一种栅控二极管触发的低压SCR结构保护器件制造技术

本发明专利技术提供一种栅控二极管触发的低压SCR结构保护器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底，衬底上向上生长有外延层，外延层上分别形成有N型阱区和P型阱区；N型阱区和P型阱区的顶部均掺杂形成有P型轻掺杂区和N型轻掺杂区，N型阱区的P型轻掺杂区和N型轻掺杂区连接作为阳极，P型阱区的P型轻掺杂区和N型轻掺杂区连接作为阴极；隧穿结区，形成于P型阱区的靠近N型阱区的一侧的顶部；至少一个栅控二极管，栅控二极管覆盖于N型阱区和P型阱区之间的外延层的顶部以及部分隧穿结区之上。有益效果是在外延层中形成隧穿结，使保护器件具备低电容、低漏电、低开启电压，同时栅极具有较高耐压的特性，提升对后级电路的防护效果和鲁棒性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种栅控二极管触发的低压scr结构保护器件。

技术介绍

1、近年来，集成电路制造技术发展迅速，带来电子产品快速的更新换代，usb3.1、hdmi2.1、type-c等低电压超高速数据传输接口广泛应用于电子产品中。为了保证电子产品的质量和可靠性，其芯片和对外接口的电路必须具备一定等级的抗esd能力，因此需要越来越多的防护器件。scr(silicon-controlled rectifier,可控硅)作为一种单位面积鲁棒性强，寄生电容小的保护器件被广泛应用到各类产品中。

2、对于低工作电压(1.5v～3.3v)、低寄生电容(<0.5pf)要求的应用环境上所需要的scr防护器件，有以下几种常见的传统设计结构。

3、如图1所示的一种传统设计，可以设计较淡的300nw掺杂浓度、较淡的301pw掺杂浓度，在较小电压下通过401p+/300nw/200epi穿通击穿，或200epi/301pw/402n+穿通击穿，提供初始电流进而触发401p+/300nw/301pw/402n+scr结构开启，从而泄放从阳极到本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种栅控二极管触发的低压可控硅整流器结构保护器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低压可控硅整流器结构保护器件，其特征在于，所述隧穿结区包括：

3.根据权利要求1所述的低压可控硅整流器结构保护器件，其特征在于，所述衬底和所述外延层之间还形成有氧化层。

4.根据权利要求2所述的低压可控硅整流器结构保护器件，其特征在于，所述栅控二极管包括栅氧层和所述栅氧层的顶部连接的栅极；

5.一种栅控二极管触发的低压可控硅整流器结构保护器件，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的低压可控硅整流器结构保护器件，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种栅控二极管触发的低压可控硅整流器结构保护器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的低压可控硅整流器结构保护器件，其特征在于，所述隧穿结区包括：

3.根据权利要求1所述的低压可控硅整流器结构保护器件，其特征在于，所述衬底和所述外延层之间还形成有氧化层。

4.根据权利要求2所述的低压可控硅整流器结构保护器件，其特征在于，所述栅控二极管包括栅氧层和所述栅氧层的顶部连接的栅极；

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【专利技术属性】
技术研发人员：郝壮壮，张伟，赵德益，蒋骞苑，苏海伟，叶毓明，
申请(专利权)人：上海维安半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：