在高温下利用选择性激光熔化/烧结技术进行无裂纹硅的3D打印制造技术

技术编号:40255606 阅读:31 留言:0更新日期:2024-02-02 22:48
在完全致密打印方法中,首先在钢基板上打印硅的多个缓冲层,接着使用双重打印方法在缓冲层的顶部上打印用于实际部件的硅层。在完全致密且无裂纹打印方法中,使用一或更多个加热器和热绝缘体,以在Si打印、原位退火和冷却期间将温度梯度降至最低。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上是关于制造硅部件,尤其是利用在高温下选择性激光熔融/烧结的完全致密且无裂纹硅的3d打印。


技术介绍

1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

2、基板处理系统通常包括多个处理室(也称为处理模块),以执行基板(例如半导体晶片)的沉积、蚀刻以及其他处理。可以在基板上执行的处理的示例包括,但不限于,等离子体增强化学气相沉积(pecvd)处理、化学增强等离子体气相沉积(cepvd)处理以及溅射物理气相沉积(pvd)处理。可以在基板上执行的处理的额外示例包括,但不限于,蚀刻(例如化学蚀刻、等离子体蚀刻、反应性离子蚀刻等)以及清洁处理。

3、在处理期间,将基板布置在基板处理系统的处理室中的基板支撑件上,例如是基座、静电卡盘(esc)等。在沉积期间,将包括一或更多种前体的气体混合物引入处理室,并激励等离子体以活化化学反应。在蚀刻期间,将包括蚀刻气体的气体混合物引入处本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在非金属材料所制成的基板上打印非金属材料的无裂纹部件的系统,所述系统包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述粉末包括直径在0.5μm-100μm范围内的颗粒,且其中所述直径使用筛分分析测得。

3.根据权利要求1所述的系统,其中所述加热器配置成在所述部件的所述打印和退火期间,将所述基板和所述室的在所述基板周围的所述区域加热至大于所述非金属材料的延性脆性转变温度的温度。

4.根据权利要求1所述的系统,其中在所述打印后,所述加热器配置成持续加热所述基板和所述室的在所述基板周围的所述区域,同时在所述室中对所述部件进行退火。p>

5.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种在非金属材料所制成的基板上打印非金属材料的无裂纹部件的系统,所述系统包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述粉末包括直径在0.5μm-100μm范围内的颗粒,且其中所述直径使用筛分分析测得。

3.根据权利要求1所述的系统,其中所述加热器配置成在所述部件的所述打印和退火期间,将所述基板和所述室的在所述基板周围的所述区域加热至大于所述非金属材料的延性脆性转变温度的温度。

4.根据权利要求1所述的系统,其中在所述打印后,所述加热器配置成持续加热所述基板和所述室的在所述基板周围的所述区域,同时在所述室中对所述部件进行退火。

5.根据权利要求1所述的系统,其中在所述打印后,所述部件保持被所述粉末所包围,同时所述部件以受控速率缓慢冷却。

6.根据权利要求1所述的系统,其中所述室利用一或更多层的一或更多种绝缘材料热绝缘。

7.根据权利要求1所述的系统,其中所述非金属材料选自由硅、碳化硅、氧化铝和陶瓷所组成的群组。

8.根据权利要求1所述的系统,其中所述加热器布置在所述基板下方或在所述基板周围以及所述室的在所述基板上方的所述区域。

9.根据权利要求1所述的系统,其中:

10.根据权利要求9所述的系统,其还包括板移动组件,其被配置成在打印每一层后使所述第一竖直可移动板朝向下方向移动,并在打印每一层后使所述第二竖直可移动板朝向上方向移动。

11.根据权利要求1所述的系统,其还包括一或更多个额外加热器,其配置成在所述部件的所述打印期间加热所述室的在所述基板上方的区域。

12.根据权利要求1所述的系统,其中所述粉末进料器配置成将所述粉末与所述激光束一起供应以打印所述部件的所述层。

13.根据权利要求1所述的系统,其还包括机架系统,其配置成在所述部件的每一层的打印期间移动所述第一竖直可移动板,同时所述粉末进料器和所述激光产生器保持固定。

14.根据权利要求1所述的系统,其中所述室处于真空下。

15.根据权利要求1所述的系统,其中所述室填充有惰性气体。

16.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈继红宋屹维杰·尼西亚纳森
申请(专利权)人:希尔福克斯有限公司
类型:发明
国别省市:

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