【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，人们希望显示面板除了具有高分辨、宽视角、低功耗等特性外，还对显示面板提出了其它要求。比如希望显示面板还具有环境光检测性能，环境光检测功能可以根据外部环境的亮度自动调节屏幕亮度，也可以根据外界的环境，在拍照时自动打开闪光灯或者进行补光。要实现显示面板的环境光检测需要在显示面板上设置感光元件，感光元件本身不具备信号的读取、处理功能，通常需要和晶体管技术集成来实现信号的寻址和处理。而双栅氧化物晶体管因具有较高的迁移率、低漏电、电学特性可调、良好的电学稳定性和均一性以及可与柔性衬底工艺兼容等优势，成为与感光元件集成的极佳选项。但由于双栅氧化物薄膜晶体管的制备工艺通常需要5-6道版图，常见的感光元件的工艺也需要4-5道版图，两者集成所需掩模版数将高达9-11道版。过多的掩膜版数会导致极高的制备成本和过长的工艺流程，不利于实际生产。因此，如何简化两者的集成，将具有重要的意义。
技术实现思路
1、本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以缓解现有感光元件和晶体管集成需要较多数量掩膜版导致成本较高的技术问题。
2、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
3、本申请实施例提供一种阵列基板，其包括衬底以及设置在所述衬底同一侧的第一晶体管和感光元件，所述第一晶体管和所述感光元件电连接；其中，所述第一晶体管包括：
4、第一栅极，设置在所述衬底的一侧；
5
6、第二栅极，设置在所述第一有源层远离所述第一栅极的一侧；
7、源极和漏极，设置在第二栅极远离所述第一有源层的一侧，所述源极和所述漏极分别与所述第一有源层电连接；
8、所述感光元件包括：
9、第一电极，与所述第二栅极同层设置，且与所述源极或所述漏极电连接；
10、光敏层，设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧；
11、第二电极，设置在所述光敏层远离所述第一电极的一侧。
12、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述感光元件还包括第一输入电极，所述第一输入电极位于所述第二电极远离所述光敏层的一侧，且与所述源极和所述漏极同层设置，所述第一输入电极与所述第二电极电连接。
13、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第一晶体管还包括第二输入电极，所述第二输入电极与所述源极和所述漏极同层设置，所述第二输入电极与所述第二栅极电连接。
14、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层覆盖在所述第二栅极、所述第一电极以及所述第二电极上，所述源极、所述漏极、所述第一输入电极以及所述第二输入电极设置在所述钝化层远离所述第二栅极的一侧。
15、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述钝化层包括第一过孔、第二过孔、第三过孔以及第四过孔，所述源极和所述漏极分别通过对应的所述第一过孔与所述第一有源层电连接，且所述源极或所述漏极还通过所述第二过孔与所述第一电极电连接，所述第一输入电极通过所述第三过孔与所述第二电极电连接，所述第二输入电极通过所述第四过孔与所述第二栅极电连接。
16、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述第一有源层包括沟道以及位于所述沟道两侧的源极区和漏极区，所述第二栅极在所述衬底上的正投影覆盖所述沟道在所述衬底上的正投影，所述源极通过对应的所述第一过孔与所述源极区电连接，所述漏极通过对应的所述第一过孔与所述漏极区电连接。
17、在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括：
18、缓冲层，设置在所述衬底与所述第一栅极之间；
19、第一栅极绝缘层，覆盖在所述第一栅极以及所述缓冲层上；
20、第二栅极绝缘层，覆盖在所述第一有源层以及所述第一栅极绝缘层上，所述第二栅极和所述第一电极设置在所述第二栅极绝缘层远离所述第一栅极绝缘层的一侧。
21、本申请实施例还提供一种阵列基板制备方法，包括：
22、在衬底上制备第一金属层，并图案化所述第一金属层形成第一晶体管的第一栅极；
23、在所述第一栅极远离所述衬底的一侧制备半导体层，图案化所述半导体层形成所述第一晶体管的第一有源层；
24、在所述第一有源层远离所述第一栅极的一侧制备第二金属层，图案化所述第二金属层形成所述第一晶体管的第二栅极以及感光元件的第一电极；
25、在所述第一电极远离所述衬底的一侧制备第二半导体层，在所述第二半导体层上制备透明电极层，图案化所述透明电极层形成所述感光元件的第二电极，图案化所述第二半导体层形成所述感光元件的光敏层；
26、在所述第二电极远离所述光敏层的一侧制备第三金属层，图案化所述第三金属层形成所述第一晶体管的源极和漏极，并使所述源极和所述漏极分别与所述第一有源层电连接。
27、在本申请实施例提供的阵列基板制备方法中，图案化所述第三金属层还形成第一输入电极和第二输入电极，并使所述第一输入电极与所述第一电极电连接，所述第二输入电极与所述第二栅极电连接；
28、在形成所述感光元件的所述第二电极和所述光敏层之后以及在制备所述第三金属层之前还包括：
