【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种羟甲基的保护及脱保护方法，特别涉及一种利用三异丙基硅烷基团保护羟甲基以及三异丙基硅烷基团在四丁基氟化铵作用下脱保护的方法，属于有机合成。
技术介绍
1、核酸合成过程中，碱基的5ˊ-oh的保护和脱保护过程是重要的环节。在核酸化学合成研究中，发展了一系列保护基，其中，采用dimethoxytrityl(dmtr)用于5ˊ-oh的保护，具有良好的稳定性，且可在温和酸性条件下高效率定量脱除(krotz,achim；cole,douglas；ravikumar,vasulinga(1999)."dimethoxytrityl removal in organic medium:efficient oligonucleotide synthesis without chlorinated solvents".nucleosidesand nucleotides.18(6-7):1207-1209.)。但在寡核苷酸的合成中导致脱嘌呤等问题，最终导致在寡核苷酸的合成中出现错误率高和保真度低的问题。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的是在于提供一种羟甲基的保护及脱保护方法，该方法利用具有氟敏感性的三异丙基氯硅烷作为羟甲基保护基，具有高选择性和高结合率的特点，且极易在四丁基氟化铵作用下水解脱除，脱除效率高，整个保护和脱保护过程简单，条件温和，反应速率快，有利于扩大生产应用。
2、为了实现上述技术目的，本专利技术提供了一种羟甲基的保护及脱保护方法，该
3、保护过程：将含羟甲基化合物和三异丙基氯硅烷通过缩合反应，在羟甲基上修饰三异丙基硅烷基团；
4、脱保护过程：修饰三异丙基硅烷基团的羟甲基化合物在四丁基氟化铵作用下进行脱保护基反应，得到含羟甲基化合物。
5、本专利技术选择三异丙基氯硅烷作为羟甲基保护基，其在温和条件下可以与羟甲基缩合形成((三异丙基甲硅烷基)氧基)甲基，其结合效率高达95％以上，而((三异丙基甲硅烷基)氧基)甲基极易在四丁基氟化铵催化作用下水解，恢复羟甲基，水解条件温和、反应速率快，水解效率达到99％以上。
6、作为一个优选的方案，所述含羟甲基化合物为碱基。具体例如a碱基、g碱基、c碱基或t碱基。碱基的呋喃环上同时包含5位羟甲基和4位羟基，而基于三异丙基氯硅烷特殊的空间位阻以及5位羟甲基的电子效应，三异丙基氯硅烷高选择性与5位羟甲基结合，副反应少。
7、作为一个优选的方案，所述三异丙基氯硅烷用量为含羟甲基化合物摩尔量的1～5倍。
8、作为一个优选的方案，所述缩合反应采用咪唑作为促进剂。咪唑作为碱性物质可以将缩合反应释放的酸结合，对缩合反应具有促进作用。
9、作为一个优选的方案，所述咪唑的用量为含羟甲基化合物摩尔量的2～3倍。
10、作为一个优选的方案，所述缩合反应的条件为：在室温下，反应2～3h。
11、作为一个优选的方案，所述缩合反应在dmso溶剂介质中进行。
12、作为一个优选的方案，所述四丁基氟化铵的用量为修饰三异丙基硅烷基团的羟甲基化合物摩尔量的4～6倍。
13、作为一个优选的方案，所述脱保护基反应的条件为：在室温下反应，反应5～10秒。
14、本专利技术涉及的脱保护基反应如下反应式：
15、
16、相对现有技术，本专利技术技术方案带来的有益技术效果：
17、1)本专利技术利用三异丙基氯硅烷作为羟甲基保护基，其结合效率高，合成产率≥95％。
18、2)本专利技术利用三异丙基氯硅烷作为羟甲基保护基，其选择性高，特别是对于碱基中的5位羟甲基具有高选择性。
19、3)本专利技术利用三异丙基氯硅烷作为羟甲基保护基，其具有氟敏性，易于在四丁基氟化铵作用下进行脱保护，脱保护效率达到99％以上，且也具有选择性。
20、4)本专利技术的羟甲基的保护及脱保护过程简单，条件温和，效率高，有利于扩大生产。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：包括保护过程和脱保护过程：所述保护过程：将含羟甲基化合物和三异丙基氯硅烷通过缩合反应，在羟甲基上修饰三异丙基硅烷基团；
2.根据权利要求1所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述含羟甲基化合物为碱基。
3.根据权利要求1或2所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述三异丙基氯硅烷用量为含羟甲基化合物摩尔量的1～5倍。
4.根据权利要求1所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述缩合反应采用咪唑作为促进剂。
5.根据权利要求4所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述咪唑的用量为含羟甲基化合物摩尔量的2～3倍。
6.根据权利要求1、2、4或5所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述缩合反应的条件为：在室温下，反应2～3h。
7.根据权利要求6所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述缩合反应在DMSO溶剂介质中进行。
8.根据权利要求1所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述四丁
9.根据权利要求1所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述脱保护基反应的条件为：在室温下反应，反应5～10秒。
...【技术特征摘要】
1.一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：包括保护过程和脱保护过程：所述保护过程：将含羟甲基化合物和三异丙基氯硅烷通过缩合反应，在羟甲基上修饰三异丙基硅烷基团；
2.根据权利要求1所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述含羟甲基化合物为碱基。
3.根据权利要求1或2所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述三异丙基氯硅烷用量为含羟甲基化合物摩尔量的1～5倍。
4.根据权利要求1所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于：所述缩合反应采用咪唑作为促进剂。
5.根据权利要求4所述的一种羟甲基的保护及脱保护方法，其特征在于...
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