【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及运动能耗监测，特别涉及硅基oled产品的内部异物检测方法、系统、设备及介质。
技术介绍
1、硅基oled产品是一种新型有机发光二极管技术，该产品使用硅基底材制备，可能用于vr等产品。该产品由于整体厚度较薄，为了应对内部异物和表面杂质的区分，一般需要使用高倍率镜头进行成像检测，利用高倍率镜头的小景深和小视野特点，需要相机进行多次移动去抓取内部异物的位置并拍照，重复移动→静止→拍图→移动的流程，对检测效率影响较大。
2、因此，急需一种硅基oled产品的内部异物检测方法，能够有效解决硅基oled产品内外部异物和杂质区分对系统的高景深需求，提高设备的检出率和降低误判率，提高产品生产的效率和品质。
技术实现思路
1、为了实现本专利技术的上述目的和其他优点，本专利技术的第一目的是提供一种硅基oled产品的内部异物检测方法，包括以下步骤：
2、控制线光源对硅基oled产品表面进行打光；
3、控制相机对焦硅基oled产品表面进行成像；
4、将被光线打亮的硅基oled产品表面杂质进行过滤并判定为非检测项；
5、控制条形光源对硅基oled产品进行带角度的暗场打光成像，同时打亮硅基oled产品内部异物和表面杂质，得到需要区分的内部异物和未被过滤的表面杂质；
6、在控制条形光源打光下，控制相机镜头对硅基oled产品的pol层与glass层之间的内部异物进行成像，得到内部异物和表面杂质的实像成像；
7、控制相机
8、将得到的内部异物和表面杂质的实像成像与虚像成像中缺陷的大小、形状和灰度变化进行对比，区分内部异物和表面杂质。
9、进一步地，所述将被光线打亮的硅基oled产品表面杂质进行过滤并判定为非检测项包括以下步骤：
10、记录被光线打亮的硅基oled产品表面杂质的坐标，按照记录的坐标对被光线打亮的硅基oled产品表面杂质进行滤除。
11、进一步地，所述虚像所处位置为实像与硅基层的距离的两倍位置处。
12、进一步地，所述缺陷的大小计算包括根据成像所占xy轴像素相乘得到对应像素数量。
13、进一步地，所述缺陷的形状计算包括通过成像所占x轴与y轴的像素数量比值计算，得到像素比。
14、进一步地，所述缺陷的成像灰度通过统计成像的xy轴的平均灰度得到。
15、进一步地，所述将得到的内部异物和表面杂质的实像成像与虚像成像中缺陷的大小、形状和灰度变化进行对比还包括以下步骤：
16、通过对所述实像成像与所述虚像成像进行二值化处理，得到高对比度的实像成像和虚像成像；
17、通过像素数量的变化量阈值和/或像素比的拉伸阈值、以及灰度阈值判断内部异物和表面杂质。
18、本专利技术的第二目的是提供一种电子设备，包括：存储器，其上存储有程序代码；处理器，其与所述存储器连接，并且当所述程序代码被所述处理器执行时，实现一种硅基oled产品的内部异物检测方法。
19、本专利技术的第三目的是提供一种计算机可读存储介质，其上存储有程序指令，所述程序指令被执行时实现一种硅基oled产品的内部异物检测方法。
20、本专利技术的第四目的是提供一种硅基oled产品的内部异物检测系统，实现上述方法，包括相机、镜头、若干条形光源、若干线光源、光源控制装置、光源固定装置、控制器；其中，
21、所述镜头安装在所述相机上；
22、所述光源固定装置用于固定所述条形光源、所述线光源，以及对所述条形光源、所述线光源的角度和高度进行调整；
23、所述条形光源、所述线光源置于所述镜头与硅基oled产品之间，所述条形光源安装围绕在硅基oled产品的四周，所述线光源与硅基oled产品平行安装并高于硅基oled产品表面；
24、所述光源控制装置用于控制每个条形光源、线光源的亮灭；
25、所述控制器用于通过所述光源控制装置控制线光源对硅基oled产品表面进行打光，控制相机对焦硅基oled产品表面进行成像；将被光线打亮的硅基oled产品表面杂质进行过滤并判定为非检测项；通过所述光源控制装置控制条形光源对硅基oled产品进行带角度的暗场打光成像，同时打亮硅基oled产品内部异物和表面杂质，得到需要区分的内部异物和未被过滤的表面杂质；在控制条形光源打光下，控制相机对硅基oled产品的pol层与glass层之间的内部异物进行成像，得到内部异物和表面杂质的实像成像；控制相机对虚像所处位置进行成像，得到对应的虚像成像；将得到的内部异物和表面杂质的实像成像与虚像成像中缺陷的大小、形状和灰度变化进行对比，区分内部异物和表面杂质。
26、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
27、本专利技术提供硅基oled产品的内部异物检测方法、系统、设备及介质，在光学成像层面上利用实像和虚像的成像特征信息实现了硅基oled产品内外部异物和杂质的区分，有效的解决了硅基oled产品内外部异物和杂质区分对系统的高景深需求，对设备的检出率和误判有明显的改善，大大提高了产品生产的效率和品质。
28、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
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1.一种硅基OLED产品的内部异物检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种硅基OLED产品的内部异物检测方法，其特征在于：所述将被光线打亮的硅基OLED产品表面杂质进行过滤并判定为非检测项包括以下步骤：
3.如权利要求1所述的一种硅基OLED产品的内部异物检测方法，其特征在于：所述虚像所处位置为实像与硅基层的距离的两倍位置处。
4.如权利要求1所述的一种硅基OLED产品的内部异物检测方法，其特征在于：所述缺陷的大小计算包括根据成像所占xy轴像素相乘得到对应像素数量。
5.如权利要求4所述的一种硅基OLED产品的内部异物检测方法，其特征在于：所述缺陷的形状计算包括通过成像所占x轴与y轴的像素数量比值计算，得到像素比。
6.如权利要求5所述的一种硅基OLED产品的内部异物检测方法，其特征在于：所述缺陷的成像灰度通过统计成像的xy轴的平均灰度得到。
7.如权利要求6所述的一种硅基OLED产品的内部异物检测方法，其特征在于：所述将得到的内部异物和表面杂质的实像成像与虚像成像中缺陷的大小、形状和
8.一种电子设备，其特征在于，包括：存储器，其上存储有程序代码；处理器，其与所述存储器连接，并且当所述程序代码被所述处理器执行时，实现如权利要求1～7任一项所述的方法。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有程序指令，所述程序指令被执行时实现如权利要求1～7任一项所述的方法。
10.一种硅基OLED产品的内部异物检测系统，实现如权利要求1～7任一项所述的方法，其特征在于：包括相机、镜头、若干条形光源、若干线光源、光源控制装置、光源固定装置、控制器；其中，
...【技术特征摘要】
1.一种硅基oled产品的内部异物检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种硅基oled产品的内部异物检测方法，其特征在于：所述将被光线打亮的硅基oled产品表面杂质进行过滤并判定为非检测项包括以下步骤：
3.如权利要求1所述的一种硅基oled产品的内部异物检测方法，其特征在于：所述虚像所处位置为实像与硅基层的距离的两倍位置处。
4.如权利要求1所述的一种硅基oled产品的内部异物检测方法，其特征在于：所述缺陷的大小计算包括根据成像所占xy轴像素相乘得到对应像素数量。
5.如权利要求4所述的一种硅基oled产品的内部异物检测方法，其特征在于：所述缺陷的形状计算包括通过成像所占x轴与y轴的像素数量比值计算，得到像素比。
6.如权利要求5所述的一种硅基oled产品的内部异物检测方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：高视科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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