29、在所述第二电极远离所述光敏层的一侧制备钝化层，并使所述钝化层覆盖在所述第二栅极、所述第一电极以及所述第二电极上，图案化所述钝化层形成第一过孔、第二过孔、第三过孔以及第四过孔，所述源极和所述漏极分别通过对应的所述第一过孔与所述第一有源层电连接，所述源极或所述漏极还通过所述第二过孔与所述第一电极电连接，所述第一输入电极通过所述第三过孔与所述第一电极电连接，所述第二输入电极通过所述第四过孔与所述第二栅极电连接。
30、本申请实施例还提供一种显示面板，其包括前述实施例其中之一的阵列基板以及如前述实施例其中之一的阵列基板制备方法制得的阵列基板。
31、本申请的有益效果为：本申请提供的阵列基板及其制备方法以及显示面板中，阵列基板包括衬底以及设置在所述衬底同一侧的第一晶体管和感光元件，所述第一晶体管和所述感光元件电连接；所述第一晶体管包括层叠设置的第一栅极、第一有源层、第二栅极以及源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述第一有源层电连接；所述感光元件包括层叠设置的第一电极、光敏层以及第二电极，第一电极与所述第二栅极同层设置，且与所述源极或所述漏极电连接；如此，通过使感光元件的第一电极与第一晶体管的第二栅极同层设置，可使感光元件的部分膜层与第一晶体管的部分膜层在同一掩膜版下形成，以节省掩膜版的数量，降低成本，解决了现有感光元件和晶体管集成需要较多数量掩膜版导致成本较高的技术问题。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底同一侧的第一晶体管和感光元件，所述第一晶体管和所述感光元件电连接；其中，所述第一晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件还包括第一输入电极，所述第一输入电极位于所述第二电极远离所述光敏层的一侧，且与所述源极和所述漏极同层设置，所述第一输入电极与所述第二电极电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管还包括第二输入电极，所述第二输入电极与所述源极和所述漏极同层设置，所述第二输入电极与所述第二栅极电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层覆盖在所述第二栅极、所述第一电极以及所述第二电极上，所述源极、所述漏极、所述第一输入电极以及所述第二输入电极设置在所述钝化层远离所述第二栅极的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层包括第一过孔、第二过孔、第三过孔以及第四过孔，所述源极和所述漏极分别通过对应的所述第一过孔与所述第一有源层电连接，且所述源极或所述漏极还通
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层包括沟道以及位于所述沟道两侧的源极区和漏极区，所述第二栅极在所述衬底上的正投影覆盖所述沟道在所述衬底上的正投影，所述源极通过对应的所述第一过孔与所述源极区电连接，所述漏极通过对应的所述第一过孔与所述漏极区电连接。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
8.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的阵列基板制备方法，其特征在于，图案化所述第三金属层还形成第一输入电极和第二输入电极，并使所述第一输入电极与所述第一电极电连接，所述第二输入电极与所述第二栅极电连接；
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的阵列基板以及如权利要求8或9的阵列基板制备方法制得的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底同一侧的第一晶体管和感光元件，所述第一晶体管和所述感光元件电连接；其中，所述第一晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述感光元件还包括第一输入电极，所述第一输入电极位于所述第二电极远离所述光敏层的一侧，且与所述源极和所述漏极同层设置，所述第一输入电极与所述第二电极电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管还包括第二输入电极，所述第二输入电极与所述源极和所述漏极同层设置，所述第二输入电极与所述第二栅极电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层覆盖在所述第二栅极、所述第一电极以及所述第二电极上，所述源极、所述漏极、所述第一输入电极以及所述第二输入电极设置在所述钝化层远离所述第二栅极的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层包括第一过孔、第二过孔、第三过孔以及第四过孔，所述源极和所述漏极分别通过对应的所述第一过孔与所述第一有源...
【专利技术属性】
技术研发人员：周志超，谭志威，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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