具有第一预设间距；
22、导电沟道与第二连接电极之间具有第二预设间距，第一预设间距小于第二预设间距。
23、在一些实施例中，导电层还包括第六连接电极，包覆层还包括第二包裹区；
24、第六连接电极与第四连接电极电连接，且第二包裹区包裹第六连接电极。
25、在一些实施例中，显示基板还包括平坦层，平坦层设在钝化层上；
26、平坦层上设有像素定义层以及通电层，像素定义层具有多个像素坑，通电层位于像素坑内，且通电层电连接第一电极。
27、第二方面，本申请提供一种显示基板制备方法，方法包括：
28、制备基板，基板内具有多个薄膜晶体管，薄膜晶体管具有源电极、漏电极以及栅极；
29、在基板上形成导电层，导电层包括第一电极以及第二电极，第一电极连接源电极，第二电极连接漏电极；
30、在导电层上形成包覆层以及钝化层，包覆层包括包裹第一电极的第一包裹区，钝化层覆盖包覆层以及导电层。
31、在一些实施例中，包覆层还包括切割区，切割区在基板表面的正投影与薄膜晶体管在基板表面的正投影不重合。
32、在一些实施例中，制备基板的步骤包括：
33、提供一衬底；
34、在衬底上形成第一电极层；
35、在衬底上形成第一缓冲层，第一缓冲层覆盖第一电极层；
36、在第一缓冲层上形成第二电极层，第二电极层与第一电极层相对，第二电极层包括漏电极、源电极以及导电沟道，导电沟道位于漏电极与源电极之间；
37、在导电沟道上形成第一绝缘层；
38、在第一绝缘层上形成栅极；
39、在第一缓冲层上形成介电层，介电层覆盖第一绝缘层、第二电极层以及栅极；
40、其中，切割区在衬底上的正投影与第二电极层在衬底上的正投影不重合。
41、在一些实施例中，第一电极层包括第一连接电极、第二连接电极以及第三连接电极；
42、第二电极层还包括第四连接电极以及第五连接电极；
43、第一连接电极与第四连接电极电连接，漏电极、源电极和导电沟道与第二连接电极相对，第三连接电极与第五连接电极相对。
44、在一些实施例中，在衬底上形成第一缓冲层的步骤之后，且在第一缓冲层上形成第二电极层的步骤之前，制备基板的步骤还包括：
45、对第一缓冲层进行图形化处理，以使得第一缓冲层形成围绕第一连接电极边缘的沟槽，沟槽延伸至第一连接电极处；
46、在第一缓冲层上形成第二电极层的步骤包括：
47、在第一缓冲层上形成第四连接电极，第四连接电极延伸至沟槽内并包裹第一连接电极的边缘。
48、在一些实施例中，在衬底上形成第一缓冲层的步骤之后，且在第一缓冲层上形成第二电极层的步骤之前，制备基板的步骤还包括：
49、对第一缓冲层进行图形化处理，以使得第一缓冲层生成与第三连接电极相对的凹槽；
50、其中，凹槽的底面与第三连接电极之间具有第一预设间距，第一缓冲层的表面与第二连接电极之间具有第二预设间距，第一预设间距小于第二预设间距；
51、在第一缓冲层上形成第二电极层的步骤包括：
52、在第一缓冲层上形成第五连接电极，第五连接电极填充在凹槽内。
53、在一些实施例中，方法还包括：
54、在钝化层上形成平坦层；
55、在平坦层上形成像素定义层以及通电层，像素定义层具有多个像素坑，通电层位于像素坑内，且通电层电连接第一电极。
56、第三方面，本申请提供一种显示面板，包括如权第一方面所述的显示基板。
57、本申请通过在基板上设置导电层，使第一电极连接源电极、第二电极连接漏电极，并利用包覆层包裹第一电极，然后再利用钝化层覆盖包覆层以及导电层，使得第一电极同时被包覆层和钝化层保护，提高了第一电极的水氧隔绝能力，避免了在显示基板切割时容易导致水氧渗入钝化层与基板之间，进而导致第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述包覆层包括第一包裹区以及切割区，所述第一包裹区包裹所述第一电极；
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述基板包括：
4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极层包括第一连接电极、第二连接电极以及第三连接电极；
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一缓冲层具有围绕所述第一连接电极边缘的沟槽；
6.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第三连接电极与所述第五连接电极之间具有第一预设间距；
7.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述导电层还包括第六连接电极，所述包覆层还包括第二包裹区；
8.如权利要求1至7任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括平坦层，所述平坦层设在所述钝化层上；
9.一种显示基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：
10.如权利要求9所述的显示基板制备方法，其特征在于，所述包覆层包括第一包裹区以及切割区，所述第一包
11.如权利要求10所述的显示基板制备方法，其特征在于，所述基板的制备步骤包括：
12.如权利要求11所述的显示基板制备方法，其特征在于，所述第一电极层包括第一连接电极、第二连接电极以及第三连接电极；
13.如权利要求12所述的显示基板制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一缓冲层的步骤之后，且在所述第一缓冲层上形成第二电极层的步骤之前，所述制备基板的步骤还包括：
14.如权利要求12所述的显示基板制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一缓冲层的步骤之后，且在所述第一缓冲层上形成第二电极层的步骤之前，所述制备基板的步骤还包括：
15.如权利要求9至14任一项所述的显示基板制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
16.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的显示基板。
...【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述包覆层包括第一包裹区以及切割区，所述第一包裹区包裹所述第一电极；
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述基板包括：
4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极层包括第一连接电极、第二连接电极以及第三连接电极；
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一缓冲层具有围绕所述第一连接电极边缘的沟槽；
6.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第三连接电极与所述第五连接电极之间具有第一预设间距；
7.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述导电层还包括第六连接电极，所述包覆层还包括第二包裹区；
8.如权利要求1至7任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括平坦层，所述平坦层设在所述钝化层上；
9.一种显示基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：章仟益，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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