一种超薄石墨烯抽滤膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种超薄石墨烯抽滤膜及其制备方法，属于抽滤膜技术领域。本发明专利技术的制备方法包括以下步骤，S1、向固定有滤膜的真空抽滤设备中加入石墨烯分散液，通过真空抽滤的方式在滤膜上沉积石墨烯膜；S2、将沉积有石墨烯膜的滤膜浸渍于分离液中使石墨烯膜与滤膜分离，得到超薄石墨烯抽滤膜。本发明专利技术的制备方法通过真空过滤法构建具有有序和致密结构的石墨烯膜，厚度可以通过石墨烯沉积量精确控制，再通过分离液获得了纯净石超薄石墨烯抽滤膜，超薄石墨烯抽滤膜的热导率为1632W/m·k，即使在剧烈摩擦和折叠后也具有出色的无折痕性能。经过100次硬折叠循环后，热导率仅下降0.7％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于抽滤膜，尤其涉及一种超薄石墨烯抽滤膜及其制备方法。

技术介绍

1、随着电子器件性能近几十年来的快速发展，有效地去除集成电路(ic)芯片(如cpu和gpu)产生的热量变得越来越重要系统的连续、稳定、平稳运行。由于设备的可靠性与工作温度呈指数级关系，因此温度升高10℃-15℃可能会导致设备寿命缩短50％。石墨烯作为二维碳同素异形体，仅由一个平面层组成共轭原子排列在一个蜂窝晶格中。石墨烯的低原子质量、强成键、简单的晶体结构和低非调和性使其具有独特的k≈5300w/m·k。同时，石墨烯具有很好的柔韧性，这些独特的性质使得石墨烯很有希望成为一种用于制造超高热的超柔性散热膜。

2、石墨烯膜沉积工艺方法较多，随着化学气相沉积(cvd)技术的快速发展，可以获得高质量的单层或少数几层石墨烯膜，用于研究或应用。高等人员使用热cvd方法生长单层石墨烯膜。当它应用在pt芯片上时，热点的温度从394k降低到381k。超快生长技术推动了cvd石墨烯的可扩展制备。例如，一个英寸大小的单晶石墨烯在cu-ni合金基板上快速生长。徐等人通过供氧开发了一种超快cvd，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超薄石墨烯抽滤膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，

2.根据权利要求1所述的超薄石墨烯抽滤膜的制备方法，其特征在于，在S1中，所述滤膜选自氧化铝、聚酰亚胺或聚碳酸酯。

3.根据权利要求1所述的超薄石墨烯抽滤膜的制备方法，其特征在于，在S1中，所述石墨烯的制备具体包括以下步骤：将氧化石墨烯分散在三甘醇溶液中形成氧化石墨烯分散液，采用激光波长1000nm-1100nm进行激光照射，照射结束后经洗涤、干燥得到所述石墨烯；所述三甘醇溶液是由三甘醇和N,N-二甲基甲酰胺按照体积比1-10：1-10混合而成。

4.根据权利要求3所述的超薄石墨烯抽滤膜的...

【技术特征摘要】

1.一种超薄石墨烯抽滤膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，

2.根据权利要求1所述的超薄石墨烯抽滤膜的制备方法，其特征在于，在s1中，所述滤膜选自氧化铝、聚酰亚胺或聚碳酸酯。

3.根据权利要求1所述的超薄石墨烯抽滤膜的制备方法，其特征在于，在s1中，所述石墨烯的制备具体包括以下步骤：将氧化石墨烯分散在三甘醇溶液中形成氧化石墨烯分散液，采用激光波长1000nm-1100nm进行激光照射，照射结束后经洗涤、干燥得到所述石墨烯；所述三甘醇溶液是由三甘醇和n,n-二甲基甲酰胺按照体积比1-10：1-10混合而成。

4.根据权利要求3所述的超薄石墨烯抽滤膜的制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯的浓度为0.5mg/ml-2mg/ml。

5.根据权利要求3所述的超薄石墨烯抽滤膜的制备方法，其特征在于，所述激光照射的时间为0...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙佳惟，朱文，温皓翔，李明轩，杨畅，叶雯，许依婷，任江洋，
申请(专利权)人：微智帆途科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：