System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种具有径向可控磁势的调磁极栅制造技术_技高网

一种具有径向可控磁势的调磁极栅制造技术

技术编号:40258011 阅读:10 留言:0更新日期:2024-02-02 22:49
本发明专利技术提供一种具有径向可控磁势的调磁极栅,涉及调磁极栅技术领域。其中,具有径向可控磁势的调磁极栅包括框架组件、调磁极片、第一调制绕组和第二调制绕组,框架组件和调磁极片依次卡接,多个框架组件和多个调磁极片共同围成圆形的极栅环,第一调制绕组同时嵌入相邻的框架组件,第二调制绕组同时嵌入相邻的框架组件,在第一调制绕组和第二调制绕组中注入电流谐波。从而,削弱了内外气隙无效次谐波,并且实现径向可控的电励磁磁势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及调磁极栅,尤其涉及一种具有径向可控磁势的调磁极栅


技术介绍

1、同轴磁齿轮是一种具有使用电磁铁或永磁体进行转矩-速度转换的非接触机构,像机械齿轮箱一样,磁齿轮箱可以实现转速和转矩匹配。同轴磁齿轮使用调制磁场,而不是联锁齿来传递能量,以实现输入和输出部件之间的物理隔离。这种非接触式动力传输具有显著延长使用寿命和使用范围、改善润滑问题、隔离轴和实现过载保护的潜力。

2、但是,现有技术中同轴磁齿轮中传统调磁极片的存在,导致内外气隙无效次谐波冗杂,并且无法实现径向可控的电励磁磁势。其中,无效次谐波指不产生转矩的谐波。

3、为此,针对上述的技术问题还需进一步解决。


技术实现思路

1、本专利技术实施例的目的是提供一种具有径向可控磁势的调磁极栅,以削弱内外气隙无效次谐波,并且实现径向可控的电励磁磁势。

2、为解决上述技术问题,本专利技术实施例提供如下技术方案:

3、本专利技术第一方面提供一种具有径向可控磁势的调磁极栅,包括:

4、框架组件;

5、调磁极片,分别设置在相邻的所述框架组件之间,并且与所述框架组件相卡接;

6、第一调制绕组,同时嵌入相邻的所述框架组件;

7、第二调制绕组,同时嵌入相邻的所述框架组件;

8、其中,在相邻的所述框架组件中,所述第二调制绕组平行于所述第一调制绕组;

9、多个所述框架组件和多个所述调磁极片共同围成圆形的极栅环。

10、进一步地,所述框架组件包括:

11、第一框架部;

12、第二框架部,位于所述第一框架部的底部,并且与所述第一框架部相连接;

13、第三框架部,位于所述第二框架部的底部,并且与所述第二框架部相连接;

14、第一凹槽,设置在远离所述第二框架部的所述第一框架部的表面;

15、第二凹槽,设置在远离所述第二框架部的所述第一框架部的表面,并且平行于所述第一凹槽;

16、第三凹槽,设置在远离所述第二框架部的所述第三框架部的表面,并且位于所述第二凹槽的对侧;

17、第四凹槽,设置在远离所述第二框架部的所述第三框架部的表面,并且位于所述第一凹槽的对侧;

18、定位孔,设置在所述第二框架部上,并且贯穿所述第二框架部。

19、进一步地,所述第一框架部的宽度大于所述第三框架部的宽度,所述第二框架部的宽度小于所述第三框架部的宽度。

20、进一步地,远离所述第二框架侧的所述第一框架部的表面设置有凸起的第一弧形部,远离所述第二框架侧的所述第三框架部的表面设置有凹陷的第二弧形部。

21、进一步地,所述第一凹槽包括:

22、第一槽开口,所述第一槽开口的顶部开口位于远离所述第二框架部的所述第一框架部的表面;

23、第一凹槽部,与所述第一槽开口的底部开口相连通,并且供所述第一调制绕组嵌入;

24、其中,所述第一槽开口的开口宽度小于所述第一凹槽部的宽度。

25、进一步地,所述第二凹槽包括:

26、第二槽开口,所述第二槽开口的顶部开口位于远离所述第二框架部的所述第一框架部的表面;

27、第二凹槽部,与所述第二槽开口的底部开口相连通,并且供所述第一调制绕组嵌入;

28、其中,所述第二槽开口的开口宽度小于所述第二凹槽部的宽度。

29、进一步地,所述第三凹槽包括:

30、第三槽开口,所述第三槽开口的底部开口位于远离所述第二框架部的所述第三框架部的表面;

31、第三凹槽部,与所述第三槽开口的顶部开口相连通,并且供所述第二调制绕组嵌入;

32、其中,所述第三槽开口的开口宽度小于所述第三凹槽部的宽度。

33、进一步地,所述第四凹槽包括:

34、第四槽开口,所述第四槽开口的底部开口位于远离所述第二框架部的所述第三框架部的表面;

35、第四凹槽部,与所述第四槽开口的顶部开口相连通,并且供所述第二调制绕组嵌入;

36、其中,所述第四槽开口的开口宽度小于所述第四凹槽部的宽度。

37、进一步地,所述调磁极片包括:

38、极片体;

39、第一极片部,设置在所述极片体的顶部;

40、第二极片部,设置在所述极片体的一侧,并且用于同时与所述第一框架部和所述第二框架部以及所述第三框架部相卡接;

41、第三极片部,设置在所述极片体的底部,并且位于所述第一极片部的对侧;

42、第四极片部,设置在所述极片体的另一侧,并且位于所述第二极片部的对侧,所述第四极片部用于同时与所述第一框架部和所述第二框架部以及所述第三框架部相卡接。

43、进一步地,远离所述极片体侧的所述第一极片部的表面为顶面,远离所述极片体侧的所述第三极片部的表面为底面,所述顶面的面积大于所述底面的面积;

44、所述顶面设置有凸起的第三弧形部,所述底面设置有凹陷的第四弧形部。

45、相较于现有技术,本专利技术第一方面提供的具有径向可控磁势的调磁极栅,框架组件和调磁极片依次卡接,多个框架组件和多个调磁极片共同围成圆形的极栅环,第一调制绕组同时嵌入相邻的框架组件,第二调制绕组同时嵌入相邻的框架组件,在第一调制绕组和第二调制绕组中注入电流谐波。从而,削弱了内外气隙无效次谐波,并且实现径向可控的电励磁磁势。

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【技术保护点】

1.一种具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,所述框架组件包括:

3.根据权利要求2所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,所述第一框架部的宽度大于所述第三框架部的宽度,所述第二框架部的宽度小于所述第三框架部的宽度。

4.根据权利要求3所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,远离所述第二框架侧的所述第一框架部的表面设置有凸起的第一弧形部,远离所述第二框架侧的所述第三框架部的表面设置有凹陷的第二弧形部。

5.根据权利要求2所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,所述第一凹槽包括:

6.根据权利要求2所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,所述第二凹槽包括:

7.根据权利要求2所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,所述第三凹槽包括:

8.根据权利要求2所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,所述第四凹槽包括:

9.根据权利要求2所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,所述调磁极片包括:

10.根据权利要求9所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,

...

【技术特征摘要】

1.一种具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,所述框架组件包括:

3.根据权利要求2所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,所述第一框架部的宽度大于所述第三框架部的宽度,所述第二框架部的宽度小于所述第三框架部的宽度。

4.根据权利要求3所述的具有径向可控磁势的调磁极栅,其特征在于,远离所述第二框架侧的所述第一框架部的表面设置有凸起的第一弧形部,远离所述第二框架侧的所述第三框架部的表面设置有凹陷的第二弧形部。

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【专利技术属性】
技术研发人员:夏加宽刘思琪戴朝辉侯婷婷
申请(专利权)人:沈阳工业大学
类型:发明
国别省市:

